真空镀膜设备的制作方法

1.本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体涉及真空镀膜设备。


背景技术：

2.在真空镀膜工艺中，对基板加热可在一定程度上解决基板的翘曲变形问题，提高成膜均匀性。传统真空镀膜工艺中基板的加热多采用电阻丝加热的方式，电阻丝通电产生热量，热量传递给承载基板的样品台，样品台温度升高将热量传递给基板，加热效率低，能量利用率低，控温精度不高。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的在于提供一种能够解决现有技术中样品台加热效率低、能量利用率低或控温精度不高等问题的真空镀膜设备。本实用新型提供的技术方案为：
4.真空镀膜设备，包括蒸镀室和位于所述蒸镀室内的加热样品台和蒸镀源，所述加热样品台上方设置有加热元件和温度传感器，所述加热样品台下方设有可移动的基片挡板，所述基片挡板用于阻挡靶材蒸汽，所述加热样品台的上方设有第一回转机构，所述第一回转机构用于驱动所述加热样品台旋转。
5.可选地，所述加热元件为短波红外灯管。
6.可选地，所述温度传感器连接有pid控制器，所述温度传感器用于检测基片的温度。
7.可选地，所述基片挡板通过传动机构连接所述第二回转机构，所述第二回转机构通过所述传动机构带动所述基片挡板上下移动或旋转。
8.可选地，所述加热元件连接所述pid控制器。
9.可选地，所述温度传感器为非接触式温度传感器。
10.可选地，所述温度传感器的测量精度小于或等于1℃。
11.可选地，所述加热样品台包括样品台主体和样品台附件，所述样品台主体与所述第一回转机构连接，所述样品台附件通过螺栓或螺柱固定安装。
12.可选地，所述加热样品台上方还设有包围所述加热元件的罩体。
13.可选地，所述蒸镀室内还设有夹持器。
14.可选地，所述加热样品台水平且居中安装。
15.采用本实用新型提供的技术方案，与现有技术相比，具有如下有益效果：
16.(1)采用短波红外线加热，升温迅速，发热均匀，加热样品台可旋转，受热均匀，加热效率高；
17.(2)配置pid控温系统，基片温度控制的准确性更好，进而提高真空镀膜的成膜均匀性；
18.(3)采用短波红外温度传感器，非接触式测温，安全性更好；
19.(4)基片温度范围150-600℃，温度传感器测量精度可达1℃，配置温度范围更大的
温度计可以获得更大的操作自由度。
附图说明
20.图1为本实用新型实施例提出的真空镀膜设备的结构示意图。
21.附图标记：1、加热样品台；2、基片挡板；3、第一回转机构；4、传动机构；5、温度传感器；6、第二回转机构；7、罩体；8、夹持器。
具体实施方式
22.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
23.在本实用新型的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，一体地连接，也可以是可拆卸连接；可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。
24.如图1所示的真空镀膜设备，包括蒸镀室和位于蒸镀室内的加热样品台1和蒸镀源，加热样品台1用于承载基片，加热样品台1上方设置有加热元件(图中未示出)和温度传感器5，加热样品台1下方设有可移动的基片挡板2，基片挡板2用于阻挡靶材蒸汽，加热样品台1的上方设有第一回转机构3，第一回转机构3用于驱动加热样品台1旋转。第一回转机构3的转速可调节并设定。加热样品台1上方还设有包围加热元件的罩体7，蒸镀室内还设有夹持器8，夹持器8底部固定于蒸镀室的底面。
25.在其他实施方式中，加热元件为短波红外灯管，温度传感器5连接有pid控制器(比例积分微分控制器)，温度传感器5用于检测基片的温度，温度传感器5为短波红外温度传感器5，可实现非接触式测温。短波红外灯管设于加热样品台1的正上方，短波红外灯管周围设有罩体7，罩体7具有朝向加热样品台1的开口，罩体7为不透光隔热罩体7，短波红外灯管发出的短波红外线可对基片进行加热，短波红外灯管可以为一个或一个以上。
26.在其他实施方式中，基片挡板2通过传动机构4连接第二回转机构6，第二回转机构6通过传动机构4带动基片挡板2上下移动或旋转，从而实现基片挡板2的上下调整和旋转；第二回转机构6位于基片挡板2上方，传动机构4包括连杆。基片挡板2还可以安装于支架上，支架用于调整基片挡板2的位置。
27.在其他实施方式中，温度传感器5连接有pid控制器，加热元件连接pid控制器。通过pid控制器调节加热样品台1的温度，从而精确控制基片温度。
28.在其他实施方式中，温度传感器5为非接触式温度传感器5，例如是红外温度传感器5；温度传感器5的测量精度小于或等于1℃。
29.在其他实施方式中，加热样品台1包括样品台主体和样品台附件，样品台主体与第一回转机构3连接，样品台附件通过螺栓或螺柱固定安装，加热样品台1在蒸镀室内水平且居中安装。
30.以上示意性地对本实用新型及其实施方式进行了描述，该描述没有限制性，附图中所示的也只是本实用新型的实施方式之一，实际的结构并不局限于此。所以，如果本领域的普通技术人员受其启示，在不脱离本实用新型创造宗旨的情况下，不经创造性地设计出与该技术方案相似的结构方式及实施例，均应属于本实用新型的保护范围。


技术特征：
1.真空镀膜设备，其特征在于，包括蒸镀室和位于所述蒸镀室内的加热样品台和蒸镀源，所述加热样品台上方设置有加热元件和温度传感器，所述加热样品台下方设有可移动的基片挡板，所述基片挡板用于阻挡靶材蒸汽，所述加热样品台的上方设有第一回转机构，所述第一回转机构用于驱动所述加热样品台旋转。2.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，所述加热元件为短波红外灯管。3.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，所述温度传感器连接有pid控制器，所述温度传感器用于检测基片的温度。4.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，所述基片挡板通过传动机构连接第二回转机构，所述第二回转机构通过所述传动机构带动所述基片挡板上下移动或旋转。5.根据权利要求3所述的真空镀膜设备，所述加热元件连接所述pid控制器。6.根据权利要求1所述的真空镀膜设备，所述温度传感器为非接触式温度传感器。7.根据权利要求1-6任一项所述的真空镀膜设备，所述温度传感器的测量精度小于或等于1℃。8.根据权利要求7所述的真空镀膜设备，所述加热样品台包括样品台主体和样品台附件，所述样品台主体与所述第一回转机构连接，所述样品台附件通过螺栓或螺柱固定安装。9.根据权利要求7所述的真空镀膜设备，所述加热样品台上方还设有包围所述加热元件的罩体。10.根据权利要求7所述的真空镀膜设备，所述蒸镀室内还设有夹持器。

技术总结
本实用新型公开了真空镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域，包括蒸镀室和位于所述蒸镀室内的加热样品台和蒸镀源，所述加热样品台用于承载基片，所述加热样品台上方设置有加热元件和温度传感器，所述加热样品台下方设有可上下调整并旋转的基片挡板，所述基片挡板用于阻挡靶材蒸汽，所述加热样品台的上方设有第一回转机构，所述第一回转机构用于驱动所述加热样品台旋转。本实用新型能够解决现有技术中样品台加热效率低、能量利用率低、控温精度不高等问题，易于实施且控温效果更好。易于实施且控温效果更好。易于实施且控温效果更好。


技术研发人员：邵建鑫 冯旭光 李通光
受保护的技术使用者：布劳恩惰性气体系统（上海）有限公司
技术研发日：2021.12.30
技术公布日：2022/7/25