薄膜沉积设备及薄膜沉积方法、显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法、显示装置。

背景技术：

在oled(organiclight-emittingdiode，有机发光二极管)显示装置的制造过程中，需要对oled器件进行封装以阻隔水氧侵入，因此封装工艺是保证oled显示装置具有一定使用寿命的关键工艺。

在oled器件的封装中，通常在oled器件上方形成覆盖oled器件的封装薄膜。在对oled器件封装的工艺中，pecvd(plasmaenhancedchemicalvapordeposition，等离子体增强化学气相沉积法)工艺因能够在较低温度下沉积成膜，已成为oled器件封装中的一种重要的工艺。

现有技术中，采用pecvd工艺制备封装薄膜时，射频电源的频率越高、沉积成膜的温度越高，所得到的封装薄膜的封装效果越好，然而较高的射频电源的频率和成膜的温度会对oled器件造成一定程度的损害，导致oled显示装置的使用寿命缩短。

技术实现要素：

针对上述现有技术中的问题，本发明的实施例提供一种薄膜沉积设备及薄膜沉积方法、显示装置，以在保证薄膜的封装效果的同时，提高oled显示装置的使用寿命。

为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：

第一方面，本发明的实施例提供了一种薄膜沉积设备，包括反应腔室，还包括至少两套成膜机构，所述至少两套成膜机构分别对应待成膜基板的至少两个成膜区域；每套所述成膜机构配置为在所述反应腔室内形成一种成膜环境，且各套所述成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能或薄膜参数不同的薄膜。

由于上述薄膜沉积设备包括至少两套成膜机构，并且各套成膜机构所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，因此上述薄膜沉积设备能够同时提供至少两种不同的成膜环境，从而能够在待成膜基板的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜：在对封装效果要求较高、对oled器件保护性要求较低的区域进行封装时，采用封装效果较好的成膜环境，以形成阻隔水氧的性能较好的薄膜；在对封装效果要求较低、对oled器件保护性要求较高的区域进行封装时，采用对oled器件损害较低的成膜环境，以降低成膜过程中对oled器件的损害。在保证了薄膜的封装效果的同时，延长了oled显示装置的使用寿命。

基于上述技术方案，可选的，每套所述成膜机构包括设置于所述反应腔室顶部的供气结构，各套所述成膜机构的供气结构配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的反应气体。

可选的，每套所述成膜机构包括：供电电源，各套所述成膜机构的供电电源配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的射频电压；设置于所述反应腔室内且相对设置的上部电极和下部电极，所述上部电极与所述供电电源相连，各套所述成膜机构的上部电极互相绝缘，各套所述成膜机构的上部电极相互绝缘或配置为同一个电极。

可选的，每套所述成膜机构包括设置于所述反应腔室内的加热器，各套所述成膜机构的加热器配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的成膜温度。

可选的，所述薄膜沉积设备还包括设置于所述反应腔室内的隔离结构，所述隔离结构设置于相邻的所述成膜区域之间，用于隔离相邻的所述成膜机构所形成的成膜环境。

可选的，所述隔离结构为阻挡板，所述阻挡板垂直于所述待成膜基板设置，所述阻挡板的靠近所述待成膜基板的一侧与所述待成膜基板之间具有预设距离，所述阻挡板的远离所述待成膜基板的一端连接于所述反应腔室的顶部的内壁。

可选的，所述薄膜沉积设备包括第一成膜机构和第二成膜机构；所述待成膜基板包括第一成膜区域和第二成膜区域，所述第一成膜区域围绕所述第二成膜区域，所述第一成膜机构与所述第一成膜区域对应，所述第二成膜机构与所述第二成膜区域对应；所述第一成膜机构包括第一供气结构、第一供电电源、第一上部电极、第一下部电极和第一加热器；所述第一上部电极和所述第一下部电极相对设置，所述第一上部电极与所述第一供电电源相连；所述第二成膜机构包括第二供气结构、第二供电电源、第二上部电极、第二下部电极和第二加热器；所述第二上部电极和所述第二下部电极相对设置，所述第二上部电极与所述第二供电电源相连；所述第一供气结构围绕所述第二供气结构；所述第一上部电极围绕所述第二上部电极；所述第一下部电极围绕所述第二下部电极，或者所述第一下部电极与所述第二下部电极配置为同一个电极；所述第一加热器围绕所述第二加热器。

第二方面，本发明的实施例提供了一种薄膜沉积方法，包括：将待成膜基板放置于如第一方面所提供的的薄膜沉积设备的反应腔室内，将所述待成膜基板的至少两个成膜区域与所述薄膜沉积设备的至少两套成膜机构对位；使所述至少两套成膜机构分别形成成膜环境，各套所述成膜机构所形成的成膜环境至少有一项工艺参数不同；在所述待成膜基板上沉积形成薄膜，所述薄膜包括至少两个部分，所述至少两个部分的薄膜性能不同。

上述薄膜沉积方法所能产生的有益效果与第一方面所提供的薄膜沉积设备的有益效果相同，此处不再赘述。

基于上述技术方案，可选的，所述至少有一项工艺参数不同包括反应气体的流量不同、反应气体的气体比例不同、射频电压的频率不同、射频电压的功率不同和成膜温度不同中的至少一项。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括显示基板，所述显示基板包括显示区域和包围所述显示区域的四周区域，所述显示装置还包括设置于所述显示基板上的薄膜，所述薄膜包括覆盖所述四周区域的第一部分和覆盖所述显示区域的第二部分，所述第一部分的水氧阻隔性能高于所述第二部分，所述第二部分的光透过性能高于所述第一部分。

上述显示装置产生的有益效果与第二方面所提供的薄膜沉积方法的有益效果相同，此处不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的第一种结构示意图；

图2为本发明实施例中待成膜基板的俯视图；

图3为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的第二种结构示意图；

图4为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的供气结构的仰视图；

图5为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的上部电极的仰视图；

图6为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的下部电极的俯视图；

图7为本发明实施例所提供的薄膜沉积设备的加热器的俯视图。

附图标记说明：

100-薄膜沉积设备；200-待成膜基板；

1-成膜机构；101-供气结构；

102-供电电源；103-上部电极；

104-下部电极；105-加热器；

2-第一成膜机构；201-第一供气结构；

202-第一供电电源；203-第一上部电极；

204-第一下部电极；205-第一加热器；

3-第二成膜机构；301-第二供气结构；

302-第二供电电源；303-第二上部电极；

304-第二下部电极；305-第二加热器；

4-排气管；5-节流阀；

6-真空排气泵；7-反应腔室；

8-隔离结构。

具体实施方式

oled器件中的有机发光材料对于水氧十分敏感，接触水氧后极易被腐蚀，致使oled显示装置失效，因此需要对oled器件进行有效的封装，以延长oled显示装置的使用寿命。

在相关技术中，oled显示装置的上、下两侧设置有基板或盖板。本发明的发明人经研究发现，由于上述基板或者盖板能够有效地阻止水氧从oled显示装置的上、下表面侵入，因此水氧会从oled显示装置的上、下基板之间的封装薄膜的四周边缘部分(也即oled器件的显示区域的四周区域)侵入，而后逐步向中间部分(也即oled器件的显示区域)渗透。当水氧渗透至oled显示装置中oled器件的显示区时，有机发光层被腐蚀，oled显示装置失效。因此，提高上述四周区域的薄膜的阻隔水氧的性能，能够有效提升oled显示装置的封装效果。

基于上述研究，本发明的发明人提出如下技术方案：将制备薄膜的薄膜沉积设备的成膜机构设置为至少两套，使oled器件的显示区域和该显示区域的四周区域分别对应独立的成膜机构，从而在上述显示区域和上述四周区域分别形成不同的成膜环境：在上述显示区域采用对oled器件损害较低的成膜环境，诸如较低频率的射频电源或较低的成膜温度，以降低成膜过程中对oled器件的损害；在上述四周区域采用封装效果较好的成膜环境，以形成阻隔水氧性能较好的薄膜，有效阻隔从四周区域入侵的水氧。

以上是本发明技术方案的核心思想，为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细描述。

本发明的实施例提供了一种薄膜沉积设备，如图1所示，薄膜沉积设备100包括反应腔室7，还包括至少两套成膜机构1。如图2所示，上述至少两套成膜机构1分别对应待成膜基板200的至少两个成膜区域aa、bb，每套成膜机构1配置为在反应腔室6内形成一种成膜环境，且各套成膜机构1所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，以分别在对应的成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。

需要说明的是，成膜环境的工艺参数包括反应气体的流量、反应气体的气体比例、射频电压的频率、射频电压的功率和成膜温度等。

由于上述薄膜沉积设备100包括至少两套成膜机构1，并且各套成膜机构1所形成的成膜环境中至少一项工艺参数不同，因此上述薄膜沉积设备100能够同时提供至少两种不同的成膜环境，从而能够在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。

当某一成膜区域对所形成的薄膜的封装效果要求较高，且对oled器件保护性要求较低时，与该成膜区域对应的成膜机构采用封装效果较好的成膜环境，以在该成膜区域形成阻隔水氧性能较好的薄膜；当某一成膜区域对所形成的薄膜的封装效果要求较低，且对oled器件保护性要求较高时，与该成膜区域对应的成膜机构采用对oled器件损害较低的成膜环境，以降低成膜过程中对oled器件的损害。因此，薄膜沉积设备100在保证了薄膜的封装效果的同时，也降低了oled器件封装过程中对于oled器件的损害，延长了oled显示装置的使用寿命。

基于上述技术方案，在本发明所提供的一些实施例中，如图1所示，每套成膜机构1可以包括设置于反应腔室7顶部的供气结构101，各套成膜机构1的供气结构101配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的反应气体。

在上述薄膜沉积设备100中，可以通过使供气结构101提供不同的反应气体，使各套成膜机构1的与反应气体相关的工艺参数不同，从而可以在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。示例性的，可以使各套成膜机构1的供气结构101提供气体比例不同的反应气体，从而使所形成薄膜的成分比例不同，继而在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。

需要指出的是，上述“顶部”指的是反应腔室7的朝向待成膜基板200的待成膜一面的一端。示例性的，可以将上述供气结构101设置在反应腔室7顶部的内壁上。作为另一个示例，参见图1，也可以将上述供气结构101嵌装在反应腔室7顶部的内壁上，这样供气结构101构成反应腔室7顶部的内壁的一部分。

在本发明所提供的一些实施例中，如图1所示，每套成膜机构1包括：供电电源102，及设置于反应腔室7内且相对设置的上部电极103和下部电极104，各套成膜机构1的供电电源102配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的射频电压，上部电极103与供电电源102相连，各套成膜机构1的上部电极103互相绝缘，各套成膜机构1的下部电极104相互绝缘或配置为同一个电极。

在上述薄膜沉积设备100中，利用供电电源102提供不同的射频电压，从而可以在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。示例性的，可以利用各套成膜机构1的供电电源102提供功率不同的射频电压，使所形成薄膜的厚度不同，从而在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。

在本发明所提供的一些实施例中，作为一种可能的设计，如图1所示，每套成膜机构1包括设置于反应腔室7内的加热器105，各套成膜机构1的加热器105配置为相互独立地提供相应成膜环境所需要的成膜温度。

在上述薄膜沉积设备100中，利用加热器105提供不同的成膜温度，从而可以在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。示例性的，可以利用各套成膜机构1的加热器105提供不同的成膜温度，使所形成薄膜的致密度不同，从而在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜。

在本发明所提供的一些实施例中，如图1～2所示，薄膜沉积设备100还可以包括设置于反应腔室7内的隔离结构8，隔离结构8设置于相邻的成膜区域aa、bb之间，用于隔离相邻的成膜机构1所形成的成膜环境，从而进一步保证相邻的成膜机构1所形成的成膜环境相互独立，减少不同成膜区域内的成膜环境互相干扰，提升了成膜效果。

作为隔离结构8的一种可能的设计，如图1所示，隔离结构8可以为阻挡板，阻挡板垂直于待成膜基板200设置，阻挡板的靠近待成膜基板200的一端与待成膜基板200之间具有预设距离d，以保证阻挡板不影响所形成薄膜的连续性，阻挡板的远离待成膜基板200的一端连接于反应腔室7的顶部的内壁。优选的，上述阻挡板在待成膜基板200上的正投影围绕成膜区域bb。

以下将以成膜机构包括第一成膜机构和第二成膜机构、待成膜区域包括第一成膜区域和第二成膜区域为例，对上述薄膜沉积设备进行详细的说明。

在一些实施例中，如图2、3所示，薄膜沉积设备100可以包括第一成膜机构2和第二成膜机构3，待成膜基板200可以包括第一成膜区域aa和第二成膜区域bb，第一成膜区域aa围绕第二成膜区域bb，第一成膜机构2与第一成膜区域aa对应，第二成膜机构3与第二成膜区域bb对应。

第一成膜机构2可以包括第一供气结构201、第一供电电源202、第一上部电极203、第一下部电极204和第一加热器205，第一上部电极203和第一下部电极204相对设置，第一上部电极203与第一供电电源202相连。

第二成膜机构3可以包括第二供气结构301、第二供电电源302、第二上部电极303、第二下部电极304和第二加热器305，第二上部电极303和第二下部电极304相对设置，第二上部电极303与第二供电电源302相连。

如图3、4所示，第一供气结构201可以围绕第二供气结构301。

如图3、5所示，第一上部电极203可以围绕第二上部电极303。需要指出的是，第一上部电极203与第二上部电极303互相绝缘，以保证第一成膜机构2与第二成膜机构3相互独立地提供成膜所需的射频电压。

如图3、6所示，第一下部电极204与第二下部电极304可以配置为同一个电极；或者，第一下部电极204可以围绕第二下部电极304。示例性的，第一下部电极204和第二下部电极304可以设置为接地。

如图3、7所示，第一加热器205可以围绕第二加热器305。

下面将参照图2、3，对上述薄膜沉积设备进行详细的说明。图2中第二成膜区域bb与待封装的oled器件的显示区域对应，第一成膜区域aa与上述显示区域的四周区域对应。也就是说，第一成膜区域aa内需要形成阻隔水氧性能较好的薄膜，第二成膜区域bb需要在形成薄膜的过程中降低对oled器件的损害。此外，显示区域的薄膜需要有较好的光透过性能，也就是说第二成膜区域bb内需要形成光透过性能较好的薄膜。

作为一种示例，可以将第一供气结构201的气体流量调节为较大，将第二供气结构301的气体流量调节为较小，从而控制不同成膜区域内薄膜的沉积速度，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的厚度大于第二成膜区域bb。所形成的薄膜的厚度越大，其阻隔水氧的性能越好；所形成的薄膜的厚度越小，其光透过性能越好。

作为一种示例，可以通过调节第一供气结构201和第二供气结构301的反应气体的气体比例，控制不同成膜区域内薄膜的成分比例，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的水蒸气透过率较差，使第二成膜区域bb内形成的薄膜的透光率较好。所形成的薄膜的水蒸气透过率越差，其阻隔水氧的性能越好；所形成的薄膜的透光率越好，其光透过性能越好。

作为一种示例，可以将第一供电电源202的射频电压的频率调节为较高，将第二供气结构301的射频电压的频率调节为较低，从而控制不同成膜区域内薄膜的致密度，降低成膜过程中对第二成膜区域bb的oled器件的损害的同时，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度大于第二成膜区域bb。所形成的薄膜的致密度越大，其阻隔水氧的性能越好；所形成的薄膜的致密度越小，其光透过性能越好。

作为一种示例，可以将第一供电电源202的射频电压的功率调节为较高，将第二供气结构301的射频电压的功率调节为较低，从而控制不同成膜区域内薄膜的沉积速度，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的厚度大于第二成膜区域bb。所形成的薄膜的厚度越大，其阻隔水氧的性能越好；所形成的薄膜的厚度越小，其光透过性能越好。

作为一种示例，可以将第一加热器205的成膜温度调节为较高，将第二加热器305的成膜温度调节为较低，从而控制不同成膜区域内薄膜的致密度，降低成膜过程中对第二成膜区域bb的oled器件的损害的同时，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度大于第二成膜区域bb。所形成的薄膜的致密度越大，其阻隔水氧的性能越好；所形成的薄膜的致密度越小，其光透过性能越好。

需要说明的是，在本发明的一些实施例中，上述薄膜沉积设备200还可以包括一端连通于反应腔室7的排气管4，及设置在排气管4上的节流阀5，以及与排气管4的另一端相连的真空排气泵6。其中，节流阀5和真空排气泵6能够调节反应腔室7内的反应气体的气压，从而控制薄膜的沉积速度。

本发明的实施例还提供了一种薄膜沉积方法，包括以下步骤：

s1.将待成膜基板放置于上述薄膜沉积设备100的反应腔室7内，将待成膜基板200的至少两个成膜区域与薄膜沉积设备100的至少两套成膜机构1对位。

s2.使至少两套成膜机构1分别形成成膜环境，各套成膜机构1所形成的成膜环境至少有一项工艺参数不同。

s3.在待成膜基板200上沉积形成薄膜，所形成的薄膜包括至少两个部分，该至少两个部分的薄膜性能不同。

由于上述薄膜沉积方法中，能够同时采用至少两种成膜环境在待成膜基板200上沉积形成薄膜，从而能够在待成膜基板200的不同成膜区域形成薄膜性能不同的薄膜：在对封装效果要求较高、对oled器件保护性要求较低的区域进行封装时，采用封装效果较好的成膜环境，以形成阻隔水氧的性能较好的薄膜；在对封装效果要求较低、对oled器件保护性要求较高的区域进行封装时，采用对oled器件损害较低的成膜环境，以降低成膜过程中对oled器件的损害。在保证了薄膜的封装效果的同时，延长了oled显示装置的使用寿命。

在一些实施例中，作为一种可实现方式，上述至少有一项工艺参数不同可以包括反应气体的流量不同、反应气体的气体比例不同、射频电压的频率不同、射频电压的功率不同和成膜温度不同等中的至少一项。

下面将以图2为例进行详细说明，图2中第二成膜区域bb与待封装的oled器件的显示区域对应，第一成膜区域aa与上述显示区域的四周区域对应。也就是说，第一成膜区域aa内需要形成阻隔水氧性能较好的薄膜，第二成膜区域bb需要在形成薄膜的过程中降低对oled器件的损害。此外，显示区域的薄膜需要有较好的光透过性能，也就是说第二成膜区域bb内需要形成光透过性能较好的薄膜。

本发明的一些实施例中，在薄膜的其他参数(例如水蒸气透过率，watervaportransmissionrate，简称wvtr)不变的情况下，所形成的薄膜的厚度越大，水氧越不容易从薄膜中透过，即薄膜的阻隔水氧性能越好。此外，在薄膜的其他参数(例如透光率)不变的情况下，所形成的薄膜的厚度越小，对射向该薄膜的光的吸收越弱，其光透过性能越好。因此，可以使第一成膜区域aa内形成的薄膜的厚度大于第二成膜区域bb内形成的薄膜的厚度。

作为一种可实现的方式，可以使第一成膜区域aa的反应气体的流量大于第二成膜区域bb的反应气体的流量，从而使第一成膜区域aa内的薄膜的沉积速度大于第二成膜区域bb内的薄膜的沉积速度。薄膜沉积完成后，第一成膜区域aa内形成的薄膜的厚度大于第二成膜区域bb内形成的薄膜的厚度。示例性的，所形成的薄膜可以为氮化硅薄膜，上述反应气体可以包括硅烷、氨气、氢气和氮气，当硅烷和氢气的气体比例确定时，可以通过调节氨气的气体流量来改变所形成的薄膜的厚度。

在封装完成后，oled器件的显示区域对应的薄膜的光透过性能较好，该显示区域的四周区域对应的薄膜的阻隔水氧性能较好。因此，上述薄膜沉积方法提升了oled显示装置的封装效果，延长了oled显示装置的使用寿命。同时，与相关技术相比，当需要oled显示装置达到一定的亮度，上述薄膜沉积方法所形成的薄膜在显示区域的透光性能较好，因此在降低oled器件的电压后能够达到同样的亮度，从而有利于降低工作在高压下的oled器件的损耗，进一步延长了oled显示装置的使用寿命。

作为另一种可实现的方式，可以使第一成膜区域aa的射频电压的功率大于第二成膜区域bb的射频电压的功率，从而使第一成膜区域aa内的薄膜的沉积速度大于第二成膜区域bb内的薄膜的沉积速度。因此，薄膜沉积完成后，第一成膜区域aa内形成的薄膜的厚度大于第二成膜区域bb内形成的薄膜的厚度。

一些实施例中，在其他参数不变的情况下，所形成的薄膜的致密度越大，其阻隔水氧的性能越好；在其他参数不变的情况下，所形成的薄膜的致密度越小，其光透过性能越好。因此，在第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度需要大于第二成膜区域bb内形成的薄膜的致密度。

在封装完成后，oled器件的显示区域对应的薄膜的光透过性能较好，该显示区域的四周区域对应的薄膜的阻隔水氧性能较好。因此，上述薄膜沉积方法提升了oled显示装置的封装效果，延长了oled显示装置的使用寿命。同时，与相关技术相比，当需要oled显示装置达到一定的亮度，上述薄膜沉积方法所形成的薄膜在显示区域的透光性能较好，因此在降低oled器件的电压后能够达到同样的亮度，从而有利于降低工作在高压下的oled器件的损耗，进一步延长了oled显示装置的使用寿命。

本发明的一些实施例中，在薄膜的其他参数(例如水蒸气透过率，watervaportransmissionrate，简称wvtr)不变的情况下，所形成的薄膜的致密度越大，水氧越不容易从薄膜中透过，即薄膜的阻隔水氧性能越好。因此，可以使第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度大于第二成膜区域bb内形成的薄膜的致密度。

作为一种可实现的方式，可以使第一成膜区域aa的射频电压的频率较高，从而使第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度较高，以提高第一成膜区域aa内形成的薄膜的阻隔水氧性能；使第二成膜区域bb的射频电压的频率较低，以降低在成膜过程中对于oled器件的损害。上述薄膜沉积方法提升了oled显示装置的封装效果，同时，降低了对于oled器件的损害，从而延长了oled显示装置的使用寿命。

作为另一种可实现的方式，可以使第一成膜区域aa的成膜温度较高，从而使第一成膜区域aa内形成的薄膜的致密度较高，以提高第一成膜区域aa内形成的薄膜的阻隔水氧性能；使第二成膜区域bb的成膜温度较低，以降低在成膜过程中对于oled器件的损害。因此，上述薄膜沉积方法提升了oled显示装置的封装效果，同时，降低了对于oled器件的损害，从而延长了oled显示装置的使用寿命。

本发明的一些实施例中，还可以通过调节第一成膜区域aa和第二成膜区域bb内的反应气体的气体比例，使不同成膜区域所形成的薄膜的成分或成膜过程中的反应条件不同，从而在第一成膜区域aa和第二成膜区域bb分别形成薄膜性能不同的薄膜。

示例性的，所形成的薄膜可以为氮化硅薄膜，上述反应气体可以包括硅烷、氨气、氢气和氮气，可以通过调节反应气体中硅烷和氨气的气体比例，来改变所形成的薄膜的成分，使第一成膜区域aa内形成的薄膜的水蒸气透过率较高，以提高第一成膜区域aa内形成的薄膜的阻隔水氧性能。作为另一种示例，使第二成膜区域bb内形成的薄膜的过光透过率较高，以提高第二成膜区域bb内形成的薄膜的光透过性能。作为又一种示例，可以通过调节氮气在上述反应气体中的气体比例，来改变成膜过程中的气压(为成膜过程中反应条件的一种)。

本发明的实施例还提供了一种显示装置，包括显示基板，该显示基板包括显示区域和包围所述显示区域的四周区域。上述显示装置还包括设置于显示基板上的薄膜，该薄膜包括覆盖上述四周区域的第一部分和覆盖上述显示区域的第二部分，第一部分的水氧阻隔性能高于第二部分，第二部分的光透过性能高于第一部分。上述显示装置与上述薄膜沉积方法具有相同的优势，此处不再赘述。

本实施例中的显示装置可以为oled面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

以上所述仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。