1.一种用于半导体处理装置中的喷头，所述喷头包括：
具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面的充气容腔，所述第一表面和所述第二表面至少部分地限定所述喷头的所述充气容腔；
与所述充气容腔流体连通的一个或多个气体入口；
包括多个面板通孔的面板，所述多个面板通孔从所述面板的第一侧延伸至所述面板的第二侧，所述面板的所述第一侧限定所述充气容腔的所述第一表面，所述面板通孔中的每一个具有小于约0.04英寸的直径；以及
挡板，所述挡板邻近所述一个或多个气体入口设置。
2.如权利要求1所述的喷头，其中，所述挡板包括多个挡板通孔。
3.如权利要求2所述的喷头，其中，所述挡板的孔隙率介于约5％和约25％之间。
4.如权利要求1所述的喷头，其中，所述挡板定位在所述充气容腔和所述一个或多个气体入口之间的区域。
5.如权利要求1所述的喷头，其中，所述面板通孔中的每一个的直径介于约0.01英寸和约0.03英寸之间。
6.如权利要求1-5中任一项所述的喷头，其中，所述面板通孔的个数介于约300个和约6000个通孔之间。
7.如权利要求1-5中任一项所述的喷头，其中，所述面板通孔的直径被配置成增加排出所述面板的气体流的空间均匀性。
8.如权利要求1-5中任一项所述的喷头，其中，所述面板通孔的直径被配置成减少从所述面板外侧进入所述充气容腔的等离子体的回流。
9.一种半导体处理站，所述半导体处理站包括如权利要求1-5中任一项所述的喷头。
10.如权利要求9所述的半导体处理站，还包括：
控制器，其配置有指令以执行下列操作：
将衬底提供到所述半导体处理站内；
通过所述喷头将反应物气体引入所述半导体处理站以使其吸附到所述衬底的表面上；
通过所述喷头将清洗气体引入到所述半导体处理站内；以及
施加等离子体以从所述衬底的所述表面上吸附的反应物气体形成薄膜层。