在薄膜沉积工艺中从金属卤氧化物前体中除去氧的试剂的制作方法

本发明涉及使用高度亲氧化合物作为试剂使金属卤氧化物前体脱氧或者从通过在ald和cvd工艺中沉积金属卤氧化物前体而形成的中间体膜中除去氧的方法，并且具体地，涉及使用此种试剂促进脱氧以降低发生ald或cvd的温度以产生具有低氧含量的金属或金属氮化物膜。

背景技术：

0、背景

1、许多过渡金属(诸如w、mo、cr、v…)卤氧化物是挥发性的和热稳定的，并且可以作为前体用于原子层沉积(ald)和化学气相沉积(cvd)工艺以通过m-x和m＝o键的断裂来沉积纯金属或金属氮化物膜。许多实例包括us 20170062224、us 20180286668、wo 2019209289、us 20200131628、us 20070049045a、us 20030022065a、us 10510590b2、us20190067003a和us 4668528a。然而，在ald/cvd工艺期间完全除去含氧物质(即m＝o键的断裂)是个挑战，并且沉积膜的特性很大程度上取决于表面杂质(诸如在这种情况下的氧原子)的成功除去。

2、氢气和氢化物化合物(尤其是si、b、p、al的氢化物化合物)是强有力的还原试剂，其可以从金属卤氧化物中除去氧，并且产生作为挥发性副产物的水。然而，m＝o键被h2或氢化物还原典型地在高温(例如，>500℃)下发生，这与其中在其上沉积有膜的衬底不能承受此种高温的某些应用不相容。另外，过渡金属卤氧化物被氢气或氢化物还原导致形成卤化氢(例如，hcl)和水，这为处理腔室和下游设备(诸如真空管线、泵、压力调节阀等)产生高度腐蚀性气体环境。同时，作为副产物的水可以与表面金属卤氧化物或金属卤化物中间体反应，并留下氧污染。davis(davies m.,alloy selection for service in chlorine,hydrogen chloride and hydrochloric acid[用于在氯气、氯化氢和盐酸中使用的合金选择],2019,第2版)描述了此类影响。一些金属或半金属氢化物诸如alh3、b2h6、ph3、sih4、si2h6也是强有力的还原剂，但与氧原子的反应产物通常导致形成非挥发性金属或半金属氧化物(al2o3、b2o3、sio2…)。如此，此类金属或半金属氢化物不适合作为与金属卤氧化物前体的共反应物。

3、mo膜的应用已经获得了对替代一些层的加速的关注，尤其是在要求工艺低于500℃同时沉积高纯度膜的中段工序(middle-of-line)(mol)或后道工序(backend-of-the-line)(beol)中。mof6、mocl5、moocl4、moo2cl2是当与还原试剂(诸如h2)组合时沉积纯mo膜的公知的无机前体。据报道，moo2cl2在这些前体的组之间是较低腐蚀性的，并且是具有更高蒸气压的前体。由ald moo2cl2/h2沉积mo膜的最低温度是至少500℃，这主要是由于难以除去氧与钼之间的双键。

4、us10533023披露了由“金属有机”前体和还原剂形成金属膜，其中使具有呈氧化态的原子的第一化合物与双(三甲基甲硅烷基)六元环体系或相关化合物反应以形成相对于第一化合物具有呈还原态的原子的第二化合物。呈氧化态的原子选自由周期表的第2-12族、镧系元素、as、sb、bi、te、si、ge、sn和al组成的组。

5、wo 2020/023790披露了使用moocl4、moo2cl2，以1:100-10000比率的h2作为还原气体在500℃的高温下沉积mo来沉积纯金属膜，其中≤1原子％氧残留。对于w膜，使用wof4、wocl4、wo2cl2等。

6、us10510590披露了用于逻辑和存储器应用的低阻抗金属化叠层结构以及相关的制造方法，其中使用ald/cvd在含w层上沉积含mo层。通过将含w层暴露于还原剂和选自以下的含mo前体来沉积含mo层：mof6、mocl5、moo2cl2、moocl4和mo(co)6。工艺温度范围从300℃至700℃。

7、因此，降低沉积工艺的温度具有挑战性。

技术实现思路

1、披露了一种用于在衬底上沉积金属或金属氮化物膜的方法，该方法包括

2、使金属卤氧化物前体与亲氧试剂在容纳有该衬底的反应器中反应以使该金属卤氧化物前体脱氧；和

3、通过气相沉积工艺在该衬底上形成该金属或金属氮化物膜。所披露的方法可以包括以下方面中的一个或多个：

4、·进一步包括将衬底同时暴露于金属卤氧化物前体和亲氧试剂；

5、·进一步包括将衬底依次暴露于金属卤氧化物前体和亲氧试剂；

6、·进一步包括在脱氧之后将衬底依次暴露于还原剂；

7、·金属卤氧化物前体是m(a)xcoe，其中m是mo、w、v、nb、ta和cr；x是选自cl、br或i的卤素；a是m的氧化态并且a是范围从3至6的整数；c是数字，0<c<6；e是数字，0<e<3；c+2e＝a；

8、·亲氧试剂是n(b)xdof，其中n是过渡金属卤化物或卤氧化物，或者第14族或第15族卤化物、卤氧化物或氧化物；x是选自cl、br或i的卤素；b是n的氧化态并且b是范围从3至6的整数；d是数字，0≤d<6；f是数字，0<f<3；d+2f＝b；

9、·n的亲氧性大于m的亲氧性；

10、·金属卤氧化物前体选自由moo2cl2、moocl4、wocl4、wo2cl2、nbocl3、taocl3和cro2cl2组成的组；

11、·金属卤氧化物前体是moo2cl2；

12、·金属卤氧化物前体是金属氧前体；

13、·金属卤氧化物前体是含氧金属前体；

14、·亲氧试剂和它们的氧化产物是挥发性的；

15、·亲氧试剂是挥发性的；

16、·亲氧试剂的氧化产物是挥发性的；

17、·在沉积膜的表面上没有留下亲氧试剂及其氧化产物的元素的痕迹；

18、·亲氧试剂选自含第14族或含第15族的卤化物、卤氧化物或氧化物；

19、·亲氧试剂选自含第14族或含第15族的卤化物；

20、·亲氧试剂选自含第14族或含第15族的卤氧化物；

21、·亲氧试剂选自含第14族或含第15族的氧化物；

22、·亲氧试剂选自含过渡金属的卤化物或卤氧化物；

23、·亲氧试剂选自含过渡金属的卤化物；

24、·亲氧试剂选自含过渡金属的卤氧化物；

25、·亲氧试剂选自：

26、a.含第14族的：ccl4；cbr4；cocl2；co；r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基；或者sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

27、b.含第15族的：no、n2o、pcl3、pbr3、pi3；或者

28、c.含过渡金属的：vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4；

29、·亲氧试剂是含si亲氧试剂，其具有通式sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和的含碳配体、含氮配体、含氧配体、含硅配体；

30、·亲氧试剂是含si亲氧试剂，其具有通式sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

31、·含si亲氧试剂选自si2cl6、si2cl5h、si2cl4me2、si2clme5、si2cl2me4、si2br6、si2br5h、si2br4me2、si2brme5、si2br2me4、si2br5h、si2me6、si2i6、si2i5h、si2i4(me)2、si2(ome)6、si2(nr2)6(其中r＝h、me、et)、si2(nme2)5cl、si3cl8、si3br8、si3i8、或si4(me)9h；

32、·亲氧试剂是si2cl6(hcds)；

33、·亲氧试剂是选自以下的不含卤素的亲氧试剂：

34、含第14族的：co，r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基；或者

35、含第15族的：no、n2o；

36、·亲氧试剂是r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自h、me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基，其导致形成金属氮化物膜；

37、·亲氧试剂是tbu-n＝c＝o；

38、·亲氧试剂是选自vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4的金属卤化物或金属卤氧化物；

39、·亲氧试剂是wcl4、wcl5、或wcl6；

40、·亲氧试剂是挥发性的；

41、·亲氧试剂的产物是挥发性的；

42、·还原剂是h2或b2h6；

43、·还原剂是h2；

44、·还原剂是nh3；

45、·还原剂是选自co、sihcl3、sihbr3、或sihl3的亲氧试剂；

46、·沉积温度范围从50℃至500℃；

47、·沉积温度范围从100℃至500℃；

48、·沉积温度范围从150℃至485℃；

49、·沉积温度低于500℃；

50、·沉积温度低于485℃；

51、·金属或金属氮化物膜中的纯度大于大约98.5％；

52、·金属或金属氮化物膜中的纯度大于大约99％；

53、·金属或金属氮化物膜中的氧杂质小于大约1％；

54、·金属或金属氮化物膜中的氧杂质小于1.5％；

55、·金属或金属氮化物膜中的硅杂质是0％；

56、·金属或金属氮化物膜中的硅杂质是大约0％；

57、·金属卤氧化物前体具有范围从大约93％w/w至大约100％w/w的纯度；

58、·金属卤氧化物前体具有范围从大约99％w/w至大约99.999％w/w的纯度；

59、·亲氧试剂具有范围从大约93％w/w至大约100％w/w的纯度；

60、·亲氧试剂具有范围从大约99％w/w至大约99.999％w/w的纯度；

61、·还原剂具有范围从大约93％w/w至大约100％w/w的纯度；

62、·还原剂具有范围从大约99％w/w至大约99.999％w/w的纯度；

63、·气相沉积工艺是热cvd；

64、·气相沉积工艺是热ald；

65、·气相沉积工艺是等离子体增强cvd；

66、·气相沉积工艺是等离子体增强ald；和

67、·气相沉积工艺是空间ald。

68、还披露了一种用于从金属卤氧化物前体或由该金属卤氧化物前体沉积的中间体膜中除去氧以在表面上形成金属或金属氮化物膜的方法，该方法包括

69、使该金属卤氧化物前体或由该金属卤氧化物前体沉积的该中间体膜与亲氧试剂反应以形成金属中间体；和

70、通过气相沉积工艺通过还原剂将该金属中间体还原为在该表面上的金属或金属氮化物膜，

71、其中

72、该金属卤氧化物前体是m(a)xcoe，其中m是mo、w、v、nb、ta和cr；x是选自cl、br或i的卤素；a是m的氧化态并且a是范围从3至6的整数；c是数字，0<c<6；e是数字，0<e<3；c+2e＝a；并且

73、该亲氧试剂是n(b)xdof，其中n是过渡金属卤化物或卤氧化物，或者第14族或第15族卤化物、卤氧化物或氧化物；x是选自cl、br或i的卤素；b是n的氧化态并且b是范围从3至6的整数；d是数字，0≤d<6；f是数字，0<f<3；d+2f＝b，

74、其中n的亲氧性高于m的亲氧性，

75、其中该亲氧试剂和该亲氧试剂的氧化产物是挥发性的。所披露的方法可以包括以下方面中的一个或多个：

76、·金属卤氧化物前体选自moo2cl2、moocl4、wocl4、wo2cl2、nbocl3、taocl3和cro2cl2；

77、·亲氧试剂选自：

78、a.含第14族的：ccl4；cbr4；cocl2；co；r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自

79、b.me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基；或sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2，x是选自cl、br、i的卤素，r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

80、c.含第15族的：no、n2o、pcl3、pbr3、pi3；或者

81、d.含过渡金属的：vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4；

82、·亲氧试剂是含si亲氧试剂，其具有通式sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

83、·含si亲氧试剂选自si2cl6、si2cl5h、si2cl4me2、si2clme5、si2cl2me4、si2br6、si2br5h、si2br4me2、si2brme5、si2br2me4、si2br5h、si2me6、si2i6、si2i5h、si2i4(me)2、si2(ome)6、si2(nr2)6(其中r＝h、me、et)、si2(nme2)5cl、si3cl8、si3br8、si3i8、或si4(me)9h；

84、·亲氧试剂是si2cl6(hcds)；

85、·亲氧试剂是选自以下的不含卤素的亲氧试剂：

86、含第14族的：co，r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自h、me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基；或者

87、含第15族的：no、n2o；

88、·亲氧试剂是r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自h、me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基，其导致形成金属氮化物膜；

89、·亲氧试剂是tbu-n＝c＝o；

90、·亲氧试剂是选自vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4的金属卤化物或金属卤氧化物；

91、·亲氧试剂是wcl4、wcl5或wcl6；

92、·亲氧试剂是挥发性的；

93、·亲氧试剂的产物是挥发性的；

94、·还原剂是h2或b2h6；

95、·还原剂是h2；

96、·还原剂是nh3；

97、·还原剂是选自co、sihcl3、sihbr3、或sihl3的亲氧试剂；

98、·金属或金属氮化物膜中的氧杂质小于大约1％；

99、·气相沉积工艺是热cvd或ald、或者等离子体增强cvd或ald；

100、·沉积温度范围从50℃至500℃；

101、·沉积温度范围从100℃至500℃；

102、·沉积温度范围从150℃至485℃；

103、·沉积温度低于500℃；和

104、·沉积温度低于485℃。

105、还披露了一种用于使金属卤氧化物前体或由该金属卤氧化物前体沉积的中间体膜脱氧以在气相沉积工艺中形成金属或金属氮化物膜的试剂，该金属卤氧化物前体具有以下通式：m(a)xcoe，其中m是mo、w、v、nb、ta和cr；x是选自cl、br或i的卤素；a是m的氧化态并且a是范围从3至6的整数；c是数字，0<c<6；e是数字，0<e<3；c+2e＝a，

106、该试剂包括：

107、具有以下通式的亲氧试剂：n(b)xdof，其中n是过渡金属卤化物或卤氧化物，或者第14族或第15族卤化物、卤氧化物或氧化物；x是选自cl、br或i的卤素；b是n的氧化态并且b是范围从3至6的整数；d是数字，0≤d<6；f是数字，0<f<3；d+2f＝b，

108、其中该亲氧试剂的n的亲氧性高于该金属卤氧化物前体的m的亲氧性，

109、其中该亲氧试剂和该亲氧试剂的氧化产物是挥发性的。所披露的试剂可以包括以下方面中的一个或多个：

110、·金属卤氧化物前体选自moo2cl2、moocl4、wocl4、wo2cl2、nbocl3、taocl3和cro2cl2；

111、·亲氧试剂选自：

112、a.含第14族的：ccl4；cbr4；cocl2；co；r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基；或sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2，x是选自cl、br、i的卤素，r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

113、b.含第15族的：no、n2o、pcl3、pbr3、pi3；或者

114、c.含过渡金属的：vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4；

115、·亲氧试剂是具有以下通式的含si亲氧试剂：sixryxz，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基；

116、·含si亲氧试剂选自si2cl6、si2cl5h、si2cl4me2、si2clme5、si2cl2me4、si2br6、si2br5h、si2br4me2、si2brme5、si2br2me4、si2br5h、si2me6、si2i6、si2i5h、si2i4(me)2、si2(ome)6、si2(nr2)6(其中r＝h、me、et)、si2(nme2)5cl、si3cl8、si3br8、si3i8、或si4(me)9h；

117、·亲氧试剂是si2cl6；

118、·亲氧试剂是wcl4、wcl5或wcl6；

119、·亲氧试剂是r-n＝c＝o，其中r是h，或者选自me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu的烷基，其导致形成金属氮化物膜；

120、·亲氧试剂是tbu-n＝c＝o；

121、·亲氧试剂是选自vcl4、vcl3、nbcl5、tacl5、wcl6、wcl5、wocl4、或wcl4的金属卤化物或金属卤氧化物；

122、·亲氧试剂是挥发性的；

123、·亲氧试剂的氧化产物是挥发性的；

124、·亲氧试剂具有范围从大约93％w/w至大约100％w/w的纯度；

125、·亲氧试剂具有范围从大约99％w/w至大约99.999％w/w的纯度；和

126、·亲氧试剂具有按重量计小于20ppm的水杂质。

127、记法和命名法

128、以下详细说明和权利要求书利用了本领域中通常众所周知的许多缩写、符号和术语，并且包括：

129、如本文所使用，不定冠词“一个/种(a或an)”意指一个/种或多个/种。

130、如本文所使用，在正文或权利要求书中的“约(about)”或“大约(around/approximately)”意指所述值的±10％。

131、如本文所使用，在正文或权利要求书中的“室温”意指从大约20℃至大约25℃。

132、本文中使用来自元素周期表的元素的标准缩写。应理解的是，可通过这些缩写提及元素(例如，si是指硅，n是指氮，o是指氧，c是指碳，h是指氢，f是指氟等)。

133、提供了由化学文摘服务指定的唯一的cas登记号(即“cas”)以帮助更好地识别所披露的分子。

134、如本文所使用，式“m(a)xcoe”是指金属卤氧化物前体，其中m是mo、w、v、nb、ta和cr；x是选自cl、br或i的卤素；a是m的氧化态并且a是范围从3至6的整数；c是数字，0<c<6；e是数字，0<e<3；c+2e＝a。

135、如本文所使用，式“n(b)xdof”是指亲氧试剂，其中n是过渡金属卤化物或卤氧化物，或者第14族或第15族卤化物、卤氧化物或氧化物；x是选自cl、br或i的卤素；b是n的氧化态并且b是范围从3至6的整数；d是数字，0≤d<6；f是数字，0<f<3；d+2f＝b。

136、如本文所使用，式“sixryyz”是指含si亲氧试剂，其中x＝1至5，y和z＝0至12，y+z≤2x+2；x是选自cl、br、i的卤素；r是h、饱和或不饱和烃基、氨基、烷氧基、或甲硅烷基。

137、如本文所使用，式“m-x”是指金属卤化物，其中m是金属，x是选自cl、br、或i的卤素元素。

138、如本文所使用，式“mnx”是指金属氮化物，其中m是金属，n是氮，x是范围0<x≤2的正数，但不一定是整数。

139、如本文所使用，式“mox”是指金属氧化物，其中m是金属，o是氧，x是范围0<x≤3的正数，但不一定是整数。

140、如本文所使用，式“moxxy”是指金属氧卤化物，其中m是金属，o是氧，x是cl、br或i，x是范围0<x≤3的数，y是范围0<y≤6的数，2x+y≤6。x和y各自不一定是整数。

141、如本文所使用，式“r-n＝c＝o”是指异氰酸酯，其中r是饱和或不饱和烃基，诸如烷基，优选地，r＝h、me、et、ipr、npr、ibu、tbu、sbu、nbu。

142、如本文所使用，术语“烃基”是指仅含有碳和氢原子的饱和或不饱和的官能团。

143、如本文所使用，术语“烷基”是指仅含有碳和氢原子的饱和官能团。烷基是一种类型的烃。另外，术语“烷基”指直链、支链或环状烷基。直链烷基的实例包括但不限于甲基、乙基、丙基、丁基等。支链烷基的实例包括但不限于叔丁基。环状烷基的实例包括但不限于环丙基、环戊基、环己基等。

144、如本文所用，缩写“me”是指甲基；缩写“et”是指乙基；缩写“pr”是指丙基(即正丙基或异丙基)；缩写“ipr”是指异丙基；缩写“bu”是指任何丁基(正丁基、异丁基、叔丁基、仲丁基)；缩写“tbu”是指叔丁基；缩写“sbu”是指仲丁基；缩写“ibu”是指异丁基；缩写“ph”是指苯基。

145、术语“衬底”是指在其上进行工艺的一种或多种材料。衬底可以是指具有在其上进行工艺的一种或多种材料的晶片。衬底可以是在半导体、光伏、平板或lcd-tft装置制造中使用的任何合适的晶片。衬底还可以具有来自先前的制造步骤的已经沉积在其上的一个或多个不同材料层。例如，晶片可以包括硅层(例如，结晶的、非结晶的、多孔的等)、含硅层(例如，sio2、sin、sion、sicoh等)、含金属层(例如，铜、钴、钌、钨、铂、钯、镍、金等)、有机层如无定形碳、或光致抗蚀剂、或其组合。此外，衬底可以是平面的或图案化的。衬底可以包括用作mems、3dnand、mim、dram或feram装置应用中的介电材料(例如，基于zro2的材料、基于hfo2的材料、基于tio2的材料、基于稀土氧化物的材料、基于三元氧化物的材料等)的氧化物层或用作电极的基于氮化物的膜(例如，tan、tin、nbn)。本领域普通技术人员将认识到，本文所用的术语“膜”或“层”是指放置或铺展在表面上的一定厚度的一些材料并且该表面可为沟槽或线。在整个说明书和权利要求书中，晶片及其上的任何相关层被称为衬底。

146、在本文中需注意，术语“除氧剂”和“除氧”和“脱氧”可以互换使用。应理解，除氧剂可以对应于或涉及除氧或脱氧，并且除氧或脱氧可以是指除氧剂。

147、在本文中需注意，术语“膜”和“层”可以互换使用。应理解的是，膜可以对应于层或者与层相关，并且层可以是指膜。此外，本领域普通技术人员将认识到，本文所使用的术语“膜”或“层”是指铺设或散布在表面上的一定厚度的某种材料并且该表面可在从与整个晶片一样大至与沟槽或线一样小的范围内。

148、在本文中需注意，术语“孔(aperture)”、“间隙(gap)”、“通孔(via)”、“孔洞(hole)”、“开口(opening)”、“沟槽(trench)”和“结构(structure)”可以互换地用于指半导体衬底中形成的开口。

149、在本文中需注意，术语“沉积温度”、“衬底温度”和“工艺温度”可以互换使用。应理解的是，衬底温度可以对应于沉积温度或工艺温度或者与沉积温度或工艺温度相关，并且沉积温度或工艺温度可以是指衬底温度。

150、在本文中需注意，当前体在室温和环境压力下呈气态时，术语“前体”和“沉积化合物”和“沉积气体”可以互换使用。应理解的是，前体可以对应于沉积化合物或沉积气体，或者与沉积化合物或沉积气体相关，并且沉积化合物或沉积气体可以是指前体。

151、如本文所使用，缩写“nand”是指“与非("negated and"或"not and")”门；缩写“2d”是指平面衬底上的2维栅极结构；缩写“3d”是指3维或垂直栅极结构，其中栅极结构在垂直方向上堆叠。

152、范围在此可以表示为从约一个具体值和/或到约另一个具体值。当表示这样的范围时，应理解的是另一个实施例是从一个具体值和/或到另一个具体值、连同在所述范围内的所有组合。披露的实施例中列举的任何及所有范围包括其端点(即，x＝1至4或x在从1至4范围内包括x＝1、x＝4及x＝其间的任何数值)，不论是否使用术语“包括端点”。

153、在本文中对“一个实施例”或“实施例”的提及意指关于该实施例描述的特定特征、结构或特征可以包括在本发明的至少一个实施例中。说明书中不同地方出现的短语“在一个实施例中”不一定全部是指同一个实施例，单独的或替代性的实施例也不一定与其他实施例互斥。上述情况也适用于术语“实施”。

154、如本技术所使用，词语“示例性的”在本文中用于意指充当实例、示例或例证。本文描述为“示例性的”的任何方面或设计并不一定被解释为优于或有利于其他方面或设计。而是，使用词语示例性的旨在以具体的方式呈现概念。

155、权利要求中的“包括”是开放式过渡术语，其意指随后确定的权利要求要素是无排他性的清单，即，其他任何事物可以附加地被包括并且保持在“包括”的范围内。“包括”在此被定义为必要地涵盖更受限制的过渡术语“基本上由……组成”和“由……组成”；因此“包括”可以被“基本上由……组成”或“由……组成”代替并且保持在“包括”的清楚地限定的范围内。

156、此外，术语“或”旨在意指包括性的“或”而不是排他性的“或”。也就是说，除非另有说明或从上下文中清楚，否则“x采用a或b”旨在意指任何自然的包括性排列。也就是说，如果x采用a；x采用b；或x采用a和b两者，则在任何前述情况下均满足“x采用a或b”。此外，如在本技术和所附权利要求书中使用的冠词“一个/一种(a/an)”通常应被解释为意指“一个或多个/一种或多种(one or more)”，除非另有说明或从上下文清楚地指向单数形式。