一种掩膜条的制作方法与流程

文档序号:34361852发布日期:2023-06-04 17:33阅读:106来源:国知局
一种掩膜条的制作方法与流程

本发明涉及异形显示oled,特别涉及一种掩膜条的制作方法。


背景技术:

1、amoled显示面板可适用于手表手环等穿戴式的异形显示。amoled采用蒸镀工艺,各功能层材料加热汽化后透过金属掩膜条像素开孔,沉积在tft基板电路实现发光,特别是发光层材料需要用到高精细掩膜板(fmm),以保证材料精准蒸镀到基板上的特定区域。现有技术中常规的掩膜条100上设有矩形的有效成膜区域10,张网示意图如图1所示,箭头表示拉力。

2、异形显示oled,其tft基板显示电路区域设计为异形(圆形或其他非矩形形状),搭配的fmm有效成膜区域10也需设计为异形。掩膜条在张网过程中两端需被施加张力拉伸,掩膜条蚀刻开孔区域为矩形,则张力沿掩膜条截面分布均匀性较好,但如开孔区域为圆形等异形,则拉力沿掩膜条截面分布均匀性差,易导致掩膜条不同蚀刻区域位置的形变量不同,继而造成蚀刻开孔位置偏移以及掩膜条褶皱等问题,如图2所示。因此fmm与tft基板贴合镀膜后易出现阴影及混色等不良,直接影响产品良率,这也是目前异形显示屏的开发难点之一。


技术实现思路

1、本发明要解决的技术问题,在于提供一种掩膜条的制作方法,通过在有效镀膜区外侧形成外围为矩形的蚀刻缓冲区,且有效镀膜区的掩膜条厚度减薄,缓解异形屏用的掩膜条张网时拉力不均的问题,同时改善掩膜条与玻璃基板贴合情况,从而提高产品良率。

2、为了解决上述技术问题,本发明实施例提供了一种掩膜条的制作方法,所述掩膜条包括与异形显示屏一一对应设置的成膜区,每一成膜区包括有效镀膜区以及蚀刻缓冲区,所述蚀刻缓冲区位于所述有效镀膜区外围,且所述蚀刻缓冲区的外围为矩形;所述蚀刻缓冲区的蚀刻孔为非通孔,所述有效镀膜区的与异形显示屏的有效显示区对应设置,且蚀刻孔为通孔;所述有效镀膜区的掩膜条厚度小于所述蚀刻缓冲区的掩膜条厚度;所述方法包括:

3、步骤1、在掩膜条两面采用蚀刻工艺制作出矩形非通孔蚀刻区;

4、步骤2、将对应于有效镀膜区的矩形非通孔蚀刻区再次蚀刻,形成通孔且贯穿至设计开孔尺寸,同时有效镀膜区的掩膜条厚度减薄;所述有效镀膜区用于蒸镀材料穿过并沉积至tft基板电路形成有效显示区域;剩余的矩形非通孔蚀刻区则为蚀刻缓冲区。

5、进一步地,所述步骤1具体包括:

6、掩膜条第一蚀刻面采用第一光罩显影后蚀刻,蚀刻区域为矩形,所述第一蚀刻面为掩膜条与tft基板接触面;

7、掩膜条第二蚀刻面采用第二光罩显影,蚀刻区域为矩形,所述第二蚀刻面为蒸镀材料堆积面,通过两面蚀刻制作出矩形非通孔蚀刻区。

8、进一步地,所述第一光罩和第二光罩的矩形蚀刻区域对称设置且面积一致。

9、进一步地,两面蚀刻形成的矩形蚀刻区的蚀刻孔底部间距不小于2um。

10、进一步地,所述第一光罩蚀刻区域内的开孔尺寸小于所述第二光罩蚀刻区域内的开孔尺寸。

11、进一步地,所述步骤2中,将对应于有效镀膜区的矩形非通孔蚀刻区再次蚀刻,形成通孔且贯穿至设计开孔尺寸,具体包括:

12、掩膜条第二蚀刻面采用第三光罩显影,第三光罩的开孔区域与有效镀膜区对应设置,蚀刻形成通孔且贯穿至与显示屏的有效显示区对应的设计开孔尺寸,且有效镀膜区的掩膜条厚度整体减薄。

13、进一步地,所述掩膜条的厚度范围为20-100um。

14、本发明实施例的技术方案,至少具有如下优点:

15、1、通过在有效镀膜区外侧形成外围为矩形的蚀刻缓冲区,且蚀刻缓冲区为非通孔蚀刻区,减少张网时掩膜条受力不均匀现象,改善掩膜条的褶皱现象引起的混色不良,从而提高用于异形显示屏的掩膜条张网良率;

16、2、通过对有效镀膜区进行减薄,可一定程度减少掩膜条下垂量,改善掩膜条与玻璃基板贴合情况,改善镀膜阴影效应从而提高产品良率。



技术特征:

1.一种掩膜条的制作方法,其特征在于,所述掩膜条包括与异形显示屏一一对应设置的成膜区,每一成膜区包括有效镀膜区以及蚀刻缓冲区,所述蚀刻缓冲区位于所述有效镀膜区外围,且所述蚀刻缓冲区的外围为矩形;所述蚀刻缓冲区的蚀刻孔为非通孔,所述有效镀膜区的与异形显示屏的有效显示区对应设置,且蚀刻孔为通孔;所述有效镀膜区的掩膜条厚度小于所述蚀刻缓冲区的掩膜条厚度;所述方法包括:

2.根据权利要求1所述的掩膜条的制作方法,其特征在于:所述步骤1具体包括:

3.根据权利要求2所述的掩膜条的制作方法,其特征在于:所述第一光罩和第二光罩的矩形蚀刻区域对称设置且面积一致。

4.根据权利要求3所述的掩膜条,其特征在于:两面蚀刻形成的矩形蚀刻区的蚀刻孔底部间距不小于2um。

5.根据权利要求2所述的掩膜条的制作方法,其特征在于:所述第一光罩蚀刻区域内的开孔尺寸小于所述第二光罩蚀刻区域内的开孔尺寸。

6.根据权利要求2所述的掩膜条的制作方法,其特征在于:所述步骤2中,将对应于有效镀膜区的矩形非通孔蚀刻区再次蚀刻,形成通孔且贯穿至设计开孔尺寸,具体包括:

7.根据权利要求1所述的掩膜条的制作方法,其特征在于:所述掩膜条的厚度范围为20-100um。


技术总结
本发明公开了一种掩膜条的制作方法,涉及异形显示OLED技术领域。所述方法包括:步骤1、在掩膜条两面采用蚀刻工艺制作出矩形非通孔蚀刻区;步骤2、将对应于有效镀膜区的矩形非通孔蚀刻区再次蚀刻,形成通孔且贯穿至设计开孔尺寸,同时有效镀膜区的掩膜条厚度减薄;所述有效镀膜区用于蒸镀材料穿过并沉积至TFT基板电路形成有效显示区域;剩余的矩形非通孔蚀刻区则为蚀刻缓冲区。本发明方法制作的掩膜条在有效镀膜区外侧形成外围为矩形的蚀刻缓冲区的同时对有效镀膜区进行减薄,能减少张网时掩膜条受力不均匀现象,改善掩膜条的褶皱现象引起的混色不良,同时改善掩膜条与玻璃基板贴合情况,从而提高产品良率。

技术研发人员:张麒麟,黄逸臻,孙玉俊
受保护的技术使用者:福建华佳彩有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/13
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