一种金属表面进行激光熔凝处理的装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明创造涉及一种金属表面进行处理的装置，特别是一种金属表面进行激光熔凝处理的装置。
【背景技术】
[0002]合金，是由两种或两种以上的金属与非金属经一定方法所合成的具有金属特性的物质。合金的优点是熔点降低、增加某些特殊性能和硬度大于其组成的金属。但合金的缺点是容易形成电化学腐蚀，所以如何提升合金的稳定性成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。
【发明内容】
[0003]本发明创造要解决的问题是如何提供一种可以提升合金的稳定性技术方案。
[0004]为解决上述技术问题，本发明创造采用的技术方案包括:真空装置、热熔装置和传送装置，真空腔室的一侧设有输入口，另一侧设有输出口，传送装置通过输入口进入真空腔室，从输出口穿出真空腔室，传送装置的一侧或两侧设置热熔装置。
[0005]进一步，所述金属表面进行激光熔凝处理的装置还包括排放装置，所述排放装置设置在传送装置上方。
[0006]进一步，所述热熔装置设置半导体激光模块。
[0007]本发明创造具有的优点和积极效果是:由于采用上述技术方案，可以提升合金的稳定性；具有结构简单，维修方便，加工成本低、生产效率高等优点。
【附图说明】
[0008]图1是本发明的结构示意示意图
[0009]图中:
[0010]1、真空装置 2、热熔装置3、传送装置
[0011]4、输入口 5、输出口6、排放装置
【具体实施方式】
[0012]如图1所示，本发明创造采用的技术方案包括:真空装置1、热熔装置2和传送装置3，真空装置内部封闭后形成真空腔室，真空腔室的一侧设有输入口 4，另一侧设有输出口 5，传送装置3通过输入口 4进入真空腔室，从输出口 5穿出真空腔室，传送装置3的一侧或两侧设置热熔装置2。所述金属表面进行激光熔凝处理的装置还包括排放装置6，所述排放装置6设置在传送装置3上方。所述热熔装置2设置半导体激光模块。
【主权项】
1.一种金属表面进行激光熔凝处理的装置，其特征在于:包括真空装置、热熔装置和传送装置，真空腔室的一侧设有输入口，另一侧设有输出口，传送装置通过输入口进入真空腔室，从输出口穿出真空腔室，传送装置的一侧或两侧设置热熔装置。
2.根据权利要求1所述的金属表面进行激光熔凝处理的装置，其特征在于:还包括排放装置，所述排放装置设置在传送装置上方。
3.根据权利要求1所述的金属表面进行激光熔凝处理的装置，其特征在于:所述热熔装置设置半导体激光模块。
【专利摘要】本发明创造涉及一种金属表面进行处理的装置，特别是一种金属表面进行激光熔凝处理的装置，包括真空装置、热熔装置和传送装置，真空腔室的一侧设有输入口，另一侧设有输出口，传送装置通过输入口进入真空腔室，从输出口穿出真空腔室，传送装置的一侧或两侧设置热熔装置。所述金属表面进行激光熔凝处理的装置还包括排放装置，所述排放装置设置在传送装置上方。所述热熔装置设置半导体激光模块。本发明创造具有的优点和积极效果是：由于采用上述技术方案，可以提升合金的稳定性；具有结构简单，维修方便，加工成本低、生产效率高等优点。
【IPC分类】C23C24-10
【公开号】CN104711569
【申请号】CN201310723951
【发明人】寇振梅
【申请人】天津鼎冠金属科技开发有限公司
【公开日】2015年6月17日
【申请日】2013年12月17日