1.一种用于容纳片状衬底(3)以用于在呈等离子体CVD系统(PECVD)形式的处理装置中对衬底进行处理的设备，其中每个衬底具有前侧以及与该前侧相反的背侧，该设备包括至少一个用于容纳并固定该衬底(3，3’)的容纳设备(5，5’)，其中该容纳设备具有至少两个、尤其多个容纳区域(7)，其特征在于，在每个容纳区域中安排有或能够安排至少两个衬底(3，3’)，其中第一衬底(3)的背侧与第二衬底(3’)的背侧能够直接贴靠或处于直接贴靠，并且其中至少两个容纳区域(5)尤其几乎彼此平行地安排并且借助于绝缘的连接元件(19)而彼此相连接，并且其中这些平行的容纳区域(5)与高频发生器的不同极性的输出端交替地能够连接或相连接。
2.根据权利要求1所述的设备，其特征在于，该设备是用于容纳片状衬底(3)、尤其太阳能电池的等离子体舟(1，1’)。
3.根据权利要求1或2所述的设备，其特征在于，该容纳设备(5，5’)和/或这些容纳区域(7)包括针对在PECVD系统中使用的工艺气体呈惰性的导电的耐高温材料、尤其石墨，或者由该材料组成。
4.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，该容纳设备(5)的这些容纳区域(7)呈U形地形成并且被设计和配置成容纳两个背靠背安排的衬底(3，3’)，其中尤其包括彼此串联和/或并联安排的至少两个U形容纳区域(7)。
5.根据权利要求4所述的设备，其特征在于，这些容纳区域(7)中的至少一个、尤其全部容纳区域包括两个三点支撑件(9)，其中这些三点支撑件分别包括三个针状元件(11，13，15)，并且其中尤其第一针状元件(11)安排于该U形容纳区域的第一侧壁处，第二针状元件(13)安排于该U形容纳区域(7)的与第一侧壁相反的第二侧壁处，并且第三针状元件(15)安排于该U形容纳区域(7)的底部区域处，以用于锁定并电气接触第一衬底(3)，并且在该容纳区域(7)的与该第一衬底(3)相反的一侧上安排有三个针状元件的尤其镜像对称的组件以用于锁定并接触第二衬底。
6.根据权利要求4或5所述的设备，其特征在于，针状元件(11，13，15)插入到这些容纳区域(7)中并且尤其与这些容纳区域一体相连。
7.根据权利要求4至6之一所述的设备，其特征在于，该容纳设备(5)包括至少两个容纳设备元件(5)，其中该至少两个容纳设备元件(5)中的每个具有至少n个串接安排的U形容纳区域(7)，其中n＝1，2，3，4，5，6，7，8，9或更多，其中该至少两个容纳设备元件(5)尤其几乎彼此平行地安排并且借助于绝缘的连接元件(19)而彼此相连接。
8.根据权利要求7所述的设备，其特征在于，这些绝缘的连接元件(19)呈棒状地形成并且尤其包括陶瓷或者由陶瓷组成，其中第一棒状连接元件(19)安排于这些容纳设备元件(5)的第一端的区域内，第二棒状连接元件(19’)安排于这些容纳设备元件(5)的与第一端相反的第二端处，并且至少一个棒状连接元件(19”)安排于两个U形容纳区域(7)之间，尤其在每两个U形容纳区域(7)之间分别安排有一个棒状连接元件(19)。
9.根据前述权利要求之一所述的设备，其特征在于，该容纳设备(5’)包括至少三个接触棒(21，23，25)，这些接触棒尤其垂直地安排于两个相对的导电的板状保持元件(27，29)之间，这些接触棒优选包含石墨或由石墨组成，其中这些接触棒(21，23，25)中的每个包括n个紧固元件(31)，其中n＝1，2，3，4，5，6，7，8，9或更多，并且这些接触棒中的每个被设计并配置成容纳并固定两个成对背靠背地安排的衬底(3，3’)，其中这些紧固元件(31)中的每个与相应的接触棒(21，23，25)的其他紧固元件(31)间隔开，以便形成这些容纳区域(7’)。
10.根据权利要求9所述的设备，其特征在于，这些接触棒(21，23，25)中的至少一个包括安排于两个导电的、尤其包含石墨或由石墨组成的外层(33，35)之间的绝缘层(37)，其中这两个外层(33，35)以不同极性与高频发生器的输出端能够连接或相连接。
11.根据权利要求9或10所述的设备，其特征在于，每三个接触棒(21，23，25)形成一个三点支撑件和/或这些紧固元件(31)以彼此间隔开的夹紧元件的形式形成。
12.根据权利要求9至11之一所述的设备，其特征在于，这些紧固元件(31)均匀间隔开地沿这些接触棒(21，23，25)安排，其中接触棒的紧固元件(31)以交替电绝缘和导电的方式形成或者借助于绝缘装置(39)与该接触棒(21，23，25)相连接。
13.根据权利要求9至12之一所述的设备，其特征在于，这些紧固元件(31)相反地安排于这些接触棒(21，23，25)中的至少一个的第一外层(33)以及与该第一外层(33)相反的第二外层(35)上，并且其中与该第一外层(33)导电连接的紧固元件(31)和未与该第二外层(35)导电地连接的紧固元件(31’)相反地安排，反之亦然，从而成对安排的衬底(3，3’)以交替极性与高频发生器的输出端能够连接或相连接。
14.根据前述权利要求之一所述的设备的用途，用于对太阳能电池进行涂覆，尤其用于以氮化硅减反射涂层、掺杂和/或未掺杂的氧化硅和/或多晶硅对太阳能电池进行涂覆。