1.一种金属薄膜溅射的PVD设备，其特征在于，包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述靶材为TiAl合金靶材。
3.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，所述侧置线圈的材质与溅射靶材的材质相同。
4.根据权利要求3所述的设备，其特征在于，所述侧置线圈及溅射靶材的材质为以下任一种：相同的金属单质、相同的合金成分、相同的组成百分比。
5.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，还包括：与溅射腔室相连接的预加热腔室。
6.一种金属薄膜溅射的PVD工艺，其特征在于，施加给靶材与侧置线圈的射频功率和/或射频频率不同，采用如权利要求1-5中任一项所述的设备，将具有沟槽结构的衬底进行TiAl合金的PVD溅射工艺，其中：
溅射腔室压力范围为10～80mTorr；
惰性气体流量范围为30～100sccm；
衬底温度范围为16～26℃；
靶材表面射频功率范围为500W～1000W，频率为13.56MHz；
基座偏置射频功率范围为2～100W，频率为13.56MHz；
侧置线圈射频功率范围为10～200W，频率为2MHz。
7.根据权利要求6所述的PVD工艺，其特征在于，所述惰性气体为Ar气。
8.根据权利要求6所述的PVD工艺，其特征在于，所述将具有沟槽结构的衬底进行PVD溅射工艺前，还包括：
对衬底进行加热工艺，加热温度范围为150～250℃，加热时间为 30～120S。
9.根据权利要求6所述的PVD工艺，其特征在于，所述工艺条件为：
溅射腔室压力范围为60mTorr；
Ar气体流量范围为50sccm；
衬底温度范围为18℃；
靶材表面射频功率范围为800W，频率为13.56MHz；
基座偏置射频功率范围为10W，频率为13.56MHz；
侧置线圈射频功率范围为100W，频率为2MHz。