1.一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：利用脉冲激光沉积分子束外延薄膜制备系统生产基片薄膜，具体如下：将铁基超导圆柱靶材固定在激光轰击靶座上装入沉积室，将laalo3单晶基片放入浓度为50%的盐酸中浸洗30s，取出后用脱脂棉擦拭干净，然后放入无离子水中清洗，取出用脱脂棉擦拭干净，浸入丙酮液体中浸泡5min，取出再用脱脂棉擦拭干净，再放入无水乙醇中浸泡5min，取出自然晾干，再放入无离子水中进行超声波清洗，清洗好后将基片取出用脱脂棉擦拭干净；将清洗好的基片安装在位于沉积室内的旋转基片加热底座上，调节靶基距离40~45mm，激光束和靶面入射角为45度，通过涡轮分子泵，将沉积室抽成真空度为10-5~10-6pa的真空环境，打开基片加热器，设定550℃，待基片温度升至550±5℃时，打开轰击靶座转动电机，使靶座以转速25转/min转动，再打开沉积室外面的准分子激光器，设定波长248纳米，单脉冲能量320mj，开机进行预热30min，然后打开激光束对铁基超导圆柱靶材进行轰击烧蚀，形成羽峰并在基片上沉积生长薄膜，持续时间50min；时间到达后，关闭准分子激光器和轰击靶座转动电机，向沉积室按1：1的比例通入氧气和氩气，气压为30pa,将基片加热器升温至800℃后再进行退火处理，保温40min，然后关闭退火电源，待自然冷却后取出薄膜基片即可。
2.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：所述的单晶基片在无离子水中超声波清洗的条件为20~30khz、水温40~60℃、时间30min。
3.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：所述的涡轮分子泵的极限压力为10pa，工作压力范围为1~10pa，由转速为60000转/分的中频电动机驱动。
4.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：所述的激光轰击靶座采用圆形不锈钢板。
5.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：所述的旋转基片加热底座为带加热管的不锈钢方形件，最高加热温度为1000℃。
6.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：在所述的沉积室上设有激光轰击窗，激光轰击窗是带有密封的透明玻璃的窗口。
7.根据权利要求1所述的一种制造超导电缆导体薄膜的方法，其特征在于：所述的准分子激光器是波长为248纳米、单脉冲能量为400mj、脉冲宽度为25纳米的工业准分子激光器。