1.一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，包括：
外筒体；
内筒体，所述内筒体设置在所述外筒体内，所述内筒体与所外筒体之间形成有反应空间，所述薄膜穿过所述反应空间绕所述内筒体一周，所述内筒体具有：
若干通气孔，所述通气孔均匀分布在所内筒体的侧壁上；
中心轴，所述中心轴设置在所述内筒体的中心；
隔板，所述隔板固定安装在所述中心轴外周，所述隔板用于将内筒体和中心轴之间的空间等分为若干通气区域，所述若干通气区域包括若干第一通气区域、若干第二通气区域和若干第三通气区域，所述第一通气区域和所述第二通气区域交替设置，所述第三通气区域设置在任意一组第一通气区域和第二通气区域之间。
2.根据权利要求1所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述外筒体包括：
入口，所述入口设置在所述外筒体的侧壁上；
出口，所述出口设置在所述外筒体的侧壁上，所述出口与所述入口相邻设置。
3.根据权利要求1所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述薄膜与所述内筒体之间的距离为0.2-2cm。
4.根据权利要求1所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述内筒体还包括：
颈部；
盖体，所述盖体设置在所述颈部上端，所述盖体上设置有若干通孔，所述通孔与所述通气区域一一对应；
若干通气管，所述通气管插装在所述通孔内。
5.根据权利要求1所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述沉积装置还包括：
若干吸气管，所述吸气管设置在所为外筒体的外周，所述吸气管均匀分布。
6.根据权利要求5所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述吸气管连接吸气泵。
7.根据权利要求1所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述沉积装置还包括：红外线加热装置，所述红外线加热装置设置在所述中心轴上。
8.一种基于权利要求1所述的用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，包括以下步骤：穿入薄膜，将所述薄膜从外筒体侧壁上的入口穿入，使所述薄膜穿过所述反应空间，绕所述内筒体一周后，从所述外筒体侧壁上的出口穿出；
通气，向所述第一通气区域通入第一反应气体，向所述第二通气区域通入第二反应气体，向所述第三区域通入非反应气体；
ald循环，所述薄膜在所述反应空间内移动，使所述薄膜表面的任一部分均可以通过多次所述第一反应气体沉积、所述非反应气体吹扫、所述第二反应气体反应及所述非反应气体再吹扫的来形成具有规定厚度的沉积层，完成ald循环。
9.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述金属化合物蒸汽包括选自铝、钙、镁、硅、钛及锆中的至少一个金属的金属化合物。
10.根据权利要求9所述的一种用于薄膜材料表面沉积的沉积装置，其中，所述金属化合物蒸汽为三甲基铝(tma)。
11.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述第二反应气体为非金属化合物蒸汽。
12.根据权利要求11所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述第二反应气体为水蒸气。
13.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述非反应气体为惰性气体。
14.根据权利要求13所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述非反应气体为氮气。
15.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，所述薄膜的移动速度为10米/分钟-120米/分钟。
16.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，在所述ald循环步骤中，通过吸气管7将反应空间内的未沉积或反应的多余其他排出反应空间。
17.根据权利要求8所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法，其中，在所述通气步骤之前，对反应空间进行抽真空处理，保持真空环境，真空度为10-7mtorr(毫托)-100torr(托)。
18.一种微孔薄膜，采用如权利要求8-17中任一项所述的一种基于用于薄膜材料表面沉积的沉积装置的沉积方法制成。
19.一种二次电池，具有如权利要求18所述的一种微孔薄膜。