一种BGA封装器件锡球氧化层打磨装置及打磨方法与流程

本发明涉及pcb，尤其涉及一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置及打磨方法。

背景技术：

1、随着科技的发展，社会的进步，微电子产品向便携化、小型化和高性能方向发展，bga(ball gridarray)封装与传统器件bga器件结构相比，其结构更为复杂和精密，因此bga封装在封装技术中极具竞争力。

2、其中，bga封装件上设有锡球，当设有锡球的bga封装件存在时间较长、存储的环境失效、或者芯片暴漏在空气中的时间过长时，bga锡球表面会形成一侧泛黄或泛白的氧化物，在正常焊接的过程中，氧化物在高温的环境中会与焊膏产生化学反应，导致bga锡球与焊膏之间出现接触不良等现象，进而导致bga芯片与pcb板连接导通性能下降甚至失效，致使对bga封装件与pcb板的焊接工序中，产品不良率达到10％-60％不等，如直接对焊接过程中产生的不良品直接维修，会增加pcb板和bga芯片的报废风险，为此有必要先对bga封装件上的氧化层进行去除，从而避免在焊接过程中bga封装件与pcb板出现导通性差、甚至接触不良的问题。

3、在现有技术中，例如公开号为cn109014473a的中国专利公开了一种bga锡球氧化层去除工艺，包括第一次对浸泡清洗，具体通过将bga锡球放入超声波清洗机中，加入清洗剂，清洗剂的加入量需漫过bga锡球，浸泡10min后，启动超声波清洗机，对bga锡球进行清洗，清洗5min后，去除bga锡球表面氧化污渍；第一次烘烤，具体通过将第一次浸泡清洗完成后的bga锡球放入烘箱进行烘烤，烘烤时间以湿敏元件等级对应时间进行烘烤，去除bga锡球长时间吸潮的水分；然后涂抹助焊膏，具体通过将第一次烘烤完成后的bga锡球自然冷却后，在bga锡球的表面均匀涂抹助焊膏；在进行回流焊，具体是将涂抹完助焊膏后的bga锡球放入回流焊炉中回流一次，回流焊温度设定为230℃；接着进行第二次浸泡清洗，具体是将进行完回流焊后的bga锡球放入超声波清洗机中，加入清洗剂，清洗剂的加入量需漫过bga锡球，浸泡5min后，启动超声波清洗机，对bga锡球进行清洗，清洗5min后，去除bga锡球表面氧化污渍；最后，进入第二次烘烤步骤，具体是将经过第二次浸泡清洗后的bga锡球放入烘烤箱进行烘烤，烘烤温度设定为120℃，烘烤时间为18h，即可将bga锡球氧化层去除干净。由上述可知，现有文件中对锡球的氧化层进行去除步骤相对较为复杂，需要通过多次浸泡、烘烤等，造成对bga锡球上氧化层的去除效率较低。

4、为了改善上述问题，有必要提出一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置及打磨方法，从而对bag封装器件上锡球的氧化层进行去除。

技术实现思路

1、为了克服现有的技术的不足，本发明提供一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置及打磨方法。以解决对bga封装件锡球的氧化层去除步骤繁多、效率慢的问题。

2、本发明技术方案如下所述：

3、第一方面，一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，所述打磨装置用于对bga封装器件进行打磨，所述打磨装置包括：

4、静电平台，所述静电平台用于放置、固定bga封装器件；

5、活动设置于所述静电平台上方的打磨机构，所述打磨机构包括驱动模组和设于所述驱动模组输出端的打磨板，所述打磨板下方设有摩擦件，所述摩擦件用于bga封装器件进行打磨氧化层；

6、其中，所述驱动模组可绕自身所在轴线旋转，并带动打磨板、柔性贴合件以及摩擦件进行旋转，使得摩擦件bga封装器件进行打磨。

7、在一种可能实现方式中，所述打磨机构还包括活动组件，所述活动组件包括z轴升降模组，所述z轴升降模组包括升降动力件、升降滑轴和升降滑块，所述升降滑轴与所述升降动力件连接，所述升降滑块的一侧与所述升降滑轴滑动连接，所述升降滑块的另一侧与所述驱动模组连接。

8、在一种可能实现方式中，所述活动组件还包括y轴平移模组，所述y轴平移模组包括第一滑轴、第一滑块和第一驱动件，所述第一驱动件与所述第一滑轴连接，所述第一滑块的一侧与所述第一滑轴滑动连接，所述第一滑块的另一侧与所述升降滑轴连接。

9、在一种可能实现方式中，所述活动组件还包括x轴平移模组，所述x轴平移模组包括第二滑轴、第二滑块、第二驱动件以及支撑架，所述支撑架与所述静电平台连接，所述第二滑轴与所述支撑架连接，所述第二驱动件与所述第二滑轴连接，所述第二滑块的一侧与所述第二滑轴滑动连接，所述第二滑块的另一侧与所述第一滑轴连接。

10、在一种可能实现方式中，其特征在于，所述打磨板下方贴合连接有柔性贴合件，所述柔性贴合件用于缓冲、感应压力，所述柔性贴合件包括缓压块，所述缓压块上设有若干弹性夹杆，所述弹性夹杆设有用于对摩擦件的边缘夹持的夹持端；

11、所述摩擦件设有粗糙面和光滑面，所述光滑面与所述缓压块贴合设置，所述粗糙面用于打磨bga封装器件。

12、在一种可能实现方式中，所述缓压块内设有压力传感器，所述压力传感器用于检测缓压块的形成程度、检测受压力度，并控制活动组件的下降。

13、在一种可能实现方式中，所述静电平台上设有若干放置槽，所述放置槽用于放置bga封装器件，所述放置槽与所述打磨板相匹配。

14、第二方面，一种打磨方法，所述打磨方法适用于权利要求1至7任一项所述的打磨装置，所述打磨方法包括：

15、将被打磨件固定在静电平台上；

16、活动组件驱动打磨板朝静电平台移动，并使打磨板带动摩擦件移动至被打磨件并贴合；

17、打磨机构旋转带动打磨板旋转，并使摩擦件旋转bga封装器件进行打磨。

18、在一种可能实现方式中，所述打磨板带动摩擦件移动至被打磨件贴合包括：所述摩擦件bga封装器件产生压力为0.2kg-0.5kg。

19、在一种可能实现方式中，所述摩擦件旋转bga封装器件进行打磨包括：所述摩擦件正向或反向旋转3-5周。

20、根据上述方案的本发明，其有益效果在于，通过x轴平移模组、y轴平移模组以及z轴升降模组的结构设置，可控制打磨机构、柔性贴合件以及摩擦件沿x轴、y轴和z轴所在的方向上进行移动，使摩擦件可以到达静电平台上的任何一个放置槽，并使摩擦件与放置槽内的bga封装器件贴合抵接，并在打磨组件可进行自转的设计下，使摩擦件对bga封装器件进行打磨，具体的，通过摩擦件对bga封装件上的锡球氧化层进行打磨、去除，相对于通过将bga封装件进行多次浸泡、烘烤等方式去除锡球上的氧化层，使用本发明对其进行打磨、去除的效率更高。

技术特征：

1.一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述打磨装置用于对bga封装器件进行打磨，所述打磨装置包括：

2.根据权利要求1所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述打磨机构还包括活动组件，所述活动组件包括z轴升降模组，所述z轴升降模组包括升降动力件、升降滑轴和升降滑块，所述升降滑轴与所述升降动力件连接，所述升降滑块的一侧与所述升降滑轴滑动连接，所述升降滑块的另一侧与所述驱动模组连接。

3.根据权利要求2所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述活动组件还包括y轴平移模组，所述y轴平移模组包括第一滑轴、第一滑块和第一驱动件，所述第一驱动件与所述第一滑轴连接，所述第一滑块的一侧与所述第一滑轴滑动连接，所述第一滑块的另一侧与所述升降滑轴连接。

4.根据权利要求书3所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述活动组件还包括x轴平移模组，所述x轴平移模组包括第二滑轴、第二滑块、第二驱动件以及支撑架，所述支撑架与所述静电平台连接，所述第二滑轴与所述支撑架连接，所述第二驱动件与所述第二滑轴连接，所述第二滑块的一侧与所述第二滑轴滑动连接，所述第二滑块的另一侧与所述第一滑轴连接。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述打磨板下方贴合连接有柔性贴合件，所述柔性贴合件用于缓冲、感应压力，所述柔性贴合件包括缓压块，所述缓压块上设有若干弹性夹杆，所述弹性夹杆设有用于对摩擦件的边缘夹持的夹持端；

6.根据权利要求5所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述缓压块内设有压力传感器，所述压力传感器用于检测缓压块的形成程度、检测受压力度，并控制活动组件的下降。

7.根据权利要求6所述的一种bga封装器件锡球氧化层打磨装置，其特征在于，所述静电平台上设有若干放置槽，所述放置槽用于放置bga封装器件，所述放置槽与所述打磨板相匹配。

8.一种打磨方法，其特征在于，所述打磨方法适用于权利要求1至7任一项所述的打磨装置，所述打磨方法包括：

9.根据权利要求8所述的一种打磨方法，其特征在于，所述打磨板带动摩擦件移动至被打磨件贴合包括：所述摩擦件bga封装器件产生压力为0.2kg-0.5kg。

10.根据权利要求8或9所述的一种打磨方法，其特征在于，所述摩擦件旋转bga封装器件进行打磨包括：所述摩擦件正向或反向旋转3-5周。

技术总结
本发明公开了一种BGA封装器件锡球氧化层打磨装置及打磨方法，所述打磨装置用于对BGA封装器件进行打磨，所述打磨装置包括静电平台，所述静电平台用于放置、固定BGA封装器件；活动设置于所述静电平台上方的打磨机构，所述打磨机构包括驱动模组和设于所述驱动模组输出端的打磨板，所述打磨板下方设有有摩擦件，所述摩擦件用于BGA封装器件进行打磨氧化层；其中，所述驱动模组可绕自身所在轴线旋转，并带动打磨板、柔性贴合件以及摩擦件进行旋转，使得摩擦件BGA封装器件进行打磨。通过X轴平移模组、Y轴平移模组以及Z轴升降模组的结构设置，并使摩擦件对BGA封装器件进行打磨。从而解决了对BGA封装件锡球的氧化层去除步骤繁多、效率慢的问题。

技术研发人员：罗青,王辉刚
受保护的技术使用者：深圳市一博电路有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15