]采用日本理学公司生产的X射线衍射仪(Ultimas III型，Cu-Ka射线，电压40kV，电流40mA)测试薄膜的晶体结构，测试结果图1 (a)表明钆钡铜氧薄膜的结晶性良好。米用美国FEI公司生产的场发射扫描电子显微镜(Quanta-250型，加速电压20kV)表征薄膜的表面(图2(a))及断面形貌(图3(a))，结果表明钆钡铜氧薄膜的表面形貌良好、结构致密。
[0031]实施例2:
[0032]氧化铝基板经过预处理使其表面洁净，预处理方法为:将氧化铝基板置于乙醇中超声处理30min，然后将其烘干处理备用。
[0033](I)将氧化铝基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态。
[0034](2)称取适量的三(2，2，6，6-四甲基_3，5_庚二酮酸)钆(标记为A)，双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钡(标记为B)和双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铜(标记为C)，将三种先驱体原料分别置于相应的原料罐中。
[0035](3)将氧化铝基板加热至1050°C，控制上述三种先驱体A、B和C原料罐的温度分别为 225°C、338°C 和 195 °C ο
[0036](4)利用氩气作为载流气体将先驱体原料Α、B和C以及氧气通入反应室内，调节氩气流速为150sccm，氧气流速为400sccm，调节并控制反应室内的压强为600Pa，反应时间设定为500s。
[0037](5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可在氧化铝基板上得到钆钡铜氧薄膜。
[0038]采用日本理学公司生产的X射线衍射仪(Ultimas III型，Cu-Ka射线，电压40kV，电流40mA)测试薄膜的晶体结构，测试结果图1 (b)表明钆钡铜氧薄膜的结晶性良好。米用美国FEI公司生产的场发射扫描电子显微镜(Quanta-250型，加速电压20kV)表征薄膜的表面(图2(b))及断面形貌(图3(b))，结果表明钆钡铜氧薄膜的表面形貌良好、结构致密。
[0039]实施例3:
[0040]氧化铝基板经过预处理使其表面洁净，预处理方法为:将氧化铝基板置于乙醇中超声处理30min，然后将其烘干处理备用。
[0041](I)将氧化铝基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态。
[0042](2)称取适量的三(2，2，6，6-四甲基_3，5_庚二酮酸)钆(标记为A)，双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钡(标记为B)和双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铜(标记为C)，将三种先驱体原料分别置于相应的原料罐中。
[0043](3)将氧化铝基板加热至1100°C，控制上述三种先驱体A、B和C原料罐的温度分别为 200。。、325。。和 185 0C ο
[0044](4)利用氩气作为载流气体将先驱体原料A、B和C以及氧气通入反应室内，调节氩气流速为300sccm，氧气流速为400sccm，调节并控制反应室内的压强为1400Pa，反应时间设定为400s。
[0045](5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可在氧化铝基板上得到钆钡铜氧薄膜。
[0046]采用日本理学公司生产的X射线衍射仪(Ultimas III型，Cu-Ka射线，电压40kV，电流40mA)测试薄膜的晶体结构，测试结果图1 (c)表明钆钡铜氧薄膜的结晶性良好。米用美国FEI公司生产的场发射扫描电子显微镜(Quanta-250型，加速电压20kV)表征薄膜的表面(图2(c))及断面形貌(图3(c))，结果表明钆钡铜氧薄膜的表面形貌良好、结构致密。
[0047]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步的详细说明。对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种修改和变化，凡在本发明的精神和原则内所做的任何修改，等同替换、改进等，均应在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤: (1)选取氧化铝作为沉积基板，将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态； (2)称取适量的三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)礼，双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钡和双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铜，将上述三种先驱体原料分别置于相应的原料罐中； (3)将氧化铝基板加热至1000?1100°C，控制上述先驱体三(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钆，双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)钡和双(2，2，6，6-四甲基-3，5-庚二酮酸)铜的原料罐的温度分别在200?230°C，320?340°C和180?200°C范围内； (4)利用载流气体将先驱体原料以及氧化气通入反应室内，调节并控制反应室内的压强和反应时间； (5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可在氧化铝基板上得到钆钡铜氧薄膜。
2.根据权利要求1所述的钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于步骤(I)所述的氧化铝基板需经过表面预处理使其洁净，所述的预处理方法是:先将基板置于乙醇中超声处理，超声处理时间为20?30min，然后将其烘干处理备用。
3.根据权利要求1所述的钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中的载流气为氩气，氧化气为氧气。
4.根据权利要求3所述的钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于所述的载流气流量为100?300sccm，氧化气流量为300?500sccm。
5.根据权利要求1所述的钆钡铜氧薄膜的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中的反应室内压强为500?1500Pa，反应时间为400?600s。
【专利摘要】本发明涉及一种钆钡铜氧薄膜的制备方法，包括以下步骤：1)将基板置于化学气相沉积反应室内的基板座上，并将反应室抽至真空状态；2)称取适量的三(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钆，双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)钡和双(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铜，置于原料罐中；3)将基板加热，控制原料罐的温度；4)将先驱体原料以及氧化气通入反应室内；5)待反应时间结束后停止加热，将基板冷却至室温，即可。与现有技术相比，本发明的有益效果是：1)实现了钆钡铜氧薄膜的快速制备，提高了生产效率；2)提高钆钡铜氧薄膜的超导性能，为其应用提供相应的理论基础。
【IPC分类】C23C16-40
【公开号】CN104862665
【申请号】CN201510308871
【发明人】涂溶, 郑顶恒, 章嵩, 可望, 汪婷, 张联盟
【申请人】武汉理工大学
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年6月8日