一种剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置制造方法
【专利摘要】本发明涉及金属腐蚀测量设备领域，具体地来说为一种剥离涂层下阴极保护电位二维分布多通道电位测量仪。包括底板、置于底板上并与底板固定的盖板，其中盖板与底板之间具有缝隙，所述盖板一侧为溶液区，另一侧上均匀间隔设置阵列式盐桥，所述底板上对应阵列式盐桥的位置设置整体矩形试样放置区。本发明可以对缝隙内金属阴极保护电位进行二维分布测量，并进行实时监测。本发明设备具有体积小，结构简单，操作方便，检测精度高等优点。
【专利说明】-种剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置
【技术领域】
[0001] 本发明涉及金属腐蚀测量装置，具体地来说为一种剥离涂层下阴极保护电位二维 分布多通道电位测量装置。
【背景技术】
[0002] 通常埋地管线防腐涂层对腐蚀介质的隔离作用并不是完美的。由于涂层材料本身 的缺陷(针孔、漏点等）以及管道运输、装卸及施工过程中，都会对涂层造成机械损伤，管道 埋地后周围土壤环境作用（如：土壤应力、阴极析氢等因素)、第三方破坏等都会导致涂层缺 陷的形成与扩展。上述结果都会导致防腐涂层失去粘结力而发生剥离，在管道表面与涂层 之间形成缝隙，一旦环境中的腐蚀性介质(如地下水、氧气、二氧化碳、硫酸根离子、氯离子 及微生物等）渗入缝隙内，就会形成局部腐蚀微环境，就将导致剥离涂层下缝隙内管道发生 腐蚀。
[0003] 现有技术中常通过万用表等测量仪器对剥离涂层下缝隙内金属阴极保护电位一 维分布进行测量，但细小缝隙通常可以被近似认为是一个二维空间，因此需要对其进行电 位的二维分布测量。
【发明内容】
[0004] 本发明针对现有技术中存在的上述不足之处，要解决的技术问题在于提供一种模 拟剥离涂层下缝隙内金属阴极保护电位二维分布的测量装置，采用该设备测量剥离涂层下 缝隙内管道发生腐蚀的情况，可以对剥离涂层下二维空间内电位变化进行实时监测。
[0005] 为了实现本发明的上述问题，本发明采用如下技术方案， 一种剥离涂层下缝隙内金属电位二维分布测量装置，包括底板、置于底板上并与底板 固定的盖板，其中盖板与底板之间具有缝隙，所述盖板一侧为溶液区，另一侧上均匀间隔设 置阵列式盐桥，所述底板上对应阵列式盐桥的位置设置整体矩形试样放置区。
[0006] 所述溶液区内设置有一个与外加电源相连的溶液区辅助电极和一个连接外加电 源用的溶液区盐桥。
[0007] 盖板与底板的两端通过铆钉密封固定在一起，盖板与底板之间设置具有厚度的垫 片，盖板与底板之间通过垫片形成缝隙区，溶液区与缝隙区相通。
[0008] 所述阵列式盐桥的数目根据实验具体要求设置N个，用以测量剥离涂层下缝隙内 电位二维分布变化。
[0009] 阵列式盐桥的数目N为64。
[0010] 所述阵列式盐桥排列为8X8或4X 16。
[0011] 本发明具有如下的优点和有益效果： 1、本发明可以对缝隙内金属阴极保护电位进行二维分布测量，并进行实时监测。
[0012] 2、本发明设备具有体积小，结构简单，操作方便，检测精度高等优点。
[0013]
【专利附图】
【附图说明】
[0014] 图1为本发明的结构示意图； 图2为图1的俯视图； 图3为本发明中底板的结构示意图； 图中，1、盖板；2、底板；3、垫片；4、铆钉；5、阵列式盐桥；6、溶液区辅助电极；7、溶液 区盐桥；8、缝隙区；9、溶液区；10、试样放置区。
【具体实施方式】
[0015] 下面结合附图对本发明结构进行详细地说明。 实施例
[0016] 如图1~3所示，本发明剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，包括底板2、置 于底板2上并与底板2固定的盖板1，其中盖板1与底板2之间具有缝隙区8,盖板1与底 板2的两端通过铆钉4密封固定在一起，盖板1与底板2之间设置具有厚度的垫片3可造 成缝隙。本实施例中，垫片3采用PTFE材料。
[0017] 如图1、2、和3所示，盖板1 一侧为溶液区9,溶液区9与缝隙区8相通(见图3)，另 一侧上均匀间隔设置了的阵列式盐桥5(见图1和图2)，盖板与底板之间对应盐桥的位置设 置有整体矩形试样放置区10,用于放置整块的金属试样。本实施例中阵列式盐桥为4X16 排列。溶液区9内设置有一个与外加电源相连的溶液区辅助电极6和一个连接外加电源用 的溶液区盐桥7 (见图1和图2)。
[0018] 本发明的使用过程如下： 采用电化学测量主要是通过在底板2上试样放置区10封装试样，在盖板1上试样放置 区对应位置封装辅助电极和盐桥，将盐桥外接触与参比电极连接，从而形成两电极体系，最 终对缝隙内金属阴极保护电位进行二维测量。
[0019] 本发明中试样通常选用碳钢、管线钢X65、X70、X80、X100等，也可以用其它有色金 属进行试验。
【权利要求】
1. 一种剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，其特征在于，包括底板、置于底板上 并与底板固定的盖板，其中盖板与底板之间具有缝隙，所述盖板一侧为溶液区，另一侧上均 匀间隔设置阵列式盐桥，所述底板上对应阵列式盐桥的位置设置整体矩形试样放置区。
2. 按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，其特征在于，所 述溶液区内设置有一个与外加电源相连的溶液区辅助电极和一个连接外加电源用的溶液 区盐桥。
3. 按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，其特征在于，盖 板与底板的两端通过铆钉密封固定在一起，盖板与底板之间设置具有厚度的垫片，盖板与 底板之间通过垫片形成缝隙区，溶液区与缝隙区相通。
4. 按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内金属腐蚀试验装置，其特征在于，所述阵 列式盐桥的数目根据实验具体要求设置N个，用以测量剥离涂层下缝隙内电位二维分布变 化。
5. 按照权利要求1所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，其特征在于，阵 列式盐桥的数目N为64。
6. 按照权利要求5所述的剥离涂层下缝隙内电位二维分布测量装置，其特征在于，所 述阵列式盐桥排列为8X8或4X 16。
【文档编号】C23F13/22GK104120430SQ201310152359
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月27日 优先权日:2013年4月27日
【发明者】许进, 孙成, 于长坤, 吴堂清, 闫茂成, 龙康 申请人:中国科学院金属研究所