技术特征：
技术总结
公开了一种通过循环沉积在衬底上沉积金属硫族化物的方法。所述方法使所述衬底与至少一种含金属的气相反应物接触，所述气相反应物包括由式M‑O‑C表示的部分化学结构，其中金属(M)原子键结至氧(O)原子，并且所述氧(O)原子键结至碳(C)原子；并使所述衬底与至少一种含硫族元素的气相反应物接触。还提供了包含由本公开的方法沉积的金属硫族化物的半导体装置结构。
技术研发人员：M·马蒂内恩;M·瑞塔拉;M·雷斯克拉
受保护的技术使用者：ASMIP控股有限公司
技术研发日：2018.09.27
技术公布日：2019.04.19