基板处理装置及基板处理方法与流程

本申请关于一种基板处理装置及基板处理方法。本申请依据2021年1月8日申请的日本专利申请编号第2021-2158号而主张优先权。包含日本专利申请编号第2021-2158号的说明书、权利要求、附图及摘要的全部公开内容，以参照的方式全部援用于本申请。

背景技术：

1、半导体加工工序中使用的基板处理装置存在一种cmp(chemical mechanicalpolishing，化学机械研磨)装置。cmp装置依基板的被研磨面所朝向的方向大致上可区分为：“面朝上式(基板的被研磨面向上的方式)”与“面朝下式(基板的被研磨面向下的方式)”。

2、专利文献1中公开了：在面朝上式的研磨装置中，通过使直径比基板小的研磨垫一边旋转一边与基板接触来研磨基板。该研磨装置构成为，从用于保持研磨垫的研磨工具的中央放射状地形成有循环路径，并将供给至研磨工具的中心的研磨液从研磨工具的外周供给至基板。此外，该研磨装置构成为，通过形成于研磨垫的螺旋槽将从研磨工具的外周供给至基板的研磨液回收至研磨工具的中心。

3、现有技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：日本专利第5919592号公报

6、(发明要解决的问题)

7、但是，记载于专利文献1的技术并未考虑到应如何抑制基板的被研磨面的损伤，以提高研磨率。

8、亦即，由于研磨工具是旋转的零件，因此，为了经由研磨工具供给研磨液，需要设置旋转接头(或是具有与旋转接头同等功能的零件；以下仅称为旋转接头)。在研磨液通过旋转接头内时，旋转接头内部的零件会因为研磨液所含的研磨粒而磨损，因磨损而产生的粒子与研磨液一起混入研磨垫与基板之间，可能会损伤基板的被研磨面。

9、另外，在不经由研磨工具供给研磨液情况下，不易在研磨垫的研磨面与基板的被研磨面之间供给足够的研磨液。这一点，如专利文献1所记载，通过使用形成有螺旋槽的研磨垫并且在研磨工具中形成循环路径即可使研磨液循环。但是，因为专利文献1所公开的方法是经由研磨工具使研磨液循环，所以未必能将新鲜的研磨液供给至研磨工具与基板之间。因而，专利文献1的方法有无法在基板的被研磨面的中央供给足够的新鲜研磨液，而可能导致研磨率降低。此外，使研磨液循环来使用时，研磨基板时产生的残留物亦可能损伤基板的被研磨面。

技术实现思路

1、因此，本申请的目的之一为抑制基板的被研磨面的损伤，且使研磨率提高。

2、(解决问题的手段)

3、根据一个实施方式，公开一种基板处理装置，包含：工作台，该工作台用于支承基板；垫保持器，该垫保持器用于保持研磨垫，该研磨垫用于研磨被所述工作台支承的基板；喷嘴，该喷嘴用于供给研磨液至所述垫保持器的周围；及垫旋转机构，该垫旋转机构用于使所述垫保持器旋转，所述垫保持器具有：排出孔，该排出孔形成于保持所述研磨垫的保持面的中央部；及排出路，该排出路从所述排出孔连通至所述垫保持器的外部。

技术特征：

1.一种基板处理装置，其特征在于，包含：

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

3.如权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

4.如权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，

5.如权利要求1-4中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

6.如权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，

7.如权利要求1-6中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，进一步包含：

8.如权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于，

9.如权利要求7或8所述的基板处理装置，其特征在于，

10.如权利要求1-9中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

11.一种基板处理方法，其特征在于，包含如下步骤：

12.如权利要求11所述的基板处理方法，其特征在于，

13.如权利要求12所述的基板处理方法，其特征在于，

14.如权利要求11-13中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

15.如权利要求14所述的基板处理方法，其特征在于，

16.如权利要求11-15中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

技术总结
抑制基板的被研磨面损伤，且使研磨率提高。基板处理装置包含：用于支承基板(WF)的工作台(100)；用于保持研磨垫(222)的垫保持器(226)，该研磨垫(222)用于研磨被工作台(100)支承的基板(WF)；用于在垫保持器(226)的周围供给研磨液的喷嘴(228)；及用于使垫保持器(226)旋转的垫旋转机构，垫保持器(226)具有：形成于保持研磨垫(222)的保持面(221‑2c)的中央部的排出孔(221‑2a)；及从排出孔(221‑2a)连通至垫保持器(226)外部的排出路(221‑2b)。

技术研发人员：大田浩平,高田畅行
受保护的技术使用者：株式会社荏原制作所
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15