1.一种B4C-HEAs梯度材料，其特征在于，所述B4C-HEAs梯度材料由N层材料烧结为一体结构，其中N≥5，N层材料自上而下由富陶瓷层通过多个中间层逐步过渡到富金属层，每层的HEAs质量呈梯度上升变化，所述HEAs是由机械合金方法制备的合金粉末，所述富陶瓷层的HEAs含量为1wt％～50wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C；所述富金属层的HEAs含量为50wt％～100wt％，硅的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C。
2.如权利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料，其特征在于，相邻两层之间HEAs含量的变化量为1wt％～10wt％，相邻两层之间B4C含量的变化量为1wt％～10wt％。
3.如权利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料，其特征在于，每层厚度1mm～10mm。
4.如权利要求1所述的B4C-HEAs梯度材料，其特征在于，所述HEAs是以Co、Cr、Fe、Ni、Al、Cu、Zn、Ti、Mn、Zr、Ta、Sn、Y、Mo、V、Nb、W、Ir、Cd元素中选取五种或五种以上以等原子比混合后制备而得。
5.如权利要求1至4任一项所述的B4C-HEAs梯度材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)混料步骤：
将N份原料分别倒入混料罐，利用滚筒球磨机混料，混合后的料浆干燥过筛后得到N份混合料，N≥5；N份原料中，第1份原料的组成为：HEAs合金粉体含量为1wt％～50wt％，硅粉的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C粉；第N份原料的组分比为：HEAs合金粉体含量为50wt％～100wt％，硅粉的含量为0wt％～5wt％，其余为B4C粉；
自第1份原料到第N份原料，每份原料的HEAs合金粉体含量呈梯度上升变化，相邻两份原料的HEAs合金粉体含量的变化量为1wt％～10wt％；
(2)分段烧结步骤：
将所述N份混合料按照HEAs合金粉体含量递增的顺序，分为2M-1组，M＝2～4，其中，各偶数组仅包括1份混合料，各奇数组包括多份混合料，将M个奇数组分别置入M个石墨模具中，在各石墨模具中，按照HEAs合金粉体含量递增的顺序，将各份混合料依次铺层，混合料与石墨模具之间以石墨纸隔开；
然后将填充混合料的M个石墨模具分别在1000℃～1800℃的不同温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结，得到M个烧结料；
(3)连接步骤：
按照HEAs合金粉体含量递增的顺序，将对应1号组和3号组的两个烧结料中间夹以2号组的混合料，置于石墨模具中，在1500℃～1700℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结，得到多层梯度材料；若M＝2，则连接结束，所述多层梯度材料即为制得的梯度材料；若M＞2，继续按照HEAs合金粉体含量递增的顺序，将所述多层梯度材料和对应5号组的烧结料中间夹以4号组的混合料，置于石墨模具中，在1200℃～1600℃温度下进行热压烧结或放电等离子体烧结；
如此继续，直至将对应第2M-1组的烧结料进行热压烧结或放电等离子体烧结，最后烧结温度为1100℃～1500℃，得到梯度材料。
6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述混料步骤中，所述HEAs合金粉体纯度大于或等于99.5％，粒度为325目，其中氧含量小于或等于0.3％；所述硅粉纯度大于或等于99.999％，粒度为325目，含氧量小于或等于0.001wt％；所述B4C粉纯度大于或等于99.0％，平均粒径1-10μm，含氧量小于或等于0.6wt％。
7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述混料步骤中，利用滚筒球磨机混料的条件为：介质为无水乙醇和玛瑙球，球料比为4:1～10:1，转速为60转/分钟～120转/分钟，总时间为12小时～24小时。
8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述分段烧结步骤和连接步骤中：
采用热压烧结的参数为：升温速率10℃/min～20℃/min，压力30Mpa～50Mpa，气氛为真空，保温1小时～2小时；
采用放电等离子体烧结的参数为：升温速率100℃/min～200℃/min，压力为30Mpa～50Mpa，气氛为真空，保温时间为5分钟～10分钟。
9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，各奇数组中，各份混合料的HEAs合金粉体含量的变化量在20wt％之内。
10.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，石墨模具所填充混合料中HEAs合金粉体含量越高，烧结温度越低。