反应腔室清洁装置的制作方法

本技术涉及半导体设备领域，特别涉及一种反应腔室清洁装置。

背景技术：

1、对于大多数半导体设备而言，需要使用特殊气体(special gas)来清洁设备内部，而对于机型复杂的cvd(chemical vapor deposition，化学气相沉积)设备，统一采用nf3(三氟化氮)来清洁设备内部。nf3被解离产生等离子体与腔室(chamber)中的副产物反应排出腔室，最后通过清洁率(clean rate)来衡量nf3的清洁效果。然而，cvd腔室一般包括双腔或多腔，清洁率会出现不同子腔室差异过大的问题。

2、目前的处理方法主要有两种，第一种方法是调节nf3的流量，第二种方法是开腔清洁。第一种方法中，cvd机型不同rps(remote plasma source，远程等离子体源)配置会不同，有一个腔室配置一个rps，也有一个腔室配置两个rps，rps皆有一个mfc(mass flowcontroller，质量流量控制器)监测，所以调节nf3流量是针对整个腔室的，单个子腔室的流量并无法调整，存在单个子腔室过度清洁或者单个子腔室颗粒(particle)过多的问题。

3、采用第二种方法清洁率差异会得到改善，但是这仅是针对喷头(shower head)被堵的情况，喷头没有被堵时，开腔清洗不仅会造成资源浪费也会增加成本。

4、因此，需要提供一种反应腔室清洁装置，以防止子腔室清洁率差异过大进而造成particle过多的问题，避免形成缺陷。

技术实现思路

1、本实用新型的目的在于提供一种反应腔室清洁装置，能够调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止particle过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。

2、为解决上述技术问题，本实用新型提供一种反应腔室清洁装置，包括：

3、远程等离子体源；

4、反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；

5、总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；

6、至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及，

7、调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。

8、可选的，所述调节阀为调节针阀。

9、可选的，所述调节阀单向导流。

10、可选的，所述调节阀为手动调节阀。

11、可选的，所述手动调节阀设有安全销。

12、可选的，所述远程等离子体源包括输入端与输出端，所述输出端连接所述总气体管道的第一端，所述输入端连接输入管道以输入nf3。

13、可选的，所述输入管道上设置有质量流量控制器。

14、可选的，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间采用卡口连接。

15、可选的，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间的连接部分通过密封圈密封。

16、可选的，所述总气体管道与所述子气体管道是刚性金属管道。

17、综上所述，在本实用新型提供的反应腔室清洁装置中，包括远程等离子体源；反应腔室，所述反应腔室包括至少两个子腔室；总气体管道，所述总气体管道的第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。本实用新型通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的particle过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。

技术特征：

1.一种反应腔室清洁装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀为调节针阀。

3.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀单向导流。

4.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述调节阀为手动调节阀。

5.根据权利要求4所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述手动调节阀设有安全销。

6.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述远程等离子体源包括输入端与输出端，所述输出端连接所述总气体管道的第一端，所述输入端连接输入管道以输入nf3。

7.根据权利要求6所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述输入管道上设置有质量流量控制器。

8.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间采用卡口连接。

9.根据权利要求8所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述远程等离子体源、所述总气体管道、所述子气体管道、所述调节阀以及所述反应腔室之间的连接部分通过密封圈密封。

10.根据权利要求1所述的反应腔室清洁装置，其特征在于，所述总气体管道与所述子气体管道是刚性金属管道。

技术总结
本技术提供一种反应腔室清洁装置，包括远程等离子体源；包括至少两个子腔室的反应腔室；总气体管道，第一端连接所述远程等离子体源；至少两个子气体管道，所述子气体管道的第一端均连接所述总气体管道的第二端，所述子气体管道的第二端分别连接所述子腔室，所述子气体管道与所述子腔室一一对应；以及调节阀，设置于每个所述子气体管道上，以控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量。本技术通过在每个子气体管道上设置调节阀从而调节控制从所述远程等离子体源流向所述子腔室的等离子体的流量，以避免子腔室的清洁率差异过大，从而防止子腔室清洁过度或子腔室内的颗粒过多，避免形成缺陷，从而提高了良率。

技术研发人员：曹笑笑,李欣伟,陆一凡
受保护的技术使用者：芯恩（青岛）集成电路有限公司
技术研发日：20230602
技术公布日：2024/1/14