一种平边硅片抛光方法与流程

本发明涉及晶圆制造领域，特别涉及一种平边硅片抛光方法。

背景技术：

1、硅片的抛光对于晶圆的制作来讲，是非常重要的一个步骤，晶圆的便面质量决定着后续晶体制作时的良品率，小尺寸硅片因为多采用平边作为参考面，在小直径实际抛光生产过程中，采用多枚硅片贴附在一块陶瓷盘上进行抛光加工，如图1所示，贴附过程中容易平边位置偏移，出现偏移硅片1’，抛光过程中，由于硅片偏移区域相对于其他区域，在其抛光轨迹上对抛光布的损耗较少，抛光布对硅片的磨损速度较快，摩擦去除量较多，导致硅片抛光后边缘存在台阶，造成晶圆不良。在前期边缘不作为主要工作区，因此不良多数被厂家让步接受。但随着集成电路发展，对硅片利用率越来越高，此边缘台阶不良造成影响日益凸显，市场对硅片的抛光提出了更高的要求，对边缘台阶的问题需要得到解决，提高硅片的整体利用率。

技术实现思路

1、本发明的目的在于提供一种平边硅片抛光方法，使得硅片抛光面平整，避免产生边缘台阶，提高硅片的利用率。

2、为解决上述技术问题，本发明的实施方式提供了一种平边硅片抛光方法，包含如下步骤：

3、使用机械手，将硅片从运输盘上抓取后，沿着预设轨迹行进，将硅片涂有粘合剂的背面朝向基座的正面平面贴附固定；

4、所述运输盘上设有平边校正器，在机械手抓取硅片之前，使用所述平边校正器对硅片的平边位置进行检验和校正；

5、将基座固定安装在支撑座上，所述基座的背面朝向支撑座；

6、移动支撑座带动基座的正面朝向定盘移动，直至所述硅片的正面与设置在定盘表面的抛光布抵接；

7、支撑座对基座垂直施压并旋转，使硅片与抛光布之间相互摩擦，完成对硅片正面的抛光。

8、进一步，所述平边校正器包括第一激光检测装置，以及位置调整装置，所述位置调整装置能够根据第一激光检测装置的指示对硅片与运输盘的相对位置进行调整。

9、进一步，所述基座上贴附有多个硅片，当多个硅片贴附完成后，使用第二激光检测装置对多个硅片的贴附位置进行检验。

10、进一步，在支撑座带动基座旋转的同时，所述定盘与支撑座同向旋转。

11、进一步，定期对所述抛光布进行抛光痕迹修整，所述修整频率为抛光布工作200分钟至400分钟修整一次。

12、进一步，定期对所述抛光布进行更换，更换频率为抛光布工作60小时至100小时更换一次。

13、进一步，所述粘合剂为松香树脂。

14、本发明所提供的硅片抛光方法，相对于现有技术，通过在运输盘上的平边校正器，保证机械手抓取硅片进行贴附时，每个硅片的平边处于相对固定的位置，保证贴附后多个硅片在基座平面上的位置均匀对称，通过硅片贴附后的第二激光检测装置，对贴附后的硅片位置进行进一步检验，确保开始抛光前，硅片均布在以基座正面平面中心点位为圆心的圆周上，从而保证抛光时，各个硅片正面的各个部分研磨去除量一致，保证了抛光后硅片正面的平整度，避免产生边缘台阶，提高了硅片的整体利用率。

技术特征：

1.一种平边硅片抛光方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，所述平边校正器包括第一激光检测装置，以及位置调整装置，所述位置调整装置能够根据第一激光检测装置的指示对硅片与运输盘的相对位置进行调整。

3.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，所述基座上贴附有多个硅片，当多个硅片贴附完成后，使用第二激光检测装置对多个硅片的贴附位置进行检验。

4.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，在支撑座带动基座旋转的同时，所述定盘与支撑座同向旋转。

5.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，定期对所述抛光布进行抛光痕迹修整，所述修整频率为抛光布工作200分钟至400分钟修整一次。

6.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，定期对所述抛光布进行更换，更换频率为抛光布工作60小时至100小时更换一次。

7.根据权利要求1所述的平边硅片抛光方法，其特征在于，所述粘合剂为松香树脂。

技术总结
本发明涉及晶圆制造领域，公开了一种平边硅片抛光方法。本发明中所提供的平边硅片抛光方法，包括如下步骤：使用机械手，将硅片从运输盘上抓取后，沿着预设轨迹行进，将硅片涂有粘合剂的背面朝向基座的正面平面贴附固定；所述运输盘上设有平边校正器，在机械手抓取硅片之前，使用所述平边校正器对硅片的平边位置进行检验和校正；将基座固定安装在支撑座上，所述基座的背面朝向支撑座；移动支撑座带动基座的正面朝向定盘移动，直至所述硅片的正面与设置在定盘表面的抛光布抵接；支撑座对基座垂直施压并旋转，使硅片与抛光布之间相互摩擦，完成对硅片正面的抛光，使得硅片正面抛光面平整，能够避免硅片边缘产生抛光台阶，提高硅片的利用率。

技术研发人员：陈奎
受保护的技术使用者：上海中欣晶圆半导体科技有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15