一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法
【专利摘要】本发明公开了一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，采用真空气相沉积工艺将薄膜材料涂覆在超导体薄片的表面上。本发明涂膜厚度小，超导体薄片的导热系数高，涂膜工艺自动化程度高，可以减少手工作业，降低产品成本。
【专利说明】一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法
〔【技术领域】〕
[0001]本发明涉及模切技术，尤其涉及一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法。
〔【背景技术】〕
[0002]随着电子行业的高速发展，很多电子产品，如手机，电脑，平板电视等领域的产品需要高端散热功能，以保证产品高性能及轻、量、薄质感化。例如，手机电池和笔记本电池就需要将超导体薄片粘贴到电池表面上，以达到绝缘和快速散热的作用。
[0003]这种超导体薄片通常采用石墨或石墨烯材料的薄片，通过模切平面成型加工再复膜，复合膜的面积大于薄片面积，成绝缘包边的超导体薄片产品，再由电子企业利用组装治具将超导体薄片产品粘在发热电子部件上。
[0004]传统模切业超导体薄片的加工制作方法，是将超导体薄片表面用专用复合机复上一层薄膜，从而达到绝缘快速导热作用。因为超导体薄片需要快速导热，所以对薄膜的厚度要求极高(越薄越好)，但传统模切业超导体薄片的复膜工艺，薄膜最薄只能做到0.03皿，导热系数只有10001/01过厚的薄膜严重影响发热电子器件的散热速度。
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【发明内容】
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[0005]本发明要解决的技术问题是提供一种涂膜厚度小、超导体薄片导热系数高的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法。
[0006]为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是，一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，采用真空气相沉积工艺将薄膜材料涂覆在超导体薄片的表面上。
[0007]以上所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，所述的超导体薄片材料是石墨或石墨烯，所述的薄膜材料是二甲苯。
[0008]以上所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，将待涂膜的超导体薄片切悬挂孔，用金属线穿过超导体薄片的悬挂孔，将超导体薄片悬挂在气相沉积反应炉中，薄膜材料经升华、裂解、气化后进入气相沉积反应炉中，沉积到超导体薄片的表面上。
[0009]以上所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，所述的薄膜材料是聚对二甲苯，升华步骤的温度是120 1-140 I，压力是1.331^-1.51% ；裂解步骤的温度是650 1 -750 I，压力是1.331^8-1.51% ；气化步骤的温度是1201 -140^0,压力是
1.3311)8-1.51% ；沉积涂层的步骤的温度是251 -281，真空度是
[0010]以上所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，涂膜过程中，气相沉积反应炉保持在振动状态。
[0011]本发明的方法涂膜厚度小，超导体薄片的导热系数高，涂膜自动化程度高，可以减少手工作业，降低产品成本。
〔【专利附图】
【附图说明】〕
[0012]下面结合附图和【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明。
[0013]图1是本发明实施例薄膜材料在气相沉积反应炉中沉积到超导体薄片上的示意图。
[【具体实施方式】]
[0014]本发明导体薄片复合绝缘散热膜的方法，采用真空气相沉积工艺将薄膜材料涂覆在超导体薄片的表面上。本发明可以根据客户的需要选择分子结构、薄膜材质、薄膜性能以及薄膜硬度，从而完成对电子元器件保护及特殊功能要求。
[0015]本发明的超导体薄片材料可以是石墨或石墨烯，薄膜材料是二甲苯。
[0016]通过模切平面成型加工的超导体薄片2切出悬挂孔，用金属线3穿过超导体薄片的悬挂孔，将超导体薄片成串悬挂在气相沉积反应炉1中，薄膜材料经升华、裂解、气化后通过进料口 101进入气相沉积反应炉中，沉积到超导体薄片2的表面上。
[0017]本实施例的薄膜材料是聚对二甲苯(Parylene),通过真空气相沉积设备的离子器把聚对二甲苯升华、裂解^50°C /1.33Mpa)、气化，升华步骤的温度是120°C，压力是1.33Mpa ;裂解步骤的温度是650°C，压力是1.33Mpa ;气化步骤的温度是120°C，压力是1.33Mpa ；
[0018]气化后通过进料口 101进入气相沉积反应炉中，沉积到超导体薄片2的表面上。沉积涂层步骤的温度是25°C，真空度是lOPa-lOla。
[0019]涂膜过程中，气相沉积反应炉保持在振动或晃动状态。以防止超导体薄片相互粘入口 ο
[0020]本发明以上实施例通过对超导体表面极薄(最薄可以达到0.001mm以内)的涂膜，达到超导体薄片的导热系数达到2000W/mk以上，而且涂膜自动化程度高，可以减少手工作业，降低成本。
【权利要求】
1.一种超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，其特征在于，采用真空气相沉积工艺将薄膜材料涂覆在超导体薄片的表面上。
2.根据权利要求1所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，其特征在于，所述的超导体薄片材料是石墨或石墨烯，所述的薄膜材料是二甲苯。
3.根据权利要求2所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，其特征在于，将待涂膜的超导体薄片切悬挂孔，用金属线穿过超导体薄片的悬挂孔，将超导体薄片悬挂在气相沉积反应炉中，薄膜材料经升华、裂解、气化后进入气相沉积反应炉中，沉积到超导体薄片的表面上。
4.根据权利要求3所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，其特征在于，所述的薄膜材料是聚对二甲苯，升华步骤的温度是120°C _140°C，压力是1.33Mpa-l.5Mpa ;裂解步骤的温度是650°C _750°C，压力是1.33Mpa-l.5Mpa ;气化步骤的温度是120°C _140°C，压力是1.33Mpa-l.5Mpa ;沉积涂层的步骤的温度是25°C _28°C，真空度是lOPa-lOla。
5.根据权利要求3所述的超导体薄片复合绝缘散热膜的方法，其特征在于，涂膜过程中，气相沉积反应炉保持在振动状态。
【文档编号】C23C16/44GK104404477SQ201410610409
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年11月3日 优先权日:2014年11月3日
【发明者】许少华 申请人:曾芳勤