一种基板扫边处理系统及基板扫边处理方法与流程

1.本发明属于基板加工技术领域，更具体地说，是涉及一种基板扫边处理系统及基板扫边处理方法。


背景技术：

2.目前，影响基板强度的主要因素有：基板的表面化学键组成、基板的表面、内部与侧边的微裂纹、表面渗锡、温度、外界条件、基板尺寸以及外部活性介质等。其中，基板的微裂纹为影响基板强度的关键因素之一。基板微裂纹分为：本体微裂纹、结构微裂纹、制造微裂纹。在当前两次强化基板的生产条件下，第一次大片型基板强化后，需要切割成满足后期生产需要的小片型基板，在切割等机械生产加工过程会增加许多裂纹，同时，在自然环境下氧化，也会产生许多方向不一的微裂纹。
3.对小片型基板进行扫边处理，是去除微裂纹进行第二次强化的必需步骤，然而，当前的基板扫边处理系统包括被扫边处理的基板与对基板进行扫边处理的抛光轮，所述基板是固定位置不运动状态，所述抛光轮位于基板上方，扫边过程中，所述抛光轮既要在垂直于基板边缘的方向进行移动，完成接近与远离基板的动作工序，同时，抛光轮还需要在平行与基板边缘的方向运动进行扫边修复微裂纹。由于需要控制抛光轮在两个方向同时或分部移动，同时抛光轮本身还需要进行旋转运动，导致难以控制抛光轮对基板边缘的切入量，导致基板边缘平整性与稳定性较差，影响了基板边缘的美观度。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种基板扫边处理系统及其扫边处理方法，包括但不限于解决小片型基板进行扫边处理时难以确保边缘的平整性与稳定性的技术问题。
5.为解决上述技术问题，本发明提供了一种基板扫边处理系统，包括
6.一加工平台；
7.位于所述加工平台上的待处理基板；
8.抛光轮；
9.所述抛光轮与所述待处理基板处于同一水平面上，位于所述待处理基板外侧；
10.所述待处理基板在所述加工平台上，以所述待处理基板的中心点为圆心进行顺时针或者逆时针旋转运动；
11.所述待处理基板在所述加工平台上具有一静置的初始状态，所述待处理基板的初始状态具有一待扫边基板边缘；
12.所述抛光轮从起点向待扫边基板边缘来回进行靠近或远离待处理基板运动。同时，所述抛光轮自身同样需要进行旋转运动。
13.可选地，所述抛光轮从起点沿垂直于初始状态的待扫边基板边缘的方向来回进行靠近或远离待处理基板运动，即抛光轮的来回运动方向永远保持不变。同时，所述抛光轮自身同样需要进行旋转运动。
14.需要注意的是本发明所述起点为抛光轮运动的初始状态时，抛光轮圆心所处位置。
15.在可选的方案中，所述待处理基板在顺时针或者逆时针旋转过程中，所述待扫边基板边缘也会随之旋转运动，所述抛光轮的起点到待扫边基板边缘的距离会变近或者变远。当所述距离变近时，所述抛光轮运动距离缩短；当所述距离变远时，所述抛光轮运动距离延长。
16.可选地，所述抛光轮包括轮体和毛刷，所述毛刷设于所述轮体的外表面上。
17.本发明还提供了一种基板扫边处理方法，包括以下步骤：
18.s10、提供一加工处理平台；
19.s20、提供一位于所述加工处理平台上的待处理基板，所述待处理基板具有一初始状态，所述待处理基板还具有一待扫边基板边缘；
20.s30、提供一与所述待处理基板位于同一水平面的抛光轮，所述抛光轮位于所述待处理基板外侧；
21.s40、控制所述待处理基板以所述基板的基板中心点为圆心在待处理基板所位于的水平面进行顺时针与逆时针旋转运动；
22.s50、在所述待处理基板旋转运动的同时，控制所述抛光轮从起点沿垂直于初始状态的所述待扫边基板边缘的方向进行靠近待处理基板运动，所述运动过程中，所述抛光轮同时进行旋转运动；
23.s60、控制所述抛光轮按照设定的切入量切入所述待扫边基板边缘；
24.s70、所述抛光轮在所述待扫边基板边缘完成切入设定切入量，达到切入点，控制所述抛光轮从切入点沿垂直于初始状态的所述待扫边基板边缘的方向返回抛光轮起点，完成一次扫边动作。
25.可选地，所述第一次扫边动作的切入点位于所述待扫边基板边缘的中点处，可以使得加工处理平台占用空间最小，且便于控制待处理基板的旋转运动。
26.可选地，当所述第一次扫边动作的切入点位于所述待扫边基板边缘的中点处时，将步骤s10至步骤s70重复进行n次，n为大于1的整数，其中，第n次步骤s50中所述抛光轮的运动距离小于第n
‑
1次步骤s50中所述抛光轮的移动距离。
27.可选地，位于所述切入点相对两侧的所述待扫边基板边缘交替完成步骤s10至步骤s70。
28.可选地，位于所述切入点一侧的所述待扫边基板边缘先完成步骤s10至步骤s70，接着位于所述切入点另一侧的所述基板边缘完成步骤s10至步骤s70。
29.可选地，同样可对所述待扫边基板的其他3个基板边缘继续依次完成步骤s10至步骤s70。
30.本发明还提供了一种基板扫边处理方法，包括以下步骤：
31.s1、对经过一次强化处理后的大片型基板进行切割处理，得到小片型基板；
32.s2、对所述小片型基板的外形进行cnc加工作业；
33.s3、对经过cnc加工作业后的待处理基板采用本发明的基板扫边处理系统进行基板扫边处理；
34.s4、将扫边处理后的基板清洗干净，并烘干后进入后段工序。
35.可选地，在步骤s3中，一边喷淋抛光粉，一边控制抛光轮刷洗所述待扫边基板边缘。
36.本发明提供的基板扫边处理系统及其基板扫边处理方法的有益效果在于：通过控制待扫边基板进行旋转运动，同时控制抛光轮沿单一直线上的来回方向进行往复运动完成每次扫边动作，更容易控制抛光轮每次扫边切入待处理基板的切入量相同，同时保证每次扫边动作的稳定性，从而有效地解决了小片型基板进行扫边处理时难以确保边缘的平整性的技术问题，提升了基板边缘的平整性和稳定性。
附图说明
37.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
38.图1为本发明实施例提供的基板扫边处理系统的第一示意图；
39.图2为本发明实施例提供的基板扫边处理方法的工艺流程图；；
40.图3为本发明实施例提供的基板扫边处理系统的第二示意图。
41.其中，图中各附图标记：
42.1—待处理基板，10—基板中心点，2—抛光轮，21—轮体，22—毛刷，20—抛光轮圆心，o—起点，a—第一次切入点，b、c—目标点，y—第一方向，x—第二方向，x’—第三方向。
具体实施方式
43.为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
44.需说明的是，本发明的说明书和权利要求书中的术语“包括”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如：包含一系列步骤或单元的过程、方法或系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同对象，而非用于描述特定顺序。“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
45.请参阅图1，本发明提供了一种基板扫边处理系统，
46.包括一加工平台(图中未示出)；
47.位于所述加工平台上的待处理基板1,所述待处理基板1具有一静置的初始状态，所述待处理基板1还具有一待扫边基板边缘；
48.抛光轮2；
49.所述抛光轮2与所述待处理基板1处于同一水平面上，位于所述待处理基板1外侧；
50.所述待处理基板1在所述加工平台上，以所述待处理基板1的基板中心点10为圆心进行顺时针或者逆时针旋转运动；
51.所述抛光轮2从起点o沿垂直于初始状态的待扫边基板边缘的方向来回进行靠近
或远离待处理基板运动，所述抛光轮的运动方向为第一方向y和y的反方向。同时，所述抛光轮自身同样需要进行旋转运动。通过所述抛光轮2的旋转切入待处理基板1的边缘，完成扫边处理作业。
52.在具体实施例中，所述待处理基板1在顺时针或者逆时针旋转过程中，由所述抛光轮2的起点o至待处理基板1的边缘的垂线的距离会变近或者变远，当所述距离变近时，所述抛光轮2运动距离缩短；当所述距离变远时，所述抛光轮2运动距离延长。
53.在本发明提供的基板扫边处理系统的一个具体实施例中，如图1所示，抛光轮2包括轮体21和毛刷22，毛刷22设置在轮体21的外表面上。具体地，轮体21与驱动机构连接，轮体21带动毛刷22旋转，毛刷22作用于待处理基板1的边缘上，可以将待处理基板1的具有微裂纹的边缘研磨掉。
54.请参阅图1与图2，本发明提供的基板扫边处理方法，包括以下步骤：
55.s10、提供一加工处理平台(图中未示出)；
56.s20、提供一位于所述加工处理平台上的待处理基板1,所述待处理基板1具有一初始状态，所述待处理基板还具有一待扫边基板边缘；
57.s30、提供一与所述待处理基板1位于同一水平面的抛光轮2，所述抛光轮2位于所述待处理基板1的外侧；
58.s40、控制所述待处理基板以所述基板的基板中心点10为圆心在待处理基板1所位于的水平面进行顺时针与逆时针旋转运动；
59.s50、在所述待处理基板1旋转运动的同时，控制所述抛光轮2从起点o沿垂直于初始状态的所述待扫边基板边缘的第一方向y进行靠近待处理基板1运动，所述运动过程中，所述抛光轮2同时进行旋转运动；
60.s60、控制所述抛光轮2按照设定的切入量切入所述待扫边基板边缘；
61.s70、所述抛光轮2在待扫边基板边缘完成切入设定切入量，达到第一次切入点a，控制所述抛光轮2从第一次切入点a沿垂直于初始状态的所述待扫边基板边缘的第一方向y的反方向返回抛光轮2的起点o，完成一次扫边动作。
62.在优选的实施例中，所述第一次扫边动作的切入点位于所述待扫边基板边缘的中点处，将步骤s10至步骤s70重复进行n次，使得扫边动作的切入点由第一次切入点a往目标点b或c移动，即第n次切入点为目标点b或c，n为大于1的整数，其中，第n次步骤s50中所述抛光轮的运动距离小于第n
‑
1次步骤s50中所述抛光轮的移动距离。
63.具体地，请参阅图3，所述待处理基板1的长为2l，宽为2m，所述抛光轮2的半径为r，所述切入量为h，所述抛光轮2第一次扫边时，沿第一方向y移动的距离为s，即s等于起点o和所述抛光轮2切入所述第一次切入点a时的抛光轮圆心20之间的距离。
64.当所述待处理基板1逆时针旋转θ角时，所述抛光轮2扫边时，沿第一方向y移动的距离为s’，即s’等于起点o和所述抛光轮2切入所述切入点a’时的抛光轮圆心20之间的距离。
65.所述待处理基板1位于初始状态与所述待处理基板1逆时针旋转θ角时，所述抛光轮2沿第一方向y移动的距离为差s为s与s’之间的差值，即s＝s
–
s’。
66.在本实施例中，所述待处理基板1位于初始状态时，穿过待处理基板的基板中心点10与待扫边基板边缘平行的方向为第二方向x，所述第二方向x与第一方向y处于垂直关系。
67.所述抛光轮2切入第一切入点a时，此时抛光轮圆心20与第二方向x所在直线的距离和抛光轮圆心20与基板中心点10的距离一样，距离为r+m
–
h。
68.参阅图3所示，所述待处理基板1逆时针旋转θ角时，穿过待处理基板的基板中心点10与待扫边基板边缘平行的方向为第三方向x’，所述抛光轮2切入切入点a’，由于待处理基板1逆时针旋转θ角时，为保证抛光轮2切入所述待处理基板1的边缘的切入量一致，穿过所述抛光轮圆心20到待扫边基板边缘的垂线也逆时针旋转θ角，此时抛光轮圆心20与第二方向x所在直线的距离为r+m
–
h+s，此时抛光轮圆心20与第三方向x’所在直线的距离仍为r+m
–
h，即所述待处理基板1逆时针旋转θ角时，抛光轮圆心20与第二方向x所在直线的距离增加s。所述第二方向x与第三方向x’的夹角同样为θ角。此时可形成一个锐角为θ角的直角三角形，所述直角三角形具有如下几何关系，cosθ＝(r+m
–
h)/(r+m
–
h+s)，即s＝[(r+m
–
h)/cosθ]
‑
(r+m
–
h)。
[0069]
由于切入量h几乎可以忽略不计，在具体的实施例中，所述直角三角形为如下几何关系s＝[(r+m)/cosθ]
‑
(r+m)时，同样可以保证对待处理基板1的扫边处理时，基板边缘的平整性。
[0070]
在具体是实施例中，本发明提供的基板扫边处理方法，还包括以下步骤：
[0071]
s1、对经过一次强化处理后的大片型基板进行切割处理，得到小片型基板；
[0072]
s2、对小片型基板的外形进行cnc加工作业；
[0073]
s3、对经过cnc加工作业后的待处理基板1采用扫边机进行扫边处理；
[0074]
s4、将扫边处理后的基板清洗干净，并烘干后进入后段工序。
[0075]
具体地，在智能手机、平板电脑等显示设备的制造过程中，为了取得尺寸大小匹配的基板，需要对经过一次强化处理后的大片型基板进行切割处理，得到小片型基板，接着对小片型基板的外形进行cnc加工作业，接着对经过cnc加工作业后的待处理基板1采用扫边机进行上述基板扫边处理系统，将待处理基板1的微裂纹去除，保持与增强基板的强度，同时保障基板的外形，然后将扫边处理后的基板清洗干净，并且烘干后进入后段工序。
[0076]
本发明提供的基板扫边处理方法，采用了本发明的基板扫边处理系统，通过控制抛光轮2在完成每次扫边动作的过程中均沿第一方向y往复移动，确保了每次扫边动作的的平稳性，更好地保障每次扫边动作的切入量相同，从而有效地解决了小片型基板进行扫边处理时难以确保边缘的平整性的技术问题，提升了基板边缘的平整性和均匀性。
[0077]
可选地，在本发明提供的基板扫边处理方法的一个具体实施例中，在步骤s3中，一边喷淋抛光粉，一边控制抛光轮2刷洗待处理基板1的边缘。即在进行基板扫边处理的过程中，一边向待处理基板1的边缘喷淋抛光粉，一边控制抛光轮2对待处理基板1的边缘进行刷洗，其中抛光粉中含有一定比例的氧化铈粉末，通过毛刷22的摩擦配合氧化铈与待处理基板1之间的作用，共同完成扫边动作。这样可以消除待处理基板1边缘的微裂纹，并且保持与增强基板的强度。
[0078]
以上仅为本发明的较优实施例而已，并不用于限制本发明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的权利要求范围之内。