立式PVD倾斜沉积硅片装载装置的制作方法

本技术涉及一种立式pvd倾斜沉积硅片装载装置。

背景技术：

1、pvd物理气相沉积技术是指在真空条件下采用物理方法将材料源(固体或液体)表面气化成气态原子或分子，或部分电离成离子，并通过低压气体(或等离子体)过程，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术，物理气相沉积是主要的表面处理技术之一。

2、大面积磁控溅射镀膜设备有卧式和立式两种主要模式。目前用于topcon的磁控溅射是主要卧式装备，这种装备的有点是硅片上料方便，采用下镀膜可利用载板进行掩膜。卧式硅片装载装置主要由以下缺点：(1)硅片容易掉落，造成靶短路；(2)占地面积大；(3)不易实现双面沉积。目前缺少一种配合立式磁控溅射设备使用的硅片装载装置。

3、申请号为cn202122819467.7的实用新型专利公开一种刀粒真空镀膜装载架，包括刀粒安装架，所述刀粒安装架呈瓦状结构，包括瓦状底板、瓦状顶板、支撑杆和刀粒杆；所述瓦状顶板和所述瓦状底板上下对应设置，所述支撑杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于内侧，所述支撑杆和所述瓦状底板之间固定安装，所述支撑杆和所述瓦状顶板之间可拆卸安装；所述刀粒杆设于所述瓦状顶板和所述瓦状底板之间并位于外侧，所述刀粒杆和所述瓦状底板之间转动连接，所述刀粒杆和所述瓦状顶板之间转动连接；所述刀粒杆的下段还固定安装有拨动齿轮。上述专利技术不能适用于立式pvd磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。

4、申请号为cn201810599996.0的发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种物理气相沉积pvd装置，包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。同样，上述专利技术不能适用于立式pvd磁控溅射镀膜设备，无法克服现有技术中的存在的技术问题。

技术实现思路

1、本实用新型所要解决的技术问题是提供一种结构合理、适用立式磁控溅射设备使用的立式pvd倾斜沉积硅片装载装置。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种立式pvd倾斜沉积硅片装载装置；

3、包括基片架和至少一组掩膜托盘；

4、每组掩膜托盘包括两个掩膜托盘，每个掩膜托盘设有若干覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于覆膜区域内的掩膜托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔，所述镀膜通孔一侧延伸至掩膜托盘的正面侧壁，所述镀膜通孔另一侧延伸至与装配槽相通，装配槽下侧侧壁延伸有限位凸台，装配槽正面槽壁与限位凸台正面侧壁之间构成放置基板的空间；

5、基片架上设有至少一个工位，处于工位内的基片架两侧分别固定连接有斜撑板，两个斜撑板的正面分别朝向基片架外侧，所述斜撑板的反面侧壁设有形成有容纳掩膜托盘的卡槽，所述斜撑板上开有贯穿其正、反面的遮罩孔，所述遮罩孔完全覆盖掩膜托盘的所有镀膜通孔。

6、作为立式pvd倾斜沉积硅片装载装置的优选，所述基片架顶部设有若干与管式炉内导轨配合的导向滚轮，若干导向滚轮沿基片架的长度方向依次间隔布置。

7、作为立式pvd倾斜沉积硅片装载装置的优选，所述基片架底部设有与管式炉内驱动机构配合的拉光圆钢。

8、作为立式pvd倾斜沉积硅片装载装置的优选，基片架的斜撑板与竖直面之间具有10～15°的倾角。

9、采用这样的结构后，掩膜托盘的每个装配槽放置一片基片，两组掩膜托盘分别放置在基片架两组工位上，基片架竖直布置，每个掩膜托盘处于对应斜撑板的卡槽内。

10、利用本立式pvd倾斜沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。

技术特征：

1.一种立式pvd倾斜沉积硅片装载装置，其特征为：

2.根据权利要求1所述的立式pvd倾斜沉积硅片装载装置，其特征是：

3.根据权利要求1所述的立式pvd倾斜沉积硅片装载装置，其特征是：

4.根据权利要求1所述的立式pvd倾斜沉积硅片装载装置，其特征是：

技术总结
本技术给出了一种立式PVD倾斜沉积硅片装载装置；包括基片架和至少一组掩膜托盘；每组掩膜托盘包括两个掩膜托盘，每个掩膜托盘设有若干覆膜区域，处于覆膜区域内的掩膜托盘反面侧壁开有契合基片轮廓的装配槽，处于覆膜区域内的掩膜托盘还开有与基片的镀膜区域吻合的镀膜通孔，装配槽下侧侧壁延伸有限位凸台；基片架上设有工位，处于工位内的基片架两侧分别固定连接有斜撑板，两个斜撑板的正面分别朝向基片架外侧，斜撑板的反面侧壁设有形成有容纳掩膜托盘的卡槽，斜撑板上开有遮罩孔，遮罩孔完全覆盖掩膜托盘的所有镀膜通孔。利用本立式PVD倾斜沉积硅片装载装置可以实现靶材同时向多片基片进行镀膜作业，并且同一区域内可以通过两片基片镀膜。

技术研发人员：王杨阳,彭为报,葛怀庆,章新良,孙嵩泉
受保护的技术使用者：普乐新能源（蚌埠）有限公司
技术研发日：20221231
技术公布日：2024/1/12