本发明属于oled坩埚部件清洗领域，具体涉及一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法。
背景技术：
oled显示技术作为国际上一种新型的且蓬勃发展的显示技术，尤其是在oled面板生产过程中的真空蒸镀工艺，是整个oled工艺制程中的核心和目前的技术发展瓶颈所在。在oled真空蒸镀工艺中，一般分为有机材料、金属材料和无机化合物材料的蒸镀，其中的oled蒸镀掩膜版openmask部件，更是影响蒸镀工艺均匀性的核心蒸镀部件。而对应于每种蒸镀工艺中的核心设备零部件都有其不同的清洗方法，能否对oled蒸镀掩膜版openmask部件进行清洗，关系着蒸镀工艺的效果。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题便是针对上述现有技术的不足，提供一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法，通过对药水类型的选择和比例的控制，能够在不损伤产品本体的情况下将openmask部件表面的mgag膜层溶解去除，从而实现openmask部件洗净再生、二次利用的目的。
本发明所采用的技术方案是：一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法，包括以下步骤：
步骤10、固定：根据openmask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定备用；
步骤20、药水配置：按1：1-8：8-48的体积比将电子级ch3cooh、电子级h2o2和10mω以上的纯水置于药水槽内，搅拌混合均匀得到混合药水；
步骤30、超声波振板安装：在药水槽内侧壁安装超声波振板；
步骤40、去除膜层:将步骤10中固定好的openmask部件放入药水槽内浸泡，浸泡时间为0.5h-1h，浸泡过程中开启超声波震荡，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，去除openmask部件表面膜层；
步骤50、溢流超声波清洗：将步骤50中去除表面膜层的openmask部件送入超声波纯水槽中进行溢流超声波纯水清洗，去除openmask部件表面残留的材料或化学物质，溢流超声波纯水清洗过程中，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，溢流超声波纯水清洗＞30min；
步骤60、脱水：将步骤50中溢流超声波纯水清洗后的openmask部件送入ipa槽中进行ipa脱水，脱水时间为1h；
步骤70、干燥：将步骤60中完成ipa脱水的openmask部件取出进行洁净干燥处理，即可完成对oled掩膜版openmask表面lif材料的清洗。
其中一个实施例中，步骤20中，电子级nh3·h2o、电子级h2o2和10mω以上的纯水体积比为1：1：8。
其中一个实施例中，步骤20中，电子级nh3·h2o、电子级h2o2和10mω以上的纯水体积比为1：4：24。
其中一个实施例中，步骤20中，电子级nh3·h2o、电子级h2o2和10mω以上的纯水体积比为1：8：48。
其中一个实施例中，步骤40中，根据openmask部件表面膜层状况和去除膜层效果，调整浸泡时间和浸泡次数。
其中一个实施例中，步骤70中，洁净干燥处理方法具体为：在温度为50℃-100℃且洁净级为1000级或100级的环境中干燥4h-8h。
本发明的有益效果在于：
1、解决了原有清洗药水无法自给，需要原厂配置或国外购买的问题，在清洗效果相同的情况下极大地降低了生产成本，提高了国内高端部件的洗净再生技术水平；
2、本发明中对于mgag膜层的去除选用的是ch3cooh弱酸性药水和h2o2氧化性药水，后者具有氧化性，能够将mgag膜层氧化，使之生成为mgo和ag2o，前者具有弱酸性，虽然对金属单质的溶解性较弱，但对于mgo、ag2o等金属氧化物具有非常好的溶解效果，在清洗mgag膜层的过程中能够起到很好的去膜作用；
3、清洗过程中采用超声波震荡的方式将膜层剥离，起到辅助去膜的作用。
具体实施方式
下面将结合具体实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1：
本发明所采用的技术方案是：一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法，包括以下步骤：
步骤10、固定：根据openmask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定备用；
步骤20、药水配置：按1：1：8的体积比将电子级ch3cooh、电子级h2o2和10mω以上的纯水置于药水槽内，搅拌混合均匀得到混合药水；
步骤30、超声波振板安装：在药水槽内侧壁安装超声波振板；
步骤40、去除膜层:将步骤10中固定好的openmask部件放入药水槽内浸泡，浸泡时间为0.5h-1h，浸泡过程中开启超声波震荡，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，去除openmask部件表面膜层，过程中，根据openmask部件表面膜层状况和去除膜层效果，调整浸泡时间和浸泡次数；
步骤50、溢流超声波清洗：将步骤50中去除表面膜层的openmask部件送入超声波纯水槽中进行溢流超声波纯水清洗，去除openmask部件表面残留的材料或化学物质，溢流超声波纯水清洗过程中，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，溢流超声波纯水清洗＞30min；
步骤60、脱水：将步骤50中溢流超声波纯水清洗后的openmask部件送入ipa槽中进行ipa脱水，脱水时间为1h；
步骤70、干燥：将步骤60中完成ipa脱水的openmask部件取出，在温度为50℃-100℃且洁净级为1000级或100级的环境中干燥4h-8h，即可完成对oled掩膜版openmask表面lif材料的清洗。
实施例2：
本发明所采用的技术方案是：一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法，包括以下步骤：
步骤10、固定：根据openmask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定备用；
步骤20、药水配置：按1：4：24的体积比将电子级ch3cooh、电子级h2o2和10mω以上的纯水置于药水槽内，搅拌混合均匀得到混合药水；
步骤30、超声波振板安装：在药水槽内侧壁安装超声波振板；
步骤40、去除膜层:将步骤10中固定好的openmask部件放入药水槽内浸泡，浸泡时间为0.5h-1h，浸泡过程中开启超声波震荡，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，去除openmask部件表面膜层，过程中，根据openmask部件表面膜层状况和去除膜层效果，调整浸泡时间和浸泡次数；
步骤50、溢流超声波清洗：将步骤50中去除表面膜层的openmask部件送入超声波纯水槽中进行溢流超声波纯水清洗，去除openmask部件表面残留的材料或化学物质，溢流超声波纯水清洗过程中，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，溢流超声波纯水清洗＞30min；
步骤60、脱水：将步骤50中溢流超声波纯水清洗后的openmask部件送入ipa槽中进行ipa脱水，脱水时间为1h；
步骤70、干燥：将步骤60中完成ipa脱水的openmask部件取出，在温度为50℃-100℃且洁净级为1000级或100级的环境中干燥4h-8h，即可完成对oled掩膜版openmask表面lif材料的清洗。
实施例3：
本发明所采用的技术方案是：一种oled掩膜版openmask表面镁银材料清洗方法，包括以下步骤：
步骤10、固定：根据openmask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定备用；
步骤20、药水配置：按1：8：48的体积比将电子级ch3cooh、电子级h2o2和10mω以上的纯水置于药水槽内，搅拌混合均匀得到混合药水；
步骤30、超声波振板安装：在药水槽内侧壁安装超声波振板；
步骤40、去除膜层:将步骤10中固定好的openmask部件放入药水槽内浸泡，浸泡时间为0.5h-1h，浸泡过程中开启超声波震荡，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，去除openmask部件表面膜层，过程中，根据openmask部件表面膜层状况和去除膜层效果，调整浸泡时间和浸泡次数；
步骤50、溢流超声波清洗：将步骤50中去除表面膜层的openmask部件送入超声波纯水槽中进行溢流超声波纯水清洗，去除openmask部件表面残留的材料或化学物质，溢流超声波纯水清洗过程中，超声波频率为60khz，超声波能量密度为20w/inch2-40w/inch2，溢流超声波纯水清洗＞30min；
步骤60、脱水：将步骤50中溢流超声波纯水清洗后的openmask部件送入ipa槽中进行ipa脱水，脱水时间为1h；
步骤70、干燥：将步骤60中完成ipa脱水的openmask部件取出，在温度为50℃-100℃且洁净级为1000级或100级的环境中干燥4h-8h，即可完成对oled掩膜版openmask表面lif材料的清洗。
上述实施例中，步骤10中，根据openmask部件的结构，选择匹配的工装治具对其进行固定，可放置产品周转或者搬运过程中被触碰或剧烈抖动造成变形；步骤20中，电子级ch3cooh、电子级h2o2和10mω以上的纯水体积比为1：1-8：8-48，上述实施例中给出了三种比例，但是实际使用时，可在上述范围内进行选择；步骤40中，开启超声波震荡可满足openmask部件的高变形量管控要求且实现良好的清洗效果。
本发明在micro-oledopenmask部件清洗和g6oledopenmask部件清洗中，有着良好的效果；但不仅限于上述两种oledopenmask部件的清洗。
本发明解决了原有清洗药水无法自给，需要原厂配置或国外购买的问题，在清洗效果相同的情况下极大地降低了生产成本，提高了国内高端部件的洗净再生技术水平；由于oled掩膜版openmask部件材质为invar(殷钢)，热膨胀系数极小，但易被强酸、强碱腐蚀，因此本发明本发明中对于mgag膜层的去除选用的是ch3cooh弱酸性药水和h2o2氧化性药水，后者具有氧化性，能够将mgag膜层氧化，使之生成为mgo和ag2o，前者具有弱酸性，虽然对金属单质的溶解性较弱，但对于mgo、ag2o等金属氧化物具有非常好的溶解效果，在清洗mgag膜层的过程中能够起到很好的去膜作用；mgag材料在蒸镀到产品表面之后形成疏松的层状结构，且因mgag材料的材料属性与殷钢差异明显，因此清洗过程中采用超声波震荡的方式将膜层剥离，起到辅助去膜的作用。
以上所述实施例仅表达了本发明的具体实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。