本实用新型涉及一种控制系统，具体是涉及一种真空烤盘炉控制系统。
背景技术：
MOCVD(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)即金属有机化合物化学气相沉积，是制备化合物半导体薄膜的一项关键技术。MOCVD设备是研发世界先进水平的S、C、X、K和Q等波段的氮化镓大功率电子器件和高压大功率固体开关器件、高端激光器件及效率可达40％以上的太阳电池等光电子器件不可或缺的。它利用较易挥发的有机物作为较难挥发的金属原子的源反应物，通过载气携带到反应器内，在适当的气压、温度等条件发生化学反应，在加热的衬底基片上外延生长出薄膜。为了达到良好的生长效果，一般需要对MOCVD进行有效的控制，包括气氛条件、尾料处理等，现有的技术难以满足上述控制。
技术实现要素：
有鉴于此，本实用新型的主要目的是提供了一种真空烤盘炉控制系统。
本实用新型采用的技术方案为：
一种真空烤盘炉控制系统，包括
连接真空烤盘炉的预装室，与预装室连接的手套室；
连接真空烤盘炉的主抽阀，该主抽阀的前端管路上设置有压力计，其后端的管路上依次设置有鲁式泵和机械泵；
连接真空烤盘炉的尾料处理系统，该尾料处理系统包括颗粒过滤器、端阀、动力泵以及多级过滤网，所述颗粒过滤器与真空烤盘炉之间设置有依次连接的第一球阀和第二球阀，所述颗粒过滤器通过第三球阀与端阀连接，所述端阀连接动力泵，所述动力泵的后端设置有多级过滤网。
优选的，所述真空烤盘炉的上端分别设置有充气阀、备压阀以及分压阀，所述充气阀、备压阀以及分压阀构成气氛控制系统，该气氛控制系统用于真空烤盘炉内提供气氛或者制程气氛。
优选的，所述颗粒过滤器包括两个并联的颗粒过滤器，一用一备。
本实用新型的有益效果为：
1.可以有效的解决尾料处理，收集的尾料可以再次利用，尾气净化后直接排出；
2.可以有效的进行气氛控制，保证真空烤盘炉不漏气；
3.采用连续性给料的预装室，保证生长原料的供给。
附图说明
图1为本实用新型的系统框架原理图。
其中，附图中的标记名称及标记如下:
真空烤盘炉1、预装室2、手套室3、主抽阀4、鲁式泵5、机械泵6、压力计7、第一球阀8、第二球阀9、颗粒过滤器10、第三球阀11、端阀12、动力泵13、多级过滤网14、充气阀15、备压阀16以及分压阀17。
具体实施方式
下面将结合附图以及具体实施例来详细说明本实用新型，在此本实用新型的示意性实施例以及说明用来解释本实用新型，但并不作为对本实用新型的限定。
参照图1，本实用新型公开了一种真空烤盘炉控制系统，包括
连接真空烤盘炉1的预装室2，与预装室2连接的手套室3；
连接真空烤盘炉1的主抽阀4，该主抽阀4的前端管路上设置有压力计7，其后端的管路上依次设置有鲁式泵5和机械泵6；
连接真空烤盘炉1的尾料处理系统，该尾料处理系统包括颗粒过滤器10、端阀12、动力泵13以及多级过滤网14，所述颗粒过滤器10包括两个并联的颗粒过滤器，一用一备。颗粒过滤器10与真空烤盘炉1之间设置有依次连接的第一球阀8和第二球阀9，所述颗粒过滤器10通过第三球阀11与端阀12连接，所述端阀12连接动力泵13，所述动力泵13的后端设置有多级过滤网14。
所述真空烤盘炉1的上端分别设置有充气阀15、备压阀16以及分压阀17，所述充气阀15、备压阀16以及分压阀17构成气氛控制系统，该气氛控制系统用于真空烤盘炉内提供气氛或者制程气氛，其气体主要为氮气或者氢气。
由于石墨的导热性和耐热性，真空烤盘炉1内的炉壁几乎全部采用石墨材料，加热系统也采用石墨加热，烘烤过程中可以采用氮气或者氢气进行辅助烘烤，采用气氛控制系统可以有效的提供气氛或者制程气氛，尾气通过动力泵13抽出，在抽出过程中采用多级球阀进行流量控制，同时将尾气中夹杂的尾料进行有效的过滤，其过滤装置采用颗粒过滤器10，颗粒过滤器10采用并联式，一用一备，在出现故障或者需要清理时，无需将整个生产系统停用，提高了生产的效率，同时，可以有效的解决尾料处理，收集的尾料可以再次利用，尾气净化后直接排出。
真空烤盘炉1的压力主要来源于动力泵13前端的气流量和尾气后端端阀12的共同作用，气压通过压力计7显示。可以有效的进行气氛控制，保证真空烤盘炉不漏气。
本使用新型采用连续性给料的预装室，保证生长原料的供给。以上对本实用新型实施例所公开的技术方案进行了详细介绍，本文中应用了具体实施例对本实用新型实施例的原理以及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只适用于帮助理解本实用新型实施例的原理；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例，在具体实施方式以及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。