一种上镀膜设备中的石墨框的制作方法

本实用新型属于太阳能电池制造领域，具体地说，涉及一种上镀膜设备中的石墨框。

背景技术：

随着全球能源日益紧张，太阳能作为新兴的可再生能源得到了广泛的重视和大力的发展。太阳能电池是一种利用太阳光直接发电的光电半导体薄片，它可以通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能。只要被满足一定照度条件的光照到，太阳能电池瞬间就可输出电压及在有回路的情况下产生电流。

为了提高太阳能电池的光电转换效率，研究人员正在对太阳能电池生产的各个环节进行研发。在太阳能电池生产过程中，需要对硅片进行镀膜操作。目前常用的镀膜方法分为上镀膜和下镀膜。

采用上镀膜设备进行太阳能电池生产时，需要通过接触硅片表面，将硅片从上料端移载到石墨框托盘中进行成膜操作。由于工艺限制，在镀膜前和镀膜后只能采用特殊的硬材质对硅片的移载才能取得较好的效果，因此目前常用移载方法是采用正压吸盘吸附硅片，并在距离石墨框托盘一定高度时进行放片。

由于上镀膜工艺的特殊性，石墨框托盘的片槽是非镂空的，这样会存在气垫效应进而导致将硅片放置在片槽上时产生偏移。在将硅片从上料端移载到石墨框托盘中时，如果硅片位置不正，需要手动调整硅片位置，将其摆正。不但浪费人力，而且手工操作误差大。而且如果硅片位置没有调整到位，会产生碎片，导致返工率上升，提高了生产成本。镀膜后，将硅片从石墨框托盘移载至下料端时，由于石墨框片槽底部气流对硅片有吸附力，且硅片容易刮到片槽边缘，也会使硅片的碎片率上升。

因此，急需一种能够降低硅片碎片率，节约人力成本和生产生本的用于上镀膜设备中的石墨框。

技术实现要素：

为了解决现有技术中，上镀膜设备中的石墨框所存在的缺陷，本实用新型提供了一种上镀膜设备中的石墨框。

根据本实用新型的一个方面，提供一种上镀膜设备中的石墨框，所述石墨框包括：片槽和片间档条；

所述片槽设置于所述石墨框上，用于承载硅片；

所述片间档条设置于所述片槽四周，用于隔挡放置于所述片槽上的硅片；

所述片间档条的隔挡硅片侧设置有倒角区。

根据本实用新型的一个具体实施方式，所述倒角区的斜边与水平线所呈角度在20°～60°之间。

根据本实用新型的另一个具体实施方式，所述倒角区的斜边与水平线所呈角度为30°。

根据本实用新型的又一个具体实施方式，所述倒角区在水平方向的投影长度不超过其所在的所述片间档条的宽度的25％。

根据本实用新型的又一个具体实施方式，所述倒角区在水平方向的投影长度为其所在的所述片间档条的宽度的20％。

根据本实用新型的又一个具体实施方式，所述片槽的尺寸大于所述硅片。

本实用新型通过在片间挡条的隔挡硅片侧设置倒角区，实现对上料时产生的气垫效应进行排气，并取得了良好的排气效果；同时，倒角区的设置还能够解除对下料时片槽和硅片之间的吸附力，并取得良好的解除效果。在上镀膜设备中采用本实用新型提供的石墨框能够在保障工艺流程的前提下改善硅片传输的准确性，减少因硅片放置不准导致碎片和返工，提高了生产效率，降低了生产成本。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本实用新型的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1所示为根据本实用新型提供的一种上镀膜设备中的石墨框的一个具体实施方式的俯视图；

图2所示为根据本实用新型提供的一种上镀膜设备中的石墨框的一个具体实施方式的截面图。

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本实用新型的不同结构。为了简化本实用新型的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。此外，本实用新型可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本实用新型省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本实用新型。

参考图1，图1所示为根据本实用新型提供的一种上镀膜设备中的石墨框1的一个具体实施方式的俯视图。该石墨框1包括：片槽2和片间档条3。所述片槽2设置于所述石墨框1上，用于承载硅片。为了更好的承载硅片，优选的，所述片槽2的尺寸大于所述硅片。所述片间档条3设置于所述片槽2四周，用于隔挡放置于所述片槽2上的硅片。图1所示的石墨框1上，片槽2规则设置，横向设置的片间档条3和纵向设置的片间档条3相互垂直。

在上料时，需要用正压吸盘将硅片吸附起来，并移载到片槽2上，硅片和片槽2之间会产生气垫效应，气垫效应会影响硅片的放置角度，使硅片发生偏移。而在下料时，片槽2的底部气流又会对硅片产生吸附力，吸附力的存在容易造成硅片的破碎。

为了克服现有的上镀膜设备中的石墨框1在上料和下料时存在的缺陷，在所述片间档条3的隔挡硅片侧设置有倒角区，如图2所示。所述倒角区的斜边与水平线所呈角度在20°～60°之间，在上述角度区间设置的倒角区可以使更好实现排气以缓解气垫效应的影响，对吸附力也会有很好的解除效果。更为优选的，在反复研究试验后发现，当所述倒角区的斜边与水平线所呈角度为30°时，对气垫效应的缓解和对吸附力的解除效果最佳。

在对角度进行限定的同时，还需要对倒角区的其他尺寸进行限定，从而达到对硅片传输准确性的提高。优选的，所述倒角区在水平方向的投影长度不超过其所在的所述片间档条3的宽度的25％。更为优选的，所述倒角区在水平方向的投影长度为其所在的所述片间档条3的宽度的20％。

本实用新型通过在片间档条3上设置倒角区，能够使上料时产生的气垫效应得到缓解；使下料时产生的吸附力得到有效解除；在不影响镀膜工艺的前提下改善了硅片传输的准确性，减少了因硅片放置不准而导致的碎片率和返工率；提高了生产效率，降低了生产成本。

虽然关于示例实施例及其优点已经详细说明，应当理解在不脱离本实用新型的精神和所附权利要求限定的保护范围的情况下，可以对这些实施例进行各种变化、替换和修改。对于其他例子，本领域的普通技术人员应当容易理解在保持本实用新型保护范围内的同时，工艺步骤的次序可以变化。