1.一种沉积腔室，其特征在于，包括至少两排金属蒸发源和至少一排非金属蒸发源；
每排所述金属蒸发源包括至少两种金属蒸发源；
沿着所述沉积腔室的幅长方向，所述至少两排金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的两侧，且每排所述金属蒸发源成直线排布；每排所述金属蒸发源的总数量为8个。
2.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，每排所述金属蒸发源包括镓ga蒸发源、铟in蒸发源和铜cu蒸发源；或/和所述非金属蒸发源为se蒸发源；
在相邻两排所述金属蒸发源之间设置至少一排所述非金属蒸发源。
3.根据权利要求1所述的沉积腔室，其特征在于，沿着所述沉积腔室的幅长方向，至少两排所述金属蒸发源分别设置于所述沉积腔室的底部；或/和
每排相邻两个所述金属蒸发源之间设置有间隙；或/和
所述非金属蒸发源为1～5排；或/和
每排相邻两个所述非金属蒸发源之间具有间隙，每排所述非金属蒸发源的个数为3～18个。
4.根据权利要求1～3任一项所述的沉积腔室，其特征在于，沿所述沉积腔室的幅长方向，每排所述金属蒸发源的排布顺序依次为：
cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
cu蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
cu蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，ga蒸发源，；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
ga蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，in蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源；或者
in蒸发源，cu蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，in蒸发源，；或者
in蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，cu蒸发源，in蒸发源，ga蒸发源，cu蒸发源。
5.根据权利要求1～3任一项所述的沉积腔室，其特征在于，所述cu蒸发源的中心线、in蒸发源的中心线和ga蒸发源的中心线与参考线之间的夹角为20-45度，所述参考线为垂直于所述沉积腔室的底部的直线。
6.一种镀膜设备，其特征在于，包括权利要求1～5任一项所述的沉积腔室；或/和
所述镀膜设备包括前处理腔室或/和后处理腔室，所述前处理腔室或/和所述后处理腔室中设置有碱金属化合物蒸发源。
7.根据权利要求6所述的镀膜设备，其特征在于，所述沉积腔室设置于所述前处理腔室与所述后处理腔室之间；且在所述前处理腔室与所述沉积腔室之间或/和在所述沉积腔室和所述后处理腔室之间设置加热腔室。
8.一种镀膜方法，应用于权利要求6或7任一项所述的镀膜设备，其特征在于，所述方法包括：
控制沉积腔室的温度达到预设温度阈值，在沉积腔室中通过沉积工艺在玻璃衬底的表面沉积，形成cigs薄膜。
9.根据权利要求8所述的镀膜方法，其特征在于，所述控制沉积腔室的温度达到预设温度阈值，在沉积腔室中通过沉积工艺在玻璃衬底的表面沉积，形成cigs薄膜之前，还包括：在所述玻璃衬底表面进行碱金属的前处理步骤；或/和
所述控制沉积腔室的温度达到预设温度阈值，在沉积腔室中通过沉积工艺在玻璃衬底的表面沉积，形成cigs薄膜之后，还包括：在所述cigs薄膜的表面进行碱金属的后处理步骤。
10.根据权利要求8或9所述的镀膜方法，其特征在于，所述预设温度阈值为200-600℃。