一种数控抛光用三角形抛光模的制作方法

本实用新型涉及光学元件加工技术领域，尤其涉及一种数控抛光用三角形抛光模。

背景技术：

现代光学系统要求日益提高，对光学元件的口径、加工精度、加工效率和生产成本等方面都提出了更高的要求，光学元件加工技术亦日益发展，除了传统的加工技术，还出现了磁场效应辅助加工技术、粒子流加工技术、数控加工技术等现代加工技术。传统的加工技术属于非确定量研抛技术，不能用准确的数学模型描述材料的去除量，只能作定性的推测或量级估算，加工精度依赖于操作者的经验，而数控加工技术的核心内容是计算机控制光学表面成形技术，属于确定量研抛技术。采用小工具抛光模的数控抛光技术是用一个比工件小的抛光模，采用特定的算法，在计算机的控制下，以特定的路径、速度在光学元件表面运动，通过控制抛光模在每一区域的驻留时间，可以精确控制抛光去除量，达到修正误差、提高精度的目的。现有的数控抛光用的抛光模是多是采用在圆形的刚性研磨盘上贴上聚氨酯或者沥青做成。圆形抛光模的边缘去除效率高，导致去除函数边缘不平滑，光学元件表面出现碎带，中频误差增大，降低了加工精度和生产效率。

技术实现要素：

针对现有技术缺陷，本实用新型提供一种数控抛光用三角形抛光模，配合现有的西门子三维数控抛光设备使用，主要用于加工大口径高精度平面光学元件，解决去除函数边缘不平滑，光学元件表面出现碎带，中频误差增大，加工精度不高的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：

本实用新型提供一种数控抛光用三角形抛光模，包括：抛光模基体、缓冲层和抛光层；其中，所述抛光模基体上端粘附所述缓冲层，所述缓冲层上面粘结抛光层；所述抛光模基体和所述缓冲层为圆形，所述抛光层为三角形；所述抛光模基体为紫铜，所述缓冲层为沥青，所述抛光层为带背胶的抛光阻尼布。

所述抛光模基体上端的直径为20-50mm，所述抛光模基体下端带有圆形凹坑，沿所述圆形凹坑径向开有两个槽口。

所述缓冲层的直径与所述抛光模基体上端的直径一致，所述缓冲层的厚度为3-5mm。

所述抛光层为内接于所述缓冲层外圆的等边三角形，所述抛光层表面开有方格槽。

本实用新型的工作过程是：本实用新型配合现有的西门子三维数控抛光设备使用，工作时，所述抛光模基体下端的圆形凹坑与数控抛光设备的铁笔连接，铁笔末端的限位栓卡在沿所述圆形凹坑径向开设的槽口内，所述抛光阻尼布与工件接触，数控抛光设备的铁笔做自转和公转运动，带动抛光模做自转和公转运动。本实用新型的一种数控抛光用三角形抛光模构建的去除函数具有边缘去除效率低、中心高而边缘平滑的特点。

本实用新型的优点是：本实用新型采用圆形抛光模基体、圆形缓冲层和三角形抛光层的结构，构建的去除函数边缘去除效率低，中心去除效率高，解决大口径光学元件数控抛光的边缘效应，减少中频误差，提高加工精度和效率。

附图说明

图1是本实用新型的一种数控抛光用三角形抛光模的俯视图；

图2是本实用新型的一种数控抛光用三角形抛光模的剖视图；

图3是本实用新型的一种数控抛光用三角形抛光模的仰视图；

图中零部件及编号：1-抛光模基体，101-圆形凹坑，102-槽口，2-缓冲层， 3-抛光层。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本实用新型进行进一步说明。

如图1、图2和图3，一种数控抛光用三角形抛光模，包括：抛光模基体1、缓冲层2和抛光层3；其中，所述抛光模基体1上端粘附所述缓冲层2，所述缓冲层2上面粘结抛光层3；所述抛光模基体1和所述缓冲层2为圆形，所述抛光层3为三角形；所述抛光模基体1为紫铜，所述缓冲层2为沥青，所述抛光层3为带背胶的抛光阻尼布。

所述抛光模基体1上端的直径为20-50mm，所述抛光模基体1下端带有圆形凹坑101，沿所述圆形凹坑101径向开有两个槽口102。

所述缓冲层2的直径与所述抛光模基体1上端的直径一致，所述缓冲层2的厚度为3-5mm。

所述抛光层3为内接于所述缓冲层2外圆的等边三角形，所述抛光层3表面开有方格槽。

本实用新型的工作过程是：本实用新型配合现有的西门子三维数控抛光设备使用，工作时，所述抛光模基体1下端的圆形凹坑101与数控抛光设备的铁笔连接，铁笔末端的限位栓卡在沿所述圆形凹坑101径向开设的槽口102内，所述抛光阻尼布与工件接触，数控抛光设备的铁笔做自转和公转运动，带动抛光模做自转和公转运动。本实用新型的一种数控抛光用三角形抛光模构建的去除函数具有边缘去除效率低、中心高而边缘平滑的特点。

以上所述仅为本实用新型实施例，并非因此限定本实用新型的专利范围，凡是利用本说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围之内。