研磨垫原材料、研磨垫的制造方法、磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法与流程

技术领域

本发明涉及磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法。

背景技术：

对于用作信息记录介质之一的磁盘而言，以往适宜地使用了玻璃基板。现在，应硬盘驱动装置中的存储容量增大的要求，实现了磁记录的高密度化。伴随于此，进行了下述操作：使磁头距磁记录面的悬浮距离极短，从而对磁记录信息区域进行微细化。对于这种磁盘用玻璃基板而言，为了达成高记录密度硬盘驱动装置所需的磁头低悬浮量化，降低玻璃基板的表面凹凸、特别是微小起伏的要求越来越强。

为了降低玻璃基板的表面凹凸、特别是微小起伏，需要以高精度进行玻璃基板的研磨处理。在研磨处理中，通过使研磨垫与玻璃基板相对滑动，从而对玻璃基板的主表面进行研磨。为了以高精度进行研磨处理，对研磨条件、例如研磨垫或研磨浆料的条件进行调整。特别是，由于研磨垫是与玻璃基板直接接触的部件，因而会对玻璃基板的表面凹凸产生大幅影响。这样的研磨垫如下得到：通过在玻璃基板的研磨开始前进行修整处理，使研磨垫的表面为特定的平坦度和表面粗糙度，由此得到上述研磨垫。

例如已知下述技术，其为用修整处理后的玻璃基板用研磨垫对玻璃基板进行研磨的玻璃基板研磨方法，其使用在修整处理中所用的板状的修整夹具，该修整夹具的板面的表面粗糙度以算术平均粗糙度Ra计为0.10μm～2.5μm，并且修整处理前后的板面的算术平均粗糙度Ra的变化量为15％以上(专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利5428793号公报

技术实现要素：

发明所要解决的课题

近年来，为了实现磁头低悬浮量化，要求对玻璃基板的主表面的表面粗糙度中的微小起伏进行更严格的管理。例如，优选降低表面粗糙度中的与以往的微小起伏(波长为2μm～4mm)相比波长比较短的区域的特定范围的微小起伏(波长为50～200μm)。

在欲在玻璃基板中实现这种波长为50～200μm的微小起伏的降低的情况下，仅通过使用上述修整夹具未必能够降低玻璃基板的波长短的微小起伏。关于这种玻璃基板中的问题，在实施研磨处理制成磁盘用基板的铝金制基板中也存在同样的问题。

因此，本发明的目的在于提供一种能够降低研磨处理后的基板的表面粗糙度中的、基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的磁盘用基板的制造方法以及磁盘的制造方法。

用于解决课题的方案

本申请发明人对为了使磁盘用玻璃基板的主表面的表面粗糙度满足磁盘用玻璃基板的品质要求而进行的研磨处理中所用的研磨垫的表面粗糙度、与使用研磨垫的研磨处理后的玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的关系进行了调查，发现在研磨垫的表面粗糙度与玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏之间存在相关关系。本申请发明人进一步发现，在进行将作为研磨垫的原材料的发泡树脂材料的表面削去而在研磨垫的表面设置开口的开口处理前的发泡树脂材料的表面粗糙度、与开口处理后的发泡树脂材料的表面粗糙度之间存在相关关系。基于这样的相关关系完成了本申请发明。

即，本发明的一个方式为磁盘用基板的制造方法。该制造方法包括以下的方案。

[方案1]

一种磁盘用基板的制造方法，其包括：

研磨处理，其中，使研磨垫与基板相对滑动，从而对上述基板的主表面进行研磨；和

开口处理，其中，为了将未形成有开口的研磨垫的原材料制成上述研磨垫，在上述研磨处理前，将上述原材料的表面削去而在上述表面形成开口。

作为上述研磨垫的原材料，使用上述表面的表面粗糙度中的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的原材料。

[方案2]

一种磁盘用基板的制造方法，其包括：

研磨处理，其中，使研磨垫与基板相对滑动，从而对上述基板的主表面进行研磨；和

开口处理，其中，为了将未形成有开口的研磨垫的原材料制成上述研磨垫，在上述研磨处理前，将上述原材料的表面削去而在上述表面形成开口。

并且，预先求出上述开口处理前的上述原材料的表面粗糙度与上述开口处理后的上述原材料的表面粗糙度之间的对应关系，

由上述研磨处理后的上述基板的在波长50μm～200μm下的主表面的表面粗糙度为所设定的范围内的上述开口处理后的上述原材料的表面粗糙度的信息与上述对应关系确定上述开口处理前的上述原材料的表面粗糙度，由此选择上述研磨垫的开口处理前的原材料。

[方案3]

如方案1或2所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述开口处理后的上述原材料的上述开口的平均直径为1μm～50μm。

[方案4]

如方案1～3中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，在上述开口处理中，将上述原材料削去的量为5μm以下。

[方案5]

如方案1～4中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，上述开口处理后的上述原材料的厚度为300μm～800μm。

[方案6]

如方案1～5中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，

上述原材料为发泡树脂原材料，

进行上述开口处理前的上述发泡树脂原材料的表面的算术平均粗糙度Ra1与进行上述开口处理后的上述发泡树脂原材料的表面的算术平均粗糙度Ra2之比为1<Ra2/Ra1≤4，并且进行上述开口处理后的上述发泡树脂原材料的算术平均粗糙度Ra为1.0μm以下。

[方案7]

如方案1～6中任一项所述的磁盘用基板的制造方法，其中，关于上述基板的主表面的研磨后的波长为50μm～200μm的微小起伏，上述基板的均方根粗糙度Rq为0.06nm以下。

本发明的另一方式为一种磁盘用基板的制造方法，其包括以下的方案。

[方案8]

一种磁盘用基板的制造方法，其在由方案1～7中任一项所述的磁盘用基板的制造方法制造出的磁盘用基板的主表面至少形成磁性层。

发明的效果

利用上述的磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法，能够降低研磨处理后的基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏。

附图说明

图1的(a)、(b)是本实施方式中的第2研磨处理中所用的研磨装置的示意性构成图。

图2是对图1的(a)、(b)所示的研磨装置的研磨进行说明的图。

图3的(a)、(b)是对作为研磨垫的原材料的发泡树脂材料的结构和表面形状进行说明的图。

图4是表示开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra与完成了开口处理的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra的对应关系的图。

图5是表示开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra与第2研磨处理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq之间的关系的图。

具体实施方式

下面，对本发明的磁盘用基板的制造方法和磁盘用基板进行详细说明。需要说明的是，除了玻璃基板以外，本发明的磁盘用基板也可以应用于铝合金基板，但在之后的说明中将磁盘用玻璃基板用作本实施方式进行说明。本说明书中所说的包括波长为50～200μm的微小起伏的均方根粗糙度Rq、算术平均粗糙度Ra在内的表面粗糙度的定义均依据JIS B 0601:2001。

本实施方式中，用于磁盘的磁盘用玻璃基板为圆板形状，呈中心部分以同心圆形状被挖空的环状，将环的中心作为旋转轴进行旋转。磁盘是通过将磁性层等层积于磁盘用玻璃基板上而得到的。例如，在玻璃基板上成膜有附着层、软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等。由此，制造出磁盘。因此，重要的是，对磁盘用玻璃基板的表面凹凸进行高精度管理。

本实施方式的玻璃基板的研磨处理、例如研磨处理(第2研磨处理)中所用的研磨垫例如使用作为发泡树脂材料的发泡聚氨酯。该发泡树脂材料具有在内部设有多个空隙的独立气泡结构的空隙层(图3的(b)所示的空隙层24e)、和设置于空隙层的表面侧的表面膜(图3的(b)所示的表面膜24d)，是具有随着空隙从内部向表面空隙截面变小的部分的所谓绒面革型的研磨垫。研磨垫实施了下述开口处理，即，将该发泡树脂材料的至少表面膜削去，在研磨垫的表面同样地形成空隙的开口。该开口处理在玻璃基板的研磨处理前实施。该发泡树脂材料为研磨垫的原材料。实施了开口处理的发泡树脂材料称为实施了开口处理的原材料、或者完成了开口处理的发泡树脂材料。

本实施方式中，将开口处理前的发泡树脂材料的表面膜的表面粗糙度中的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的发泡树脂材料用于研磨垫的原材料。通过将对该研磨垫的原材料进行了开口处理的研磨垫用于研磨处理，能够使研磨处理后的玻璃基板的在波长50～200μm下的主表面的微小起伏(均方根粗糙度Rq)为0.06nm以下。

作为研磨垫的原材料的发泡树脂材料例如在内部具有大小不同的多个空隙，空隙的形状呈空隙截面从空隙的内部向表面变小的液滴形状。小的空隙位于表面膜附近，大的空隙位于内部。但是，小的空隙和大的空隙均是液滴形状的尖端部分朝向表面侧，其最尖端位于距离表面膜的表面大概相同的深度。因此，通过使用发泡树脂材料的表面膜的表面的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的发泡树脂材料，利用开口处理从该发泡树脂材料的表面至上述尖端的细长部分进行削去，从而能够减小表面粗糙度，进而形成在表面具有大致相同的开口直径的开口。因此，通过使用完成了开口处理的发泡树脂材料作为玻璃基板的研磨垫进行研磨处理，能够使玻璃基板的表面粗糙度中的波长为50～200μm的波长带宽的微小起伏的均方根粗糙度Rq为0.06nm以下。

下面，对包括使用这样的研磨垫对玻璃基板进行研磨的研磨处理的本实施方式的磁盘用玻璃基板的制造方法的一例进行说明。

首先，成型出具有一对主表面的板状的成为磁盘用玻璃基板的坯板的玻璃坯料。接着，适宜地对该玻璃坯料进行加工，制作在中心部分开有孔且边缘部进行了倒角加工的环形状(圆环状)的玻璃基板。由此，生成玻璃基板。之后，对主表面进行研磨处理，从而可以降低波长为50μm～200μm的微小起伏。根据需要，研磨处理可以分成2次以上的处理来进行。另外，根据需要，可以进行主表面的磨削、端面(包括倒角部)的研磨、化学强化。此时，可以适宜地决定各处理的顺序。

以下，对各处理进行说明。

(a)玻璃坯料成型处理

玻璃坯料的成型例如使用浮法。玻璃坯料的成型处理中，首先是将熔融玻璃连续地流入装满锡等熔融金属的浴槽内，从而得到例如上述组成的板状玻璃。熔融玻璃在实施了严密的温度操作的浴槽内沿着行进方向流动，最终形成调整为所期望的厚度、宽度的板状玻璃。由该板状玻璃切出规定形状(例如平面观察为四边形状)的板状玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

另外，除了浮法之外，板状的玻璃坯料的成型例如也可以使用压制成型法。进一步，可以使用下拉法、重新引下法、熔融法等公知的制造方法来进行制造。对于由这些公知的制造方法制作得到的板状玻璃，适宜地进行形状加工，从而切出圆板状的玻璃坯料作为磁盘用玻璃基板的基础。

(b)形状加工处理

接着，在形状加工处理中，在玻璃坯料成型处理后，使用公知的加工方法形成圆孔，从而制作开穿有圆形贯通孔的盘状玻璃基板。之后，可以进一步实施倒角。另外，出于调整板厚、降低平坦度等目的，可以实施主表面的磨削。

(c)第1研磨处理

接着，对玻璃基板的主表面实施第1研磨处理。第1研磨处理的目的在于主表面的镜面研磨。具体而言，一边将玻璃基板保持在设置于保持部件(载具)的保持孔内一边进行玻璃基板的两侧的主表面的研磨，该保持部件安装于双面研磨装置中。基于第1研磨的加工余量例如为几μm～100μm左右。第1研磨处理的目的在于，例如去除残留于主表面的伤痕或应变、或调整微小的表面凹凸。需要说明的是，关于表面凹凸，为了进一步降低或进行更精细的调整，可以将第1研磨处理分成2次以上的研磨处理来实施。

在第1研磨处理中，使用公知的双面研磨装置，一边供给研磨浆料一边对玻璃基板进行研磨，该双面研磨装置具备上定盘、下定盘、内齿轮、载具、太阳齿轮，并具有行星齿轮机构。在第1研磨处理中，使用包含研磨磨粒(游离磨粒)的研磨浆料。作为用于第1研磨的游离磨粒，例如使用氧化铈、氧化铝或氧化锆、胶体二氧化硅的磨粒等(颗粒尺寸：直径0.3～3μm左右)。在双面研磨装置中，将玻璃基板夹持于上下一对的定盘之间。在下定盘的上表面和上定盘的底面安装圆环形状的平板研磨垫(例如树脂制的抛光垫)作为整体。并且，使上定盘或下定盘的任一者或两者移动操作，从而使玻璃基板与各定盘相对移动，由此对玻璃基板的两个主表面进行研磨。

(d)化学强化处理

玻璃基板可以适宜地进行化学强化。作为化学强化液，例如可以使用将硝酸钾、硝酸钠或它们的混合物加热至300℃～500℃而得到的熔融液。并且，例如将玻璃基板在化学强化液中浸渍1小时～10小时。

进行化学强化处理的时机可以适宜决定，但若在化学强化处理之后进行研磨处理，则在表面的平滑化的同时，还可以通过化学强化处理将粘着于玻璃基板的表面的异物去除，因此特别优选。化学强化处理未必一定进行。

(e)第2研磨处理

接着，对化学强化处理后的玻璃基板或第1研磨处理后的玻璃基板实施第2研磨处理。第2研磨处理的目的在于使实施了第1研磨处理的主表面更加平滑化。在第2研磨中，也使用具有与第1研磨中使用的双面研磨装置同样的构成的双面研磨装置。基于第2研磨的加工余量例如为0.5μm至10μm左右。

在第2研磨处理中，使用包含游离磨粒的浆料进行研磨。作为游离磨粒，适宜使用胶态二氧化硅。从降低玻璃基板G的主表面的波长为50～200μm的微小起伏的方面考虑，优选胶态二氧化硅的平均粒径为5nm以上50nm以下。若平均粒径大于50nm，则有可能无法充分降低波长为50～200μm的微小起伏。另外，有可能无法充分降低表面粗糙度。另一方面，若平均粒径小于5nm，则研磨速率有可能极端降低，生产率下降。

需要说明的是，在本实施方式中，上述平均粒径是指，将利用光散射法测定的粒度分布中的粉体集团的全部体积设为100％而求出累积曲线时，该累积曲线为50％的点的粒径(也称为累积平均粒径(50％直径)或D50)。

图1的(a)、(b)是第2研磨处理中使用的研磨装置10的示意性构成图。第1研磨也可以使用同样的装置。

如图1的(a)、(b)所示，研磨装置10具备下定盘12、上定盘14、内齿轮16、载具18、研磨垫20和太阳齿轮22。

研磨装置10从上下方向将内齿轮16夹持在下定盘12与上定盘14之间。内齿轮16内，在研磨时保持有2个以上载具18。图1的(b)中示出了5个载具18。对下定盘12和上定盘14平面性地粘接有研磨垫20。下定盘12和上定盘14按照在下定盘12和上定盘14所具备的旋转轴中心的周围进行旋转(自转)的方式而构成。

图2是对研磨装置的研磨进行说明的图，是沿着图1的(b)所示的A-A线的截面图。如图2所示，按照玻璃基板G的下侧的主表面抵接于下定盘12上的研磨垫20、玻璃基板G的上侧的主表面抵接于上定盘14上的研磨垫20的方式配置载具18。在这种状态下进行研磨，从而可以对被加工为圆环状的玻璃基板G的两侧的主表面进行研磨。

如图1的(b)所示，圆环状的玻璃基板G保持在设置于各载具18的圆形孔。另一方面，玻璃基板G在下定盘12之上保持于在外周具有齿轮19的载具18。载具18与设置于下定盘12的太阳齿轮22、内齿轮16咬合。使太阳齿轮22沿着图1的(b)所示的箭头方向旋转，从而各载具208沿着各自的箭头方向作为行星齿轮一边进行自转一边进行公转。由此，使用研磨垫20对玻璃基板G进行研磨。研磨时，例如以0.002～0.02MPa进行按压来对玻璃基板G进行研磨。如图1的(a)所示，用于研磨的浆料供给至上定盘14，流向下定盘12，之后被外部容器回收。

需要说明的是，第2研磨处理中使用的游离磨粒的种类、粒径、粒径的偏差或研磨垫20中使用的树脂的硬度、如后所述的研磨垫20表面的气孔的开口直径等可以由第1研磨进行适宜变更。在本实施方式中，至少在研磨处理中，为了降低研磨后的玻璃基板的波长为50～200μm的微小起伏，利用开口处理对研磨垫20的表面进行管理。

第2研磨之后，对玻璃基板G进行清洗，得到磁盘用玻璃基板。需要说明的是，在第2研磨后，也可以进一步进行不使玻璃基板的主表面的表面粗糙度或包括微小起伏在内的表面凹凸发生变化的程度的研磨处理。

之后，制作在磁盘用玻璃基板的主表面设有磁性层的磁盘。在磁盘的表面例如设有附着层、软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等各层。

以上，使用玻璃基板作为磁盘用基板进行了说明，但本发明也可以应用于铝合金基板。在铝合金基板的情况下，对铝合金进行轧制，使用在切割成圆板状的铝合金坯板的表面成膜有NiP镀层的铝合金基板，利用研磨垫对NiP镀膜表面进行研磨。使用了铝合金基板的磁盘通过在铝合金基板上层积软磁性层、非磁性基底层、垂直磁记录层、保护层和润滑层等而得到。

具体地说，经过以下的各处理工序来制造，研磨处理工序中所用的研磨垫可以使用与在玻璃基板的研磨工序中所用的研磨垫相同的研磨垫。

对熔化的铝合金进行铸造、轧制，之后切割成圆板状的铝合金坯板，对主表面和端面进行磨削处理，从而加工成规定的尺寸。其后，在铝合金坯板的表面以5～30μm的厚度实施NiP镀覆成膜处理，制成铝合金基板。接着，利用研磨垫对实施了NiP镀覆的铝合金基板的主表面进行研磨处理，由此降低微小起伏。研磨处理通常改变研磨磨粒的种类和粒径而以2个阶段进行，在第1研磨处理中使用含有平均粒径为0.3～3μm的氧化铝磨粒的浆料，在第2研磨处理中使用含有平均粒径为5～50nm的胶态二氧化硅磨粒的浆料，夹入分别实施了开口处理的研磨垫间并相对滑动，由此降低铝合金基板表面的NiP镀层表面的伤痕或起伏。进而，在第1研磨处理后和第2研磨处理后，为了将研磨处理后附着于基板表面的研磨磨粒或研磨渣等颗粒除去，进行清洗处理。

(研磨垫)

本实施方式的研磨处理中所用的研磨垫20例如为发泡聚氨酯制。研磨处理中未使用的研磨垫的原材料、即发泡树脂材料24在表面具有表面膜且未形成有开口，具有在内部包含尺寸不同的空隙24a、24b的独立气泡结构。图3的(a)、(b)是对研磨垫的原材料的状态的发泡树脂材料24的结构进行说明的截面图。空隙24a、24b均呈液滴形状，呈向表面24c而越来越细的形状。将这样的发泡树脂材料24的表面膜所具有的表面24c削去时，关于表面24c的表面凹凸，考虑如下内容。

如图3的(a)所示，表面24c的表面粗糙度大、表面24c起伏的情况下，通过开口处理将发泡树脂材料24削去至线X1时，在发泡树脂材料24与开口处理中所用的夹具之间，容易产生表面24c的起伏引起的微小的颤振。另外，如图3的(a)所示，根据起伏的表面24c的凹部或凸部的部位不同，在表面所开的开口的大小也不同，削去表面24c时夹具从表面24c受到的阻力容易变动，因而容易产生微小的颤振。因此，由于该颤振，开口处理后的研磨垫的表面粗糙度变大。

另外，如图3的(a)所示，根据起伏的表面24c的凹部或凸部的部位不同，在表面所开的开口的大小不同。例如，在表面24c的凸部的区域中，空隙24b的空隙截面大的部分开口，在凹部的区域中，空隙24b的空隙截面小的尖端部分开口。同样地，横穿空隙24a的线X1的空隙截面也根据起伏的表面24c的凹部或者凸部的位置而变化。因此，若将开口大小不同的发泡树脂材料24用作研磨垫20而对玻璃基板进行研磨，则由于研磨垫20的开口的部位导致的偏差，玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏变大。

如图3的(b)所示，在表面24c的表面粗糙度小、几乎不起伏的发泡树脂材料24中，难以产生上述的颤振。因此，与图3的(a)所示的情况相比，开口处理后的发泡树脂材料24的表面粗糙度变小。

此外，如图3的(b)所示，通过开口处理从表面24c将发泡树脂材料24削去至线X2时，开口的大小大致一定。因此，本实施方式中，作为研磨垫20的原材料，使用开口处理前的发泡树脂材料的表面粗糙度小的发泡树脂材料，具体而言，在发泡树脂材料的表面膜的表面粗糙度中，表面24c的表面粗糙度中的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的发泡树脂材料。若使用具有这样的开口的发泡树脂材料24作为研磨垫20对玻璃基板进行研磨，则由于研磨垫20的开口的部位导致的偏差小，因而能够减小玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏。

需要说明的是，如图3的(b)所示，表面24c的表面粗糙度小的情况下，在进行从表面24c削至一定的深度而设置开口的开口处理时，与削至线X3相比，优选削至线X2以使大小不同的空隙24a、24b的液滴形状的尖端部分开口。在削至线X3的情况下，在大的空隙24b中，空隙截面比较小的部分开口，在小的空隙24a中，空隙截面大的部分开口，开口的大小容易产生偏差。考虑到空隙24a、24b的最尖端距离表面24c的深度，在开口处理中，将发泡树脂材料20削去的量优选比表面膜24d的厚度厚，并且为5μm以下。另外，从降低玻璃基板的主表面的微小起伏的方面出发，在这样的开口处理中设置的空隙的开口的平均直径优选为1～50μm。该情况下，开口的平均直径是通过基于激光显微镜的开口部的图像计测和图像分析求出的值。具体而言，对于以适当的倍率拍摄的表面的图像，在任意的位置画出直线，对于位于该直线上的气泡的10个开口，求出各开口的最大尺寸，将最大尺寸的平均值作为开口的平均直径。

另外，从降低玻璃基板的主表面的微小起伏的方面出发，作为研磨处理中所用的研磨垫20的发泡树脂材料24的厚度(开口处理后的研磨垫的原材料的厚度)、即完成了开口处理的发泡树脂材料的厚度优选为300～800μm。研磨垫20具有在刚性高的PET树脂材料等基体上隔着基础层而层积有发泡树脂材料24的结构。

需要说明的是，关于开口处理，在图1的(a)、(b)和图2所示的研磨装置10中，在将研磨垫20贴附于下定盘12和上定盘14的状态下，代替载具18，而使用在表面分散固定有金刚石磨粒等且尺寸与载具18相同的圆板状的修整器具(夹具)来进行。即，将修整器具夹入下定盘12与上定盘14之间并施加特定的压力而使修整器具与研磨垫20相对滑动，从而进行开口处理。

这样，本实施方式中，为了减小研磨处理后的玻璃基板的主表面的微小起伏，通过将发泡树脂材料的表面膜的表面粗糙度中的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下的发泡树脂材料用于研磨垫的原材料，从而可以使研磨处理后的玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的微小起伏(均方根粗糙度Rq)为0.06nm以下。

需要说明的是，本实施方式中，作为开口处理前和完成了开口处理的发泡树脂材料的表面粗糙度，使用了算术平均粗糙度Ra，但也可以使用JIS B 0601:2001中规定的Rz、Rq来代替算术平均粗糙度Ra。该情况下，发泡树脂材料的开口处理前的表面膜的Rz优选为2.6μm以下，Rq优选为0.85μm以下。

(实验例)

为了确认本实施方式的效果，准备作为研磨垫20的原材料的发泡树脂材料的表面粗糙度不同的各种发泡树脂材料，进行了开口处理。并且，事先求出作为研磨垫20的原材料的发泡树脂材料的表面粗糙度与完成了开口处理的发泡树脂材料的表面粗糙度的对应关系。

作为发泡树脂材料，使用了发泡聚氨酯。在开口处理中，从表面将发泡树脂材料削去了2～3μm。

作为开口处理前的发泡树脂材料的表面粗糙度和完成了开口处理的发泡树脂材料的表面粗糙度，由表面粗糙度的计测结果求出算术平均粗糙度Ra。此时的计测方法如下。

使用形状测定用激光显微镜作为计测器，使测定区域为550μm×750μm。表面粗糙度的高度方向的计测分辨率为0.5nm。不设置所计测的表面粗糙度的波长的短波长截止值λs，长波长截止值λc为0.8mm。

另外，关于波长为50～200μm下的起伏的均方根粗糙度Rq，使用表面形状测定机，对玻璃基板的主表面的半径为14mm～31.5mm的区域求出。具体而言，使半径方向的测定间距为0.01mm，使圆周方向1周的测定区域为1024处，对表面形状进行计测。作为表面形状测定机，可以使用激光多普勒测振仪(LDV：Laser Doppler Vibrometer)。该测定装置能够进行从表面粗糙度至起伏为止的范围宽的波长带宽的测定。由于以波长为50μm～200μm的微小起伏为计测对象，因而使用对应于波长50μm～200μm的带通滤波器进行过滤，使用由此得到的数据求出均方根粗糙度Rq。

图4是将计测结果图形化示出的图，是表示开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra(图4所示的图形的横轴：开口处理前的Ra)、与完成了开口处理的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra(图4所示的图形的纵轴：开口处理后的Ra)之间的对应关系的图。

此处，对于利用含有平均粒径为1.5μm的氧化铈磨粒的浆料、通过通常的研磨垫以加工余量30μm实施了第1研磨处理的玻璃基板，使用含有平均粒径为20nm的胶态二氧化硅磨粒的浆料、通过图4所示的研磨垫以加工余量2μm进行了第2研磨处理。其结果，为了使玻璃基板的主表面的上述均方根粗糙度Rq例如为0.06nm以下，确认到使开口处理后的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra例如为1.00μm以下即可。该情况下，开口处理前的发泡树脂材的表面的算术平均粗糙度Ra1与开口处理后的发泡树脂材料的表面粗糙度Ra2之比优选为1<修整处理后的Ra2/修整处理前的Ra1≤4。在由发泡树脂材料构成的研磨垫中，修整处理后的Ra2/修整处理前的Ra1的值为1以下的情况下，修整处理自身变得困难，修整处理后的Ra2/修整处理前的Ra1的值超过4的情况下，修整处理后的研磨垫的表面粗糙度具有变大的倾向，因而在通过修整处理而开口的状态下，不适合作为研磨垫使用。此外，从基于修整处理的作业性的观点来看，优选使开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下。因此，预先求出图4所示的对应关系，进而由用于使玻璃基板的主表面的上述均方根粗糙度Rq满足玻璃基板的要求品质的开口处理后的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra的信息、和预先求出的上述对应关系确定开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra，由此可以选择用于制造满足玻璃基板的要求品质的玻璃基板的发泡树脂材料。由此，可以使玻璃基板的主表面的波长为50～200μm的表面粗糙度、例如均方根粗糙度Rq为0.06nm以下。

此外，如图4所示，可知：若对开口处理前后的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra进行比较，则开口处理后的算术平均粗糙度Ra与开口处理前相比变大。因此，虽然以往难以降低发泡树脂材料的开口处理后的算术平均粗糙度Ra，但通过事先获知图4所示的开口处理前后的算术平均粗糙度Ra的对应关系来选择适当的发泡处理前的发泡树脂材料，从而能够将开口处理后的发泡树脂材料的算术平均粗糙度Ra抑制为较低。

图5是表示开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra与第2研磨处理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq之间的关系的图。由图5可知，随着开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra从略大于0.65μm的区域接近0.65μm，Rq急剧地降低，即，在Ra为0.65μm附近，Rq临界地发生变化，Rq变为0.06nm以下。其结果，可知：通过使开口处理前的发泡树脂材料的表面的算术平均粗糙度Ra为0.65μm以下，能够使第2研磨处理后的玻璃基板的主表面的均方根粗糙度Rq为0.06nm以下。

以上，对本发明的磁盘用基板的制造方法和磁盘的制造方法进行了详细说明，但是本发明不限定于上述实施方式和实施例，显然也可以在不脱离本发明主旨的范围内进行各种改良、变更。

符号说明

10 研磨装置

12 下定盘

14 上定盘

16 内齿轮

18 载具

19 齿轮

20 研磨垫

22 太阳齿轮

24 发泡树脂材料

24a、24b 空隙

24c 表面

24d 表面膜

24e 空隙层