接合方法和制造方法
【专利摘要】本发明提供将二个部件（A、B）用Au-Sn焊料接合的接合方法。在本发明的接合方法中，使接合后的Au-Sn焊料（S’）中的Sn的重量％浓度在38.0％以上、82.3％以下。
【专利说明】接合方法和制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及用焊料将二个部件接合的接合方法。还涉及使用这种接合方法制造激光模块的方法。
【背景技术】
[0002]作为使激光入射到光纤中的装置，激光模块被广泛使用。激光模块包括发射激光的激光光源、接收激光的光纤以及安装有激光光源和光纤两者的散热基板。激光光源和光纤经过位置调整，以使从激光光源发射的激光高效入射到光纤中，然后固定在散热基板上。
[0003]在激光模块中，通常，并不是将激光光源和光纤直接接合在散热基板上，而是采用先将激光器安装座和光纤安装座接合在散热基板上、再将激光光源和光纤接合在激光器安装座和光纤安装座上的方法。这些部件的接合中常使用Au-Sn (金-锡)90%焊料和Au-Sn20%焊料等。作为公开了采用这种方法的光纤的文献，例如有专利文献I。
[0004]此外，专利文献2中公开了这样一种接合方法:在该方法中，使用Sn的重量％浓度在13 %以下的Au-Sn将构成激光模块的多个部件依次接合，无需使预先接合的焊料再熔化。
[0005]专利文献:
[0006]专利文献1:美国专利第6，758，610号说明书(登记日:2004年6月6日)
[0007]专利文献2:日本公开特许公报“特开2003 - 200289号”(
【公开日】:2003年7月15日)
【发明内容】
[0008]然而，上述Au-Sn焊料存在如下问题。
[0009]g卩，Au-Sn20%焊料的熔点高，为278°C，因此，使用Au_Sn20%焊料对部件进行接合时，会使该部件热变形。所以，不适合用于半导体激光芯片等耐热变形性差的部件的接合。此外，专利文献2中记载的Au-Sn焊料的熔点在300°C以上，更不适合用于耐热变形性差的部件的接合。
[0010]另一方面，Au-Sn90%焊料的熔点为217°C，常用于半导体激光芯片的接合。然而，Au-Sn90%焊料是杨氏模量小的软焊料(soft solder),因而存在部件的位置精度容易下降的问题。
[0011]本发明是鉴于上述问题而作出的，旨在实现能将Au-Sn90%焊料等Au-Sn焊料在接合后作为硬焊料使用的接合方法。
[0012]为了解决上述问题，本发明提供将第I部件与第2部件用Au-Sn焊料接合的接合方法，其特征在于，接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、82.3%以下。
[0013]根据上述构成，接合后的Au-Sn焊料是含有e — AuSn与n — AuSn的共晶的硬焊料(接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在55.0%以上、82.3%以下的情况)或含有5 一 AuSn与e — AuSn的共晶的硬焊料(接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、61.0%以下的情况)。此外，若与形成在第I部件或第2部件的接合面上的Au层并用，则可将Au-Sn90%焊料在接合后作为硬焊料使用。
[0014]根据本发明，能将Au-Sn90%焊料等Au-Sn焊料在接合后作为硬焊料使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是显示Au-Sn焊料和用该Au-Sn焊料接合的二个部件的结构的截面图。(a)显示接合前的状态，(b)显示接合后的状态。
[0016]图2是Au-Sn焊料的状态图(相图)。
[0017]图3是显示由用图1所示接合方法的制造方法制成的半导体激光模块的总体状况的斜视图。
[0018]图4是显示图3所示半导体激光模块的制造方法的示意图。
【具体实施方式】
[0019]〔接合方法概要〕
[0020]参照图1，对本发明的一实施方式的接合方法进行说明。在本实施方式的接合方法中，将二个部件A、B用Au-Sn (金-锡)S焊料接合。
[0021]这里，作为接合对象的二个部件A、B只要分别具有至少一个平面即可。这种情况下，在将这些平面(以下记为“接合面”)用Au-Sn焊料S接合时，可以采用本实施方式的接合方法。对部件A、B的材料无特殊限制，但在本实施方式中，设想为AlN (氮化铝)、CuW (铜钨)等在激光模块等光学装置中常用的材料。
[0022]图1 (a)是显示二个部件A、B的接合前的状态的截面图。
[0023]在部件A的接合面上，如图1 (a)所示，形成有Au层MA。同样地，在部件B的接合面上，如图1 (a)所示，也形成有Au层MB。这些Au层MA、MB通过电镀或蒸镀等形成在部件A、B的接合面上，有时也称作“金属镀膜”。
[0024]Au-Sn焊料S是成形为板状的Au_Sn90%焊料。Au-Sn焊料S的熔点为217°C，常用于耐热应力性差的半导体激光器等的接合。
[0025]用Au-Sn焊料S进行的二个部件A、B的接合通过在使部件A的接合面与Au-Sn焊料S的某一主面接触且使部件B的接合面与Au-Sn焊料S的另一主面接触的状态下用加热台等对部件B加热而进行。从加热台传导至部件B的热再由部件B传导至Au-Sn焊料S，使Au-Sn焊料S的温度上升。
[0026]Au-Sn焊料S的温度超过其熔点217°C时，Au-Sn焊料S熔化，Au层MA?MB中所含的Au扩散到Au-Sn焊料S中。因此，熔化状态的Au-Sn焊料S”(图中未显示)中的Sn的重量％浓度小于接合前的Au-Sn焊料S中的Sn的重量％浓度。这是因为，由于从Au层MA?MB扩散出的Au，熔化状态的Au-Sn焊料S”中所含的Au的量增加，在Au-Sn焊料S”的总量中，Sn所占的比例减少。
[0027]通过对熔化状态的Au-Sn焊料S”进行冷却，能使(I) n — AuSn与P — Sn的共晶、(2) e 一 AuSn与n — AuSn的共晶或(3) e 一 AuSn与8 — AuSn的共晶析出。析出哪种共晶取决于熔化状态的Au-Sn焊料S”中的Sn的重量％浓度。若进一步对Au-Sn焊料S”进行急速冷却，则Au-Sn焊料S”会在保持某一共晶组成的状态下凝固。由此，部件A与部件B的接合结束。关于从熔化状态的Au-Sn焊料S”中析出哪种共晶，换个参照的附图在后面进行叙述。
[0028]图1 (b)是显示二个部件A、B的接合后的状态的截面图。
[0029]在构成Au层MA~MB的Au全部扩散到熔化状态的Au-Sn焊料S”中的情况下，如图1 (b)所示,通过接合后的Au-Sn焊料S’，部件A与部件B接合。接合后的Au-Sn焊料S’中的Sn的重量％浓度与熔化状态的Au-Sn焊料S”中的Sn的重量％浓度相等，小于接合前的Au-Sn焊料S中的Sn的重量％浓度。
[0030]在构成Au层MA~MB的Au全部扩散到熔化状态的Au-Sn焊料S”中的情况下，接合后的Au-Sn焊料S’中的Sn的重量％浓度按下式给出。即，若以接合前的Au-Sn焊料S中所含的Sn的质量为X，接合前的Au-Sn焊料S中所含的Au的质量为yS，Au层MA中所含的Au的质量为yMA，Au层MB中所含的Au的质量为yMB，以上焊料和Au层中所含的Au的总质量y = yS + yMA + yMB,则接合后的Au-Sn焊料S’中的Sn的重量％浓度P’可以P’=IOOXx/ (x + y)给出。
[0031 ] 接着，参照图2，对接合后的Sn-Au焊料S’的物性进行说明。图2是Sn-Au合金的状态图(相图)。在图2的状态图中，横轴表示Sn的重量％浓度〔重量％〕，纵轴表示温度(0C)0
[0032]首先，参照图2，对接合后的Sn-Au焊料S’的熔点进行说明。
[0033]接合后的Sn-Au焊料S’的熔点取决于接合后的Sn-Au焊料S’中的Sn的重量％浓度。具体而言，如图2所示，Sn的重量％浓度在38 %以上时，Sn的重量％浓度越小，接合后的Sn-Au焊料S’的熔 点越高。如上所述，接合后的Sn-Au焊料S’中的Sn的重量％浓度小于接合前的Sn-Au焊料S中的Sn的重量％浓度。因此，接合后的Sn-Au焊料S’的熔点高于接合前的Sn-Au焊料S的熔点。
[0034]这种性质对部件的接合非常有利。即，在部件A上接合部件B，再在部件B上接合部件C时，在已接合的部件A与部件B之间的Sn-Au焊料S’的熔点高于在接下来要接合的部件B与部件C之间的Sn-Au焊料S的熔点217°C。因此，即使为了使在部件B与部件C之间的Sn-Au焊料S熔化而使部件B的温度上升至217°C，在已接合的部件A与部件B之间的Sn-Au焊料S’也不会熔化。
[0035]接着，参照图2，对接合后的Sn-Au焊料S’的共晶组成进行说明。
[0036]由图2可知，当熔化状态的Sn-Au焊料S”中的Sn的重量％浓度在82.3%以上、90.0%以下时，接合后的Sn-Au焊料S，为(I) n — AuSn与P — Sn的共晶。另一方面，当熔化状态的Sn-Au焊料S”中的Sn的重量％浓度在55.0%以上、82.3%以下时，接合后的Sn-Au焊料S，含有(2) e 一 AuSn与n — AuSn的共晶。此外，当熔化状态的Sn-Au焊料S”中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、61.0%以下时，接合后的Sn-Au焊料S’含有(3)6 — AuSn 与 e — AuSn 的共晶。
[0037]然而，e - AuSn的杨氏模量为103GPa，比AuSn90%的杨氏模量(40GPa)、^ - Sn的杨氏模量(41.4GPa)高。此外，6 一 AuSn的杨氏模量为87±9GPa，也比AuSn90%的杨氏模量、^ - Sn的杨氏模量高。因此，通过使熔化状态的Sn-Au焊料S”中的Sn的重量％浓度在38.0%、82.3%以下，能使本来要作为软焊料发挥作用的Au-Sn90%焊料起具有其2倍左右的杨氏模量的硬焊料(hard solder)的作用。
[0038]这种性质也非常适合部件的接合。即，通过适当改变在作为接合对象的部件表面形成的Au层的厚度，能使各接合位置的接合强度互不相同。例如，在应力缓和具有重要意义的位置，可通过减薄Au层的厚度而使Sn-Au焊料作为软焊料发挥作用，在部件的固定具有重要意义的位置，可通过增厚Au层的厚度而使Sn-Au焊料作为硬焊料发挥作用，等等。
[0039]另外，若以接合前的Au-Sn焊料S中所含的Sn的质量为X，接合前的Au-Sn焊料S中所含的Au的质量为yS，Au层MA中所含的Au的质量为yMA，Au层MB中所含的Au的质量为yMB，以上焊料和层中所含的Au的总质量y = yS + yMA + yMB,则使Au-Sn焊料S作为硬焊料发挥作用的条件可以表示为0.380 ≤x/(x + y) ≤ 0.823。[0040]〔适用例〕
[0041]接着，参照图3~图4，对本实施方式的接合方法的适用例进行说明。
[0042]首先，参照图3，对用本实施方式的接合方法制造的半导体激光模块I的结构进行说明。图3是显示用本实施方式的接合方法制造的半导体激光模块I的总体状况的斜视图。
[0043]半导体激光模块I是安装在光纤2末端的激光模块，如图3所示，其包括基板10、基座(submount)20、CoS (Chip on Submount,带基座的芯片)30、光纤安装座40和壳体50。图3中，为了清楚地显示半导体激光模块I的内部结构，省略了壳体50的顶板和侧板的一部分。
[0044]基板10是半导体激光模块I的底板。如图3所示，在本适用例中，作为基板10，使用主面为圆角矩形的板状部件。基板10起散热板的作用，用于使半导体激光模块I内部(尤其是CoS30)产生的热发散到半导体激光模块I外部。因此，基板10由导热率高的材料构成，例如由Cu (铜)构成。
[0045]在基板10的上面，如图3所示，设有4个凸部Ila~lid。这4个凸部Ila~Ild起间隔件(spacer)的作用，用于将基座20的下面与基板10的上面间隔开来。这4个凸部Ila~Ild通过冲切加工或切削加工等成形而成，与基板10为一体。
[0046]在基板10的上面，如图3所示，配置有基座20。
[0047]基座20是支承Cos30和光纤安装座40的支承体。在本适用例中，如图3所示，作为基座20，使用主面为矩形的板状部件，对该基座20进行配置，使其下面与基板10的上面平行，并使其主面的长边与基板10的主面的长边平行。通过伸展在基座20的下面与基板10的上面之间的软焊料61，基座20接合在基板10的上面上。将基座20与基板10接合时，如后述那样，使用Au-Sn焊料90%作为软焊料61。
[0048]在基座20的上面，如图3所示，置有CoS30和光纤安装座40。在基座20的上面，光纤安装座40配置在引出光纤2的一侧(图3中的右前侧，下面记作“光纤侧”)，CoS30配置在与引出光纤2的一侧相反的一侧(图3中的左后侧，下面记作“引线侧”)。
[0049]CoS30是将激光器安装座31与半导体激光芯片32 —体化而成的部件。
[0050]激光器安装座31是支承半导体激光芯片32的支承体。在本适用例中，如图3所示，作为激光器安装座31，使用主面为矩形的板状部件，对该激光器安装座31进行配置，使其下面与基座20的上面平行，并使其主面的长边与基座20的主面的长边平行。通过伸展在激光器安装座31的下面与基座20的上面之间的硬焊料62，激光器安装座31接合在基座20的上面上。将激光器安装座31与基座20接合时，如后述那样，使用Au-Sn焊料90%作为硬焊料62。
[0051]在激光器安装座31的上面，如图3所示，置有半导体激光芯片32。半导体激光芯片32是从其端面32a发射激光的激光光源。在本适用例中，使用主要由GaAs (砷化镓)构成的、具有5_以上腔体长度的高功率半导体激光器。如图3所示，半导体激光芯片32以其延长方向与激光器安装座31的主面的长边平行的方式配置，其下面与激光器安装座31的上面接合。此外，如图3所示，半导体激光芯片32通过导线33与形成在激光器安装座31的上面的线路连接，并通过该线路供给的电流而被驱动。
[0052]光纤安装座40是支承光纤2的支承体。在本适用例中，如图3所示，作为光纤安装座40，使用主面为矩形的板状部件，对该光纤安装座40进行配置，使其下面与基座20平行，并使其主面的长边与基座20主面的长边垂直。通过伸展在光纤安装座40的下面与基座20的上面之间的硬焊料63，光纤安装座40接合在基座20的上面上。 [0053]在光纤安装座40上,如图3所不,置有光纤2,该光纤2从设置在壳体50上的插通管51中穿过，引入半导体激光模块I的内部。对光纤2进行配置，使被加工成楔形的前端2a与半导体激光芯片32的端面32a正对，通过焊料64，将光纤2接合在光纤安装座40的上面上。从半导体激光芯片32的端面32a发射的激光由前端2a入射到光纤2中，在光纤2内传播。
[0054]接着，参照图4，对使用本实施方式的接合方法的激光模块I的制造方法进行说明。这里，尤其关注将基座20接合在基板10上的工序和将激光器安装座31接合在基座20上的工序。首先，对将激光器安装座31的下面接合在基座20的上面上的工序进行说明。
[0055]在将激光器安装座31接合到基座20上之前，如图4所示，在激光器安装座31的下面和基座20的上面分别形成Au层31b和Au层20b。这些Au层31b、20b的厚度按以下方法决定。即，以属于Au-Sn90%焊料的接合前的Au-Sn焊料62中所含的Sn的质量为X，同样地，以接合前的Au-Sn焊料62中所含的Au的质量为y62，Au层31b中所含的Au的质量为y31b，Au层20b中所含的Au的质量为y20b，以上焊料和层中所含的Au的总质量为y=y62 + y31b + y20b,使0.380 ^ x/ (x + y) ^ 0.823。这种情况下，如前面参照图2说明过的那样，接合后的Au-Sn焊料62会作为硬焊料发挥作用。另外，作为接合前的Au-Sn焊料62，使用形成为板状的Au-Sn90%焊料。
[0056]在进行上述准备之后，通过以下工序SI~S8将激光器安装座31与基座20接合。
[0057]工序S1:将基座20放置到加热台上。
[0058]工序S2:将成形为板状的Au-Sn焊料62放置到基板10上。
[0059]工序S3:将激光器安装座31放置到Au-Sn焊料62上。
[0060]工序S4:开始用加热台对基座20加热。
[0061]开始用加热台对基座20加热后，基座20的温度即逐渐上升。当基座20的温度达到217°C时，Au-Sn焊料62从基座20侧开始熔化。此时，构成Au层31b和Au层20b的Au扩散到熔化的Au-Sn焊料62中，熔化的Au-Sn焊料62中的Sn的重量％浓度达38.0%以上、82.3%以下。另外，为了促进Au的扩散，最好在不对半导体激光芯片32产生不良影响的范围内尽可能地将Au-Sn焊料62加热到高温，即，最好将Au-Sn焊料62加热到240°C~250 °C左右。
[0062]工序S5 =Au-Sn焊料62完全熔化后，即擦拭(scrub )激光器安装座31。这里，擦拭激光器安装座31是指使激光器安装座31在与基座20的上面平行的面内滑动几次。由此排除混入Au-Sn焊料62与激光器安装座31之间的气泡。
[0063]工序S6:停止用加热台对基座20加热。停止用加热台对基座20加热后，基座20的温度即逐渐下降。
[0064]工序S7:使Au-Sn焊料62急速冷却。此时，熔化的Au-Sn焊料62中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、82.3%以下，因此，形成e — AuSn与n — AuSn的共晶或5 一 AuSn与e — AuSn的共晶。
[0065]通过以上工序，能实现激光器安装座31与基座20的接合。接合后的Au-Sn焊料62为杨氏模量大的硬焊料。
[0066]接着，对将基座20的下面接合在基板10的上面上的工序进行说明。另外，将基座20接合在基板10上的工序在将激光器安装座31接合在基座20上的工序之后进行。
[0067]在将基座20接合在基板10上之前，在基座20的下面和基板10的上面分别形成Au层20a和Au层10a。这些Au层20a、1Oa的厚度按以下方法决定。即，以接合前的Au-Sn焊料61中所含的Sn的质量为X，接合前的Au-Sn焊料61中所含的Au的质量为y61，Au层20a中所含的Au的质量为y20a，Au层1Oa中所含的Au的质量为ylOa，以上焊料和层中所含的 Au 的总质量为 y = y61 + y20a + ylOa,使 x、y 满足 0.823 ^ x/(x + y) ^ 0.900。这种情况下，如前面参照图2说明过的那样，接合后的Au-Sn焊料61会作为软焊料发挥作用。另外，作为接合前的Au-Sn焊料61，使用形成为板状的Au-Sn90%焊料。
[0068]在进行上述准备之后，通过以下工序Tl~T8将基座20与基板10接合。
[0069]工序Tl:将基板10放置到加热台上。
[0070]工序T2:将成形为板状的Au-Sn焊料61放置到基板10上。
[0071]工序T3:将基座20放置到Au-Sn焊料61上。
[0072]工序T4:开始用加热台对基板10加热。
[0073]开始用加热台对基板10加热后，基板10的温度即逐渐上升。当基板10的温度达到217°C时，Au-Sn焊料61从基板10侧开始熔化。此时，构成Au层20的Au扩散到熔化的Au-Sn焊料61中，熔化的Au-Sn焊料61中的Sn的重量％浓度达82.3%以上、90.0%以下。
[0074]工T5:Au-Sn焊料61完全熔化后，即擦拭基座20。
[0075]工序T6:停止用加热台对基板加热。停止用加热台对基板10加热后，基板10的温度即逐渐下降。
[0076]工序T7:使Au-Sn焊料61急速冷却。此时，熔化的Au-Sn焊料61中的Sn的重量％浓度在82.3%以上、90.0%以下，因此，形成n — AuSn与P — Sn的共晶。
[0077]通过以上工序，能实现基座20与基板10的接合。接合后的Au-Sn焊料61为杨氏模量小的软焊料。
[0078]〔总结〕
[0079]如上所述，本实施方式的接合方法用Au-Sn焊料将第1部件与第2部件接合，其特征在于，接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、82.3%以下。
[0080]根据上述构成，接合后的Au-Sn焊料是含有e — AuSn与n — AuSn的共晶的硬焊料(接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在55.0%以上、82.3%以下的情况)或含有5 一 AuSn与e — AuSn的共晶的硬焊料(接合后的上述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、61.0%以下的情况)。此外，若与形成在第I部件或第2部件的接合面上的Au层并用，则可将Au-Sn90%焊料在接合后作为硬焊料使用。
[0081]在本实施方式的接合方法中，优选的是，接合前的上述第I部件的接合面和接合前的上述第2部件的接合面中的至少一方上形成有Au层，在以接合前的上述Au-Sn焊料中所含的Sn的质量为X、接合前的上述Au-Sn焊料和Au层中所含Au的总质量为y时，满足
0.380 ≤ x/(x + y) ≤ 0.823 的关系。
[0082]根据上述构成，仅通过调整上述Au层的厚度等，使上述Au层中所含的Au的质量满足上述条件，就能容易地将Au-Sn焊料在接合后作为硬焊料使用。
[0083]在本实施方式的接合方法中，优选接合前的上述Au-Sn焊料为Au_Sn90%焊料。
[0084]根据上述构成，能使用被广泛利用的Au-Sn90%焊料实现硬焊料。
[0085]另外，具有使用上述接合方法的接合工序的激光模块制造方法也包含在本实施方式的范畴内。
[0086]〔附注事项〕
[0087]本发明不局限于上述实施方式，可在权利要求所示的范围内做各种变更。即，对在权利要求所示范围内适当变更后的技术手段进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
[0088]本发明能广泛地适用于使用Au-Sn焊料(例如Au_Sn90%焊料)进行的部件的接合。尤其能广泛地适用于使用Au-Sn90%焊料进行的光学部件的接合。
`[0089]符号说明:
[0090]A部件(第I部件)
[0091]MAAu 层
[0092]B部件(第2部件)
[0093]MBAu 层
[0094]SAu-Sn 焊料(接合前)(Au-Sn9O1^焊料)
[0095]S，Au-Sn焊料(接合后)
[0096]I半导体激光模块(激光模块)
[0097]10基板
[0098]IIa ~Ild 凸部
[0099]20基座
[0100]30CoS
[0101]31激光器安装座
[0102]32半导体激光芯片(激光光源)
[0103]40光纤安装座
[0104]50壳体
[0105]61软焊料
[0106]62硬焊料
【权利要求】
1.接合方法，在该方法中，将第I部件与第2部件用Au-Sn焊料接合， 其中，接合后的所述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、82.3%以下。
2.根据权利要求1所述的接合方法，其特征在于，包含: 在接合前的所述第I部件的接合面和接合前的所述第2部件的接合面中的至少一方上形成Au层的形成工序； 使与接合前的所述第I部件的接合面和接合前的所述第2部件的接合面两者接触的所述Au-Sn焊料熔化的熔化工序， 在以接合前的所述Au-Sn焊料中所含的Sn的质量为X、接合前的所述Au-Sn焊料和所述Au层中所含的Au的合计质量为y时,满足0.380:? x/ (x + y) ( 0.823的关系。
3.根据权利要求1或2所述的接合方法，其特征在于，接合前的所述Au-Sn焊料为Au-Sn90% 焊料。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法，其特征在于，接合后的所述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在55.0%以上、82.3%以下。
5.根据权利要求1~3中任一项所述的接合方法，其特征在于，接合后的所述Au-Sn焊料中的Sn的重量％浓度在38.0%以上、61.0%以下。
6.激光模块的制造方法，所述激光模块具有配置有激光光源的激光器安装座、配置有所述激光器安装座的基座和配置有所述基座的基板， 所述制造方法包含通过权利要 求1~5中任一项所述的接合方法将所述激光安装座与所述基座用Au-Sn焊料接合的接合工序。
【文档编号】C22C13/00GK103608908SQ201280029262
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年4月4日 优先权日:2011年6月16日
【发明者】丰原望, 坂元明, 葛西洋平 申请人:株式会社藤仓