技术特征：
1.一种低硅孕育剂，包括以下原料：生铁、硅铁、金属；所述生铁和所述硅铁的含硅量为30～60wt％，所述金属选自钙、铝、钡、锶和锆中的一种或多种，所述金属的含量为0.2～12wt％，余量为铁。2.根据权利要求1所述的低硅孕育剂，其特征在于，所述低硅孕育剂的粒度为0.1～1.0mm。3.根据权利要求1所述的低硅孕育剂，其特征在于，所述金属选自钙、铝、钡、锶和锆中的两种或五种。4.根据权利要求1所述的低硅孕育剂，其特征在于，所述低硅孕育剂的成分具体为：si 30～60wt％，ca 0.5～2wt％、al 0.5～2.0wt％、ba 0.5～3.0wt％、fe余量。5.根据权利要求1所述的低硅孕育剂，其特征在于，所述低硅孕育剂的成分具体为：si 30～60wt％，ca 0.5～2wt％、al 0.5～2.0wt％、sr 0.5～3.0wt％、fe余量。6.根据权利要求1所述的低硅孕育剂，其特征在于，所述低硅孕育剂的成分具体为：si 30～60wt％，al 0.5～2.0wt％、sr 0.5～3.0wt％、zr 0.5～3.0wt％、fe余量。7.权利要求1所述的低硅孕育剂的制备方法，包括以下步骤：将生铁和硅铁熔化，得到熔液，在所述熔液中加入钙、铝、钡、锶和锆中的一种或多种进行熔炼，再冷却凝固，破碎后得到低硅孕育剂。8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述低硅孕育剂的粒度为0.1～1.0mm。