一种延长晶振片寿命的蒸镀机的制作方法

1.本发明涉及半导体领域，具体涉及一种延长晶振片寿命的蒸镀机。


背景技术：

2.在led半导体芯片领域，经常应用真空蒸镀机在晶圆片上镀膜；蒸镀机中安装有晶振片用于计算镀膜厚度。
3.晶振片主要结构为石英晶体，而石英晶体具有压电效应，如果在晶体的表面上镀一层薄膜，则晶体的固有震荡频率就会改变；换言之晶振片上承载的质量越大，其震荡频率越低。
4.但晶振片的承载质量与震荡频率并非线性关系；随着震荡频率的下降，晶振片侦测膜厚不仅会变得不精确，而且晶振片长期载荷较大容易失效。特别是在如黄金、铂金等密度较大的材料蒸镀时，会大大减少晶振片的寿命，从而提高生产成本。本领域迫切需要一种能延长晶振片使用寿命的结构。


技术实现要素：

5.本发明所要解决的技术问题是：提供一种延长晶振片寿命的蒸镀机，不仅延长晶振片的使用寿命还使膜厚的侦测结构精确。
6.为了解决上述技术问题，本发明采用的一种技术方案为：一种延长晶振片寿命的蒸镀机，所述蒸镀机包括蒸镀腔，所述蒸镀腔内设有镀源和晶振片，所述晶振片连接有膜厚计，所述延长晶振片寿命的蒸镀机包括遮挡板，所述遮挡板自转设置，所述遮挡板自转所绕轴线垂直于遮挡板；
7.所述遮挡板包括多个遮挡部和多个镂空部；多个所述遮挡部绕遮挡板自转轴线均匀设置，所述镂空部设置在相邻的遮挡部之间；所述镂空部上设有镂空通道；
8.所述镂空通道和遮挡部旋转所扫过平面均阻隔在镀源和晶振片之间。
9.本发明的有益效果在于：所述延长晶振片寿命的蒸镀机中，镀源使蒸镀材料挥发后蒸镀在晶圆片上或经过遮挡板蒸镀在晶振片上。
10.所述遮挡板旋转，因为遮挡板上设有镂空通道和遮挡部；故而蒸镀材料从镀源蒸镀到晶振片上的路径时而被遮挡部阻挡，时而由镂空通道连通。因此所述遮挡板的设置使晶振片被镀膜较少。调节膜厚计的修正系数，使膜厚计在接收晶振片的震荡频率后可计算出正确的晶圆片上镀膜厚度。
11.本发明提供的延长晶振片寿命的蒸镀机中的晶振片镀膜厚度比晶圆片上的镀膜厚度薄，不仅使晶振片的侦测膜厚精度更高，还使晶振片长期处于载荷较低的状态下，延长了晶振片的使用寿命。
附图说明
12.图1为本发明具体实施方式的一种延长晶振片寿命的蒸镀机的整体结构示意图；
13.图2为本发明具体实施方式的一种延长晶振片寿命的蒸镀机的部分结构示意图；
14.标号说明：
15.1、镀源；2、晶振片；3、遮挡板；31、遮挡部；32、镂空通道；33、卡接凸起；4、镀锅；5、行星轨；6、旋转环。
具体实施方式
16.为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
17.请参照图1-2，一种延长晶振片寿命的蒸镀机，所述蒸镀机包括蒸镀腔，所述蒸镀腔内设有镀源1和晶振片2，所述晶振片2连接有膜厚计，所述延长晶振片寿命的蒸镀机包括遮挡板3，所述遮挡板3自转设置，所述遮挡板3自转所绕轴线垂直于遮挡板3；
18.所述遮挡板3包括多个遮挡部31和多个镂空部；多个所述遮挡部31绕遮挡板3自转轴线均匀设置，所述镂空部设置在相邻的遮挡部31之间；所述镂空部上设有镂空通道32；
19.所述镂空通道32和遮挡部31旋转所扫过平面均阻隔在镀源1和晶振片2之间。
20.由上描述可知，本发明的有益效果在于：所述延长晶振片寿命的蒸镀机中，镀源1使蒸镀材料挥发后蒸镀在晶圆片上或经过遮挡板3蒸镀在晶振片2上。
21.所述遮挡板3旋转，因为遮挡板3上设有镂空通道32和遮挡部31；故而蒸镀材料从镀源1蒸镀到晶振片2上的路径时而被遮挡部31阻挡，时而由镂空通道32连通。因此所述遮挡板3的设置使晶振片2被镀膜较少。调节膜厚计的修正系数，使膜厚计在接收晶振片2的震荡频率后可计算出正确的晶圆片上镀膜厚度。
22.本发明提供的延长晶振片寿命的蒸镀机中的晶振片2镀膜厚度比晶圆片上的镀膜厚度薄，不仅使晶振片2的侦测膜厚精度更高，还使晶振片2长期处于载荷较低的状态下，延长了晶振片2的使用寿命。
23.进一步地，还包括镀锅4，所述镀源1、镀锅4、遮挡板3和晶振片2自下到上依次设置。
24.由上描述可知，所述镀锅4用于放置晶圆片，上述设置提供一种镀源1、镀锅4、遮挡板3和晶振片2合理的空间布置结构。
25.进一步地，所述蒸镀腔内壁上水平设有环状的行星轨5，所述镀锅4滑动连接行星轨5。
26.由上描述可知，所述镀锅4旋转设置，使晶圆片被镀膜得更均匀。
27.进一步地，所述遮挡板3截面呈圆形，所述镂孔通道截面呈扇形；所述镂空通道32的半径均沿遮挡板3半径设置。
28.由上描述可知，因为晶振片2可以在遮挡板3半径的长度方向上任意设置，上述设置使晶振片2无论设置在何处，其被蒸镀上的膜厚与晶圆片上的膜厚比保持不变。
29.进一步地，多个所述镂空通道32截面的总面积为遮挡板3面积的0.35-0.65倍。
30.由上描述可知，提供一种合理的镂空通道32大小。
31.进一步地，还包括旋转环6和电机，所述旋转环6水平设置，所述旋转环6的外圈的整个圆周滑动连接蒸镀腔；所述电机传动连接旋转环6，所述遮挡板3覆盖并固定于旋转环6内圈。
32.由上描述可知，提供一种简单高效的驱动遮挡板3旋转的结构。
33.进一步地，所述旋转环6的内圈设有卡接槽，所述遮挡板3边沿设有对应卡接槽的卡接凸起33，所述遮挡板3通过卡接槽与旋转环6固定连接。
34.由上描述可知，提供一种遮挡板3可拆卸结构，方便清洗遮挡板3，或蒸镀某些密度较低的材料，而无需用到遮挡板3时，可取下遮挡板3。
35.进一步地，还包括镀锅4，所述镀锅4与旋转环6固定连接。
36.由上描述可知，镀锅4也由旋转环6驱动旋转，用同一套结构同时带动遮挡板3和镀锅4旋转，使所述延长晶振片寿命的蒸镀机结构简单。
37.本发明的延长晶振片寿命的蒸镀机的应用背景为：当镀膜工艺需要节省晶振片2的使用量时。
38.实施例一
39.请参照图1-2，一种延长晶振片寿命的蒸镀机，所述蒸镀机包括蒸镀腔，所述蒸镀腔内设有镀源1和晶振片2，所述晶振片2连接有膜厚计，其特征在于，所述延长晶振片寿命的蒸镀机包括遮挡板3，所述遮挡板3自转设置，所述遮挡板3自转所绕轴线垂直于遮挡板3；
40.所述遮挡板3包括多个遮挡部31和多个镂空部；多个所述遮挡部31绕遮挡板3自转轴线均匀设置，所述镂空部设置在相邻的遮挡部31之间；所述镂空部上设有镂空通道32；
41.所述镂空通道32和遮挡部31旋转所扫过平面均阻隔在镀源1和晶振片2之间。
42.所述延长晶振片寿命的蒸镀机还包括镀锅4、旋转环6和电机，所述镀源1、镀锅4、遮挡板3和晶振片2自下到上依次设置。
43.所述蒸镀腔内壁上水平设有环状的行星轨5，所述镀锅4滑动连接行星轨5。
44.所述遮挡板3截面呈圆形，所述镂孔通道截面呈扇形；所述镂空通道32的半径均沿遮挡板3半径设置。
45.多个所述镂空通道32截面的总面积为遮挡板3面积的0.35-0.65倍。
46.所述旋转环6水平设置，所述旋转环6的外圈的整个圆周滑动连接蒸镀腔；所述电机传动连接旋转环6，所述遮挡板3覆盖并固定于旋转环6内圈。
47.所述旋转环6的内圈设有卡接槽，所述遮挡板3边沿设有对应卡接槽的卡接凸起33，所述遮挡板3通过卡接槽与旋转环6固定连接。
48.所述镀锅4与旋转环6固定连接。
49.本发明的延长晶振片寿命的蒸镀机使用及原理：
50.工作人员将晶圆片设置在镀锅4上，当所述延长晶振片寿命的蒸镀机启动时，电机带动旋转环6自转，水平旋转环6上连有遮挡板3和镀锅4，故而旋转环6带动遮挡板3和镀锅4旋转。同时镀源1蒸发的蒸镀材料，自下而上散发到整个蒸镀腔内。因为旋转环6外圈的整个圆周滑动连接蒸镀腔，而遮挡板3又覆盖旋转环6内圈，故而旋转环6和遮挡板3的结构是完全阻隔在蒸镀材料向上挥发的路径上的。但遮挡板3上设有镂空通道32，蒸镀材料可以通过镂空通道32蒸镀在晶振片2上。
51.晶振片2从上到下的投影总是在镂空通道32旋转所扫过的平面上，晶振片2从上到下的投影总是在遮挡部31旋转所扫过的平面上。故而蒸镀材料时而能蒸镀到晶振片2上，时而被遮挡板3阻挡；使晶振片2上镀膜的厚度相比于晶圆片上的少。工作人员只需调节膜厚计的修正系数，就能从膜厚计上得到晶圆片上镀膜的厚度。
52.因为晶振片2上镀膜厚度较薄，每次蒸镀晶振片2的载荷总是较低，以此延长了晶振片2的使用寿命。
53.修正系数获取以及修正系数的验证例：
54.设置一个对照实验，包括一个实验蒸镀机，所述实验蒸镀机除了没有遮挡板，其余结构与本实施例1的所述延长晶振片寿命的蒸镀机的结构完全相同，使用所述延长晶振片寿命的蒸镀机和实验蒸镀机以相同速率蒸镀同一种金属。以实验蒸镀机的膜厚计数据和本实施例1中未修正的膜厚计数据之比作为修正系数。
55.经过验证，本实施例1所述延长晶振片寿命的蒸镀机的镀源蒸镀同种金属的情况下，无论蒸镀速率快慢，经过修正系数修正后膜厚计的数据与台阶仪测量晶圆片上的膜厚数据基本相符。
56.以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。