技术特征：
1.一种zr-cu二元非晶材料，包括原子百分比为30～70％的zr和原子百分比为30～70％的cu。2.根据权利要求1所述的zr-cu二元非晶材料，其特征在于，所述zr的原子百分比为45～55％，所述cu的原子百分比为45～55％。3.权利要求1～2任意一项所述zr-cu二元非晶材料在锕系材料和非放射性材料表面防护中的应用。4.根据权利要求3所述的应用，其特征在于，当应用于锕系材料表面防护中时，所述应用包括以下步骤：采用cu和zr为靶材，对锕系材料进行共聚焦磁控溅射，在锕系材料表面包覆zr-cu二元非晶薄膜。5.根据权利要求4所述的应用，其特征在于，所述共聚焦磁控溅射包括以下步骤：(1)将cu靶和zr靶安装于磁控溅射靶头；(2)将表面抛光的锕系材料烘烤后放置于基底；(3)抽真空后通入惰性气体，启动zr靶和cu靶，开启基底旋转功能，进行共聚焦磁控溅射，得到表面包覆zr-cu二元非晶薄膜的锕系材料。6.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述烘烤的温度为100～200℃。7.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述抽真空的本底真空度为不高于1
×
10-3
pa，工作真空度为3
×
10-1
～3pa。8.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述共聚焦磁控溅射的沉积时间为10～120min。9.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，所述共聚焦磁控溅射的次数不少于1次。10.根据权利要求5所述的应用，其特征在于，zr靶的靶基距为25～35mm，所述zr靶的离子束直流电源功率为50～75w，所述cu靶的靶基距为70～90mm，所述cu靶的离子束直流电源功率为30～50w。
技术总结
本发明属于材料表面防护技术领域，具体涉及一种Zr-Cu二元非晶材料及其应用。本发明提供的Zr-Cu二元非晶材料，包括原子百分比为30～70％的Zr和原子百分比为30～70％的Cu。实施例结果表明，本发明提供的Zr-Cu二元非晶材料镀层后薄膜平整致密，厚度可控，表面镀层后的锕系材料在空气中放置一年后表面无明显腐蚀，在高温高湿环境下的抗腐蚀性能优于经典不锈铀(U-7.5Nb-2.5Zr)，且该非晶镀层较常规Al镀层抗辐照性能好，密度较高，晶格与锕系材料相匹配，可以提高锕系材料的长期抗腐蚀性能。可以提高锕系材料的长期抗腐蚀性能。可以提高锕系材料的长期抗腐蚀性能。
技术研发人员：张培 黄火根 胡梅娟 张厚亮 路超 施韬 法涛
受保护的技术使用者：中国工程物理研究院材料研究所
技术研发日：2022.09.27
技术公布日：2023/1/6