技术特征：
技术总结
本发明涉及一种增强太赫兹波的ZnO纳米阵列的制备方法，属于纳米材料制备领域。本发明以负载于硅片的单层PS小球为模板，采用直流磁控溅射的方式将ZnO沉积在单层PS小球模板上得到ZnO镶嵌于PS小球模板的结合物，经退火处理得到ZnO纳米量子点，而后通过水热方法生长制备增强太赫兹波的ZnO纳米阵列；本发明方法对设备要求低，工艺简单；制备的ZnO纳米阵列的阵列结构整齐，提高太赫兹波的激发强度与探测灵敏度；本发明方法为制备纳米阵列结构提供了新的思路，在薄膜太阳能电池、气体传感器、生物传感器等领域也具有广泛的应用前景。
技术研发人员：沈韬;李继强;朱艳;孙淑红
受保护的技术使用者：昆明理工大学
技术研发日：2017.06.02
技术公布日：2017.10.24