技术特征：
技术总结
一种用于在半导体晶片的前侧上的层的沉积期间保持具有定向缺口的半导体晶片的基座；所述基座包括：放置表面，用于放置半导体晶片的后侧的边缘区域；放置表面的台阶形外定界；和放置表面的外定界的凹口，以便将半导体晶片的后侧的边缘区域的所述定向缺口位于其中的局部区域放置在所述放置表面的由其外定界的凹口限定的局部区域上。一种用于在具有定向缺口的半导体晶片上沉积层的方法和由单晶硅制成的半导体晶片，其中基座被在方法中被使用。
技术研发人员：R·绍尔;C·哈格尔
受保护的技术使用者：硅电子股份公司
技术研发日：2016.10.14
技术公布日：2019.06.14