用于半导体晶圆的研磨工序的载体制造方法与流程

本发明涉及一种用于半导体晶圆(wafer)的研磨工序的载体制造方法，更详细地，涉及如下用于半导体晶圆的研磨工序的载体制造方法，在半导体晶圆的研磨过程中，可以防止半导体晶圆受到金属的污染，上述金属由于因在载体本体部边缘区域的类金刚石碳(dlc)涂层膜被剥离而导致的金属材料载体的磨损而排出。

背景技术：

1、在半导体晶圆的研磨工序中，为了防止半导体晶圆受到因金属材料载体的磨损而排出的少量的金属的污染，通常，如图1a所示，在载体本体部30的表面形成有通过类金刚石碳(dlc，diamond-like-carbon)涂层处理的涂层膜50。

2、然而，如图1b所示，若在载体本体部30的切口结合塑料插入物60后执行半导体晶圆的研磨工序，则如图1c所示，由于施加到涂层膜50的物理力而发生在载体本体部30的边缘区域的上部表面和下部表面的类金刚石碳(dlc)涂层膜50脱落的问题。

3、这是由于在研磨工序中，随着施加到插入物60的外力通过形成于载体本体部30与塑料插入物60之间的纵向的涂层膜50传递，在载体本体部30的上部表面和下部表面与涂层膜之间产生剪力。

技术实现思路

1、因此，本发明的目的在于，提供如下用于半导体晶圆的研磨工序的载体制造方法，在半导体晶圆的研磨过程中，可以防止半导体晶圆受到金属的污染，上述金属由于因在载体本体部边缘区域的类金刚石碳(dlc)涂层膜被剥离而导致的金属材料载体的磨损而排出。

2、本发明所要解决的技术问题并不局限于所提及的问题，而是包括本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下的记载明确理解的其他技术问题。

3、为了实现上述目的，本发明的用于半导体晶圆的研磨工序的载体制造方法包括：步骤(a)，在形成于载体本体部的切口结合涂层阻挡用部件；步骤(b)，用耐磨材料对上述载体本体部进行涂层处理；以及步骤(c)，将上述涂层阻挡用部件从上述切口分离。

4、优选地，上述载体制造方法还包括：步骤(d)，在分离上述涂层阻挡用部件的上述切口结合插入物。

5、并且，本发明的特征在于，在上述步骤(b)中，上述耐磨材料对上述载体本体部的表面和上述涂层阻挡用部件的表面一同进行涂层处理。

6、并且，上述涂层阻挡用部件用于阻挡形成于上述载体本体部的切口的内侧面的涂层。

7、根据本发明，在半导体晶圆的研磨过程中，可以防止半导体晶圆受到金属的污染，上述金属由于因在载体本体部边缘区域的类金刚石碳(dlc)涂层膜被剥离而导致的金属材料载体的磨损而排出。

8、本发明的效果并不限定于以上所提及的效果，而是包括本发明所属技术领域的普通技术人员可通过以下的记载明确理解的其他效果。

技术特征：

1.一种载体制造方法，用于半导体晶圆的研磨工序，其特征在于，

2.根据权利要求1所述的载体制造方法，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的载体制造方法，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的载体制造方法，其特征在于，

技术总结
本发明公开一种用于半导体晶圆的研磨工序的载体制造方法。本发明通过如下步骤来实现，在形成于载体本体部的切口结合涂层阻挡用部件，用耐磨材料对载体本体部进行涂层处理，将涂层阻挡用部件从切口分离。根据本发明，在半导体晶圆的研磨过程中，可以防止半导体晶圆受到金属的污染，上述金属由于因在载体本体部边缘区域的类金刚石碳(DLC)涂层膜被剥离而导致的金属材料载体的磨损而排出。

技术研发人员：朴光振,金雨哲,任德俊,金成年
受保护的技术使用者：新东有限责任公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/16