芯片散热用镓液态金属合金及其制造方法与流程

文档序号:11061858阅读:来源:国知局
技术总结
本发明涉及液态金属合金。芯片散热用镓液态金属合金,是采用下述工艺制成的金属合金,步骤一,对原料进行配比称重,原料按以下质量比称重:镓25%~60%、铟10%~30%、铋10%~30%、硼15%~35%、铯5%~40%、钼5%~25%;步骤二,合金熔炼:将锅炉升温至300°,在坩埚中依次放入铟、铋、硼和铯,将坩埚放入锅炉中加热;步骤三,将锅炉的温度调整为250°,然后在坩埚中加入钼,静置10min‑30min,熔化后将表层氧化物除去并搅拌;步骤四,将锅炉的温度调整为150°,然后在坩埚中加入镓;步骤五,自然冷却至室温,得到合金成品。本发明优化了传统的配方能够降低熔点的同时提高散热效果。

技术研发人员:李延民;程亚东
受保护的技术使用者:上海阿莱德实业股份有限公司
文档号码:201611102378
技术研发日:2016.12.05
技术公布日:2017.05.03

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