化学镀金浴的制作方法

本发明涉及一种化学镀金浴。

背景技术：

1、金具有仅次于银、铜的高电导率，热压合的连接性等物理性质优异，并且耐氧化性、耐化学性等化学性质也优异。因此，在电子工业领域，用金进行的镀金被作为印刷线路板的电路、ic封装体的安装部分或端子部分等的最终表面处理法而广泛使用。近年来，伴随着电子部件的小型化、高密度化，较适宜使用不需要导线而功能性等优异的化学镀覆法。

2、作为该化学镀覆法，例如使用化学镀镍浸金法(electroless nickel immersiongold：enig)。通过使用该enig法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、置换镀金膜的镀膜。例如，还使用化学镀镍钯浸金法(electroless nickel electroless palladium immersiongold：enepig)。通过使用该enepig法能够得到依次镀上了化学镀镍膜、化学镀钯膜以及置换镀金膜的镀膜。

3、作为在这些化学镀覆法中使用的还原置换型化学镀金浴，例如有人提出以下化学镀金浴。该化学镀金浴含有水溶性金化合物、络合剂和还原剂，作为稳定剂添加了聚乙烯醇和/或聚乙烯吡咯烷酮。并且，通过使用如此的构成，能够仅在金属部分形成良好的镀金膜，适合用于陶瓷ic或封装体等的镀金处理(例如，参照专利文献1)。

4、专利文献1：日本专利公报专利第2927142号

技术实现思路

1、－发明要解决的技术问题－

2、此处，在上述现有化学镀金浴中，由于金难以在镀钯膜上析出，因此存在以下问题：在微小的端子部分等，镀金膜的形成不充分，难以形成均匀的镀金膜。

3、为了在镀镍膜上形成具有充分厚度(0.1μm以上的厚度)的镀金膜，需要在对被镀覆物上形成置换镀金膜后，再使用上述化学镀金浴来形成化学镀金膜，因此存在需要两道工序的问题。

4、于是，鉴于上述问题，本发明的目的在于：提供一种化学镀金浴，其在enig法和enepig法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

5、－用于解决技术问题的技术方案－

6、为达成上述目的，本发明所涉及的化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐、异丙基肼盐酸盐、1,1－二甲基肼、2－肼基苯并噻唑、乙酰肼、2－羟乙基肼、乙氧羰基肼、甲氧羰基肼、苯肼－4－磺酸以及苯甲酰肼所构成的组中选择的至少一种。

7、－发明的效果－

8、根据本发明，能够提供一种化学镀金浴，其在enig法和enepig法的任一种方法中，都能够用一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。

技术特征：

1.一种化学镀金浴，其含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，其特征在于：

2.根据权利要求1所述的化学镀金浴，其特征在于：

3.根据权利要求1或2所述的化学镀金浴，其特征在于：

4.根据权利要求1或2所述的化学镀金浴，其特征在于：

5.根据权利要求1或2所述的化学镀金浴，其特征在于：

技术总结
本发明公开了一种化学镀金浴，其在ENIG法和ENEPIG法的任一种方法中，能够以一道工序来形成均匀的具有充分厚度的镀金膜。化学镀金浴含有亚硫酸金盐、硫代硫酸盐、抗坏血酸类、肼类，肼类为从己二酸二酰肼、丙酸酰肼、硫酸肼、单盐酸肼、二盐酸肼、碳酸肼、肼一水合物、癸二酸二酰肼、十二烷二羧酸二酰肼、间苯二甲酸二酰肼、水杨酸酰肼、3－氢－2－萘甲酸酰肼、二苯甲酮腙、苯肼、苯甲基肼单盐酸盐、甲基肼硫酸盐以及异丙基肼盐酸盐等所构成的组中选择的至少一种。

技术研发人员：田中小百合,前川拓摩,田邉克久,柴山文德
受保护的技术使用者：上村工业株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13