PECVD或真空沉积腔传感器的防护结构的制作方法

本实用新型涉及一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构。

背景技术：

在pecvd设备生产太阳能电池过程中，在反应腔中硅片发生气相沉积时须对腔体内被沉积物及其载具的在籍检测；随着设备使用的时间的推移，感应光电传感器的发射面或者接收光源面的表面上会被沉积上相应的沉积物，造成光电传感器的误检。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，在反应腔体内进行气相沉积时，防止沉积气体沉积在光电传感器光源发射面上或沉积在反射板上。

本实用新型的目的通过如下技术方案实现：

一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，它包括内端与传感器感应端头或反射板固定设置的防护管以及设于防护管内端壁面上且出气口与防护管内腔相连通的送气管；所述防护管的延伸方向与传感器的光线发射或放射方向相平行。

较之现有技术而言，本实用新型的优点在于：

(1)在传感器感应端头(即光源)附近及反射板附近形成保护气流，将沉积物吹离。

(2)通过设置抽气管，使得防护管内形成从内端向外端的有序气体流动，充分避免沉积气体进入，防止感应端头或反射板上发生沉积。

附图说明

图1是本实用新型pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构的一种实施例的结构简图。

标号说明：传感器1、反射板2、防护管3、送气管4、出气口4-1、抽气管5、进气口5-1。

具体实施方式

下面结合说明书附图和实施例对本

技术实现要素：
进行详细说明：

如图1所示为本实用新型提供的一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构的实施例示意图。

一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，它包括内端与传感器1感应端头或反射板2固定设置的防护管3以及设于防护管3内端壁面上且出气口4-1与防护管内腔相连通的送气管4；所述防护管3的延伸方向与传感器1的光线发射或反射方向相平行。

所述送气管4的出气口4-1向防护管3的外端倾斜。

所述的pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，还包括设于防护管3外端壁面上且进气口5-1与防护管3内腔相连通的抽气管5。

所述抽气管5的进气口5-1向防护管3的内端倾斜。

技术特征：

1.一种pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，其特征在于：它包括内端与传感器感应端头或反射板固定设置的防护管以及设于防护管内端壁面上且出气口与防护管内腔相连通的送气管；所述防护管的延伸方向与传感器的光线发射或反射方向相平行。

2.根据权利要求1所述的pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，其特征在于：所述送气管的出气口向防护管的外端倾斜。

3.根据权利要求1或2所述的pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，其特征在于：它还包括设于防护管外端壁面上且进气口与防护管内腔相连通的抽气管。

4.根据权利要求3所述的pecvd或真空沉积腔传感器的防护结构，其特征在于：所述抽气管的进气口向防护管的内端倾斜。

技术总结
本实用新型涉及一种PECVD或真空沉积腔传感器的防护结构，它包括内端与传感器1感应端头或反射板2固定设置的防护管3以及设于防护管3内端壁面上且出气口4‑1与防护管内腔相连通的送气管4；所述防护管3的延伸方向与传感器1的光线发射或反射方向相平行。本实用新型的目的在于提供一种PECVD或真空沉积腔传感器的防护结构，在反应腔体内进行气相沉积时，防止沉积气体沉积在光电传感器光源发射面上或沉积在反射板上。

技术研发人员：倪鹏玉;张建德;赖礼铭
受保护的技术使用者：福建金石能源有限公司
技术研发日：2020.11.25
技术公布日：2021.08.17