技术特征：
技术总结
本发明公开了一种高介电常数的纳米叠层介电薄膜及其制备方法，属于介电薄膜材料技术领域。本发明通过ALD沉积的方法，控制生长的工艺参数，把两种本身介电常数都很低的材料以纳米叠层的形式组合起来，利用界面处的电荷极化效应，可以获得介电常数几十倍的提升；本发明提供的纳米叠层介电薄膜材料包括缓冲层、(a‑ZnO/b‑Al2O3)n纳米叠层和顶电极的电荷阻挡层，具有尺寸小、介电常数高、工作频率高的优点。
技术研发人员：毕晓昉;李进;徐策
受保护的技术使用者：北京航空航天大学
技术研发日：2018.04.18
技术公布日：2018.09.28