一种卫星制造用材料碳化处理装置的制作方法

1.本发明涉及碳化技术领域，具体是一种卫星制造用材料碳化处理装置。


背景技术：

2.金属表面碳化处理技术是指将可熔化的碳化物与结合剂制成后覆盖于某些金属表面，并通过钎焊加固，达到金属硬化的目的。碳化物织物可由不同的碳化物和结合剂构成，可以是由镍、钴、镍一铬类结合剂粒子与碳化钨或其他碳化物共同粘结于氟碳纤维上制成。在碳化处理的方法包括固体渗碳法、液体渗碳法、气体渗碳法、真空渗碳法和离子渗碳法，固体渗碳法是通过渗剂和粘黏剂混合在一起形成渗碳剂，然后把渗碳剂涂抹在材料表面进行高温作用，渗剂和粘黏剂混合是混合否均匀尤为重要，同时手工把渗碳剂涂抹在材料表面操作复杂，严重影响工作效率。


技术实现要素：

3.本发明要解决的技术问题是解决手工把渗碳剂涂抹在材料表面，效率低下与渗剂和粘黏剂混合不均匀，提供一种卫星制造用材料碳化处理装置。
4.为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：
5.一种卫星制造用材料碳化处理装置，包括高温炉，所述的高温炉的底部相对设有支撑腿，所述的高温炉的一侧内部设有合页装置连接的开关门，所述的高温炉的一侧设有横板一，所述的高温炉的顶部设有横板二，所述的横板二的上端设有搅拌装置，所述的搅拌装置包括横板二上端的驱动电机，所述的驱动电机的一侧设有搅拌箱，所述的驱动电机的输出端设有转动轴，所述的转动轴延伸至搅拌箱内侧，所述的转动轴的外侧均匀交错的设有搅拌臂，所述的搅拌臂远离转动轴的一端均设有搅拌勺，所述的搅拌箱的底部设有出料口且出料口贯穿横板二，所述的出料口远离搅拌箱的一侧设有连接管，所述的横板一上设有渗碳箱，所述的渗碳箱内的装有多个渗碳剂和零件材料，所述的渗碳箱内的渗碳剂和零件材料安装方式为：渗碳箱内的最底层和最上层平铺渗碳剂，零件材料处于中间且两个零件材料之间间隔层平铺渗碳剂，所述的渗碳箱的上端内侧设有滑动连接的挡板。
6.采用以上结构后，本发明具有如下优点：本发明采用搅拌装置对渗碳剂的混合液体进行旋转搅拌，搅拌臂和搅拌勺旋转，对搅拌箱内渗碳剂的混合液体的产生剧烈的晃动，使得渗碳剂的混合液体混合更加均匀，同时通过连接管把渗碳剂的混合液体输送至渗碳箱内然后按照需求进行平铺渗碳剂和零件材料，结构简单，方便操作，可提高工作效率。
7.作为改进，所述的渗碳箱内的最底层和最上层的渗碳剂的厚度为40
‑
60mm，两个所述的零件材料之间间隔层的渗碳剂的厚度为20
‑
35mm。
8.作为改进，所述的渗碳剂、零件材料和挡板安装在渗碳箱时，渗碳箱的外侧涂抹一层耐火黏土泥，涂抹耐火黏土泥可防止渗碳箱内的碳气体外溢，同时外部空气也不会进入渗碳箱内侧。
9.作为改进，所述的搅拌箱的上端相对设有进料口。
10.作为改进，所述的连接管为倾斜向下结构且连接管的外侧设有开关阀。
11.作为改进，所述的渗碳箱远离高温炉的一侧设有拉把。
12.作为改进，所述的渗碳箱的材质为耐热钢板且耐热钢板的厚度为4
‑
12mm。
附图说明
13.图1是本发明一种卫星制造用材料碳化处理装置的结构示意图。
14.图2是本发明一种卫星制造用材料碳化处理装置的右视图。
15.图3是本发明一种卫星制造用材料碳化处理装置渗碳剂和零件材料的平铺示意图。
16.如图所示：1、高温炉；1.1、支撑腿；1.2、开关门；2、横板一；3、横板二；4、搅拌装置；4.1、驱动电机；4.11、转动轴；4.2、搅拌箱；4.3、搅拌臂；4.31、搅拌勺；4.4、出料口；4.6、进料口；5、连接管；6、渗碳箱；6.1、挡板；6.2、拉把；7、渗碳剂；8、零件材料。
具体实施方式
17.下面结合附图对本发明做进一步的详细说明。
18.结合附图1
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3，一种卫星制造用材料碳化处理装置，包括高温炉1，所述的高温炉1的底部相对设有支撑腿1.1，所述的高温炉1的一侧内部设有合页装置连接的开关门1.2，所述的高温炉1的一侧设有横板一2，所述的高温炉1的顶部设有横板二3，所述的横板二3的上端设有搅拌装置4，所述的搅拌装置4包括横板二3上端的驱动电机4.1，所述的驱动电机4.1的一侧设有搅拌箱4.2，所述的驱动电机4.1的输出端设有转动轴4.11，所述的转动轴4.11延伸至搅拌箱内侧，所述的转动轴4.11的外侧均匀交错的设有搅拌臂4.3，所述的搅拌臂4.3远离转动轴4.11的一端均设有搅拌勺4.31，所述的搅拌箱4.2的底部设有出料口4.4且出料口4.4贯穿横板二3，所述的出料口4.4远离搅拌箱4.2的一侧设有连接管5，所述的横板一2上设有渗碳箱6，所述的渗碳箱6内的装有多层渗碳剂7和零件材料8，所述的渗碳箱6内的渗碳剂7和零件材料8安装方式为：渗碳箱6内的最底层和最上层平铺渗碳剂7，零件材料8处于中间且两个零件材料8之间间隔层平铺渗碳剂7，所述的渗碳箱6的上端内侧设有滑动连接的挡板6.1。
19.所述的渗碳箱6内的最底层和最上层的渗碳剂7的厚度为40
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60mm，两个所述的零件材料8之间间隔层的渗碳剂7的厚度为20
‑
35mm。
20.所述的渗碳剂7、零件材料8和挡板6.1安装在渗碳箱6时，渗碳箱6的外侧涂抹一层耐火黏土泥。
21.所述的搅拌箱4.2的上端相对设有进料口4.6，从进料口4.6把渗剂和粘黏剂混合投入搅拌箱4.2内，渗碳剂7是由渗剂和粘黏剂混合而成，驱动电机4.1工作，带动转动轴4.11在旋转搅拌箱4.2内旋转，同时带动搅拌臂4.3和搅拌勺4.31对渗碳剂7的混合物旋转搅拌。
22.所述的连接管5为倾斜向下结构且连接管5的外侧设有开关阀。
23.所述的渗碳箱6远离高温炉1的一侧设有拉把6.2。
24.所述的渗碳箱6的材质为耐热钢板且耐热钢板的厚度为4
‑
12mm，本发明在具体实施时：渗碳箱6的材质还可以为低碳钢板，渗碳箱6的一侧设有滑槽，挡板6.1可通过滑槽对
渗碳箱6进行密封。
25.本发明的工作原理：首先，打开开关门，工人通过拉把把渗碳箱从高温炉内取出，渗碳剂在搅拌装置内旋转搅拌，把挡板拆掉，然后通过开关阀，使得搅拌箱内的渗碳剂通过连接管流入渗碳箱内进行平铺，然后把零件材料放在渗碳剂上方，依次操作，完毕之后，把开关阀关闭，挡板安装在渗碳箱的滑槽进行密封，在渗碳箱的外侧涂抹一层耐火黏土泥，然后把渗碳箱推入高温炉内进行800
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900℃高温烘烤，使得渗碳剂对零件材料进行碳化。
26.以上对本发明及其实施方式进行了描述，这种描述没有限制性，附图中所示的也只是本发明的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。总而言之如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本发明创造宗旨的情况下，不经创造性的设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本发明的保护范围。


技术特征：
1.一种卫星制造用材料碳化处理装置，包括高温炉(1)，其特征在于，所述的高温炉(1)的底部相对设有支撑腿(1.1)，所述的高温炉(1)的一侧内部设有合页装置连接的开关门(1.2)，所述的高温炉(1)的一侧设有横板一(2)，所述的高温炉(1)的顶部设有横板二(3)，所述的横板二(3)的上端设有搅拌装置(4)，所述的搅拌装置(4)包括横板二(3)上端的驱动电机(4.1)，所述的驱动电机(4.1)的一侧设有搅拌箱(4.2)，所述的驱动电机(4.1)的输出端设有转动轴(4.11)，所述的转动轴(4.11)延伸至搅拌箱内侧，所述的转动轴(4.11)的外侧均匀交错的设有搅拌臂(4.3)，所述的搅拌臂(4.3)远离转动轴(4.11)的一端均设有搅拌勺(4.31)，所述的搅拌箱(4.2)的底部设有出料口(4.4)且出料口(4.4)贯穿横板二(3)，所述的出料口(4.4)远离搅拌箱(4.2)的一侧设有连接管(5)，所述的横板一(2)上设有渗碳箱(6)，所述的渗碳箱(6)内的装有多层渗碳剂(7)和零件材料(8)，所述的渗碳箱(6)内的渗碳剂(7)和零件材料(8)安装方式为：渗碳箱(6)内的最底层和最上层平铺渗碳剂(7)，零件材料(8)处于中间且两个零件材料(8)之间间隔层平铺渗碳剂(7)，所述的渗碳箱(6)的上端内侧设有滑动连接的挡板(6.1)。2.根据权利要求1所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的渗碳箱(6)内的最底层和最上层的渗碳剂(7)的厚度为40
‑
60mm，两个所述的零件材料(8)之间间隔层的渗碳剂(7)的厚度为20
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35mm。3.根据权利要求2所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的渗碳剂(7)、零件材料(8)和挡板(6.1)安装在渗碳箱(6)时，渗碳箱(6)的外侧涂抹一层耐火黏土泥。4.根据权利要求1所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的搅拌箱(4.2)的上端相对设有进料口(4.6)。5.根据权利要求1所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的连接管(5)为倾斜向下结构且连接管(5)的外侧设有开关阀。6.根据权利要求2所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的渗碳箱(6)远离高温炉(1)的一侧设有拉把(6.2)。7.根据权利要求6所述的一种卫星制造用材料碳化处理装置，其特征在于：所述的渗碳箱(6)的材质为耐热钢板且耐热钢板的厚度为4
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12mm。

技术总结
一种卫星制造用材料碳化处理装置，包括高温炉，所述的横板二的上端设有搅拌装置，所述的出料口远离搅拌箱的一侧设有连接管，所述的横板一上设有渗碳箱，所述的渗碳箱内的装有多个渗碳剂和零件材料。采用以上结构后，本发明具有如下优点：本发明采用搅拌装置对渗碳剂的混合液体进行旋转搅拌，搅拌臂和搅拌勺旋转，对搅拌箱内渗碳剂的混合液体的产生剧烈的晃动，使得渗碳剂的混合液体混合更加均匀，同时通过连接管把渗碳剂的混合液体输送至渗碳箱内然后按照需求进行平铺渗碳剂和零件材料，结构简单，方便操作，可提高工作效率。可提高工作效率。可提高工作效率。


技术研发人员：秦静 祝青
受保护的技术使用者：西安中科西光航天科技有限公司
技术研发日：2021.09.18
技术公布日：2021/11/21