专利名称：多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置。
背景技术：
还原炉中的生产过程是多晶硅生产中的核心技术，还原炉启动和停炉是这一生产 过程中重要的阶段。尤其在启动阶段，对炉中氧含量、水含量要求严格。炉内氧含量、水含 量若超标会给还原炉中的生产过程带来极大的安全风险，还原炉启动和停炉时，必须对炉 内空气的氧含量、水含量施以严格控制。 目前，国内还原炉启动和停炉时，通常采用以微正压的氮气置换炉中空气的方式 来控制炉内空气的氧含量、水含量，一般要用氮气吹扫3 4小时才能使炉内空气的氧、水 含量满足生产要求，所用的时间比较长，且吹扫置换过程中氮气用量较大，成本较高，更需 警惕的是，这样的置换方式容易在炉体内留下死角，导致置换不彻底，造成生产上的危险。
发明内容
为了克服现有多晶硅生产还原炉启、停炉用时较长的不足，本发明所要解决的技 术问题是提供一种可縮短还原炉启、停炉用时的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置。 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是多晶硅生产还原炉启、停炉处理工
艺，对启、停炉阶段的还原炉进行抽真空处理，直至炉内绝对压力《0. 05MPa。 多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，包括抽真空装置，抽真空装置通过连接管道
与还原炉的尾气出口连接，还原炉的尾气出口与所述连接管道之间设置有排气阀，所述抽
真空装置的极限真空度^ 0. 06MPa。 用至少两台分别在其接口设置阀门的抽真空装置并联后再通过连接管道与还原 炉的尾气出口连接。 所述还原炉有至少两台，各台还原炉并联设置。 [ooog] 所述还原炉上连接有压力表。 本发明的有益效果是本发明以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停 炉阶段的还原炉进行处理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，既縮短了 处理时间，提高了工作效率，同时也提高了安全性。
图1是本发明多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置的示意图。 图中标记为，1-抽真空装置一，2-阀门，3-排气阀，4-还原炉，5-连接管道，6-压 力表。 图中虚线所示为连接管道。
具体实施例方式
下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。 参照图1，本发明的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺，对启停炉阶段的还原炉 4进行抽真空处理，直至炉内绝对压力《0. 05MPa。 如图1所示，多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，包括抽真空装置l，抽真空装置 1通过连接管道5与还原炉4的尾气出口连接，还原炉4的尾气出口与所述连接管道5之间 设置有排气阀3，所述抽真空装置1的极限真空度^ 0. 06MPa。 为保证炉内生产安全，抽真空装置的真空度参数小于满足安全要求时的炉内真空 度。 本发明以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停炉阶段的还原炉进行处
理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，可将还原炉的启、停炉处理时间
由目前的3 4小时縮短到半小时，大大提高了工作效率，同时也提高了安全性。 为保证生产连续性，用至少两台分别在其输出端设置阀门2的抽真空装置1并联
后再通过连接管道5与还原炉4的尾气出口连接。并联的各抽真空装置1可以同时或单独工作。 所述还原炉4上连接有压力表6，以检测炉内压力。 一般来说，一旦还原炉4内的 压力降到0.05MPa以下，即可停止抽真空。当然，对于同一规格的还原炉4，多次操作后，也 可根据抽真空装置1的运行时间来判断还原炉4内的压力是否降到0. 05MPa以下。
如果所述还原炉4不止一台而是有两台及以上时，上述的装置亦可工作，同时对 连接的还原炉进行抽空操作，只须将各还原炉4并联设置。可以根据工艺需要通过开关排 气阀3对一台或多台还原炉4进行抽空操作。
实施例 如图1所示，利用两台水喷射真空成套机组1在启、停炉时对系列还原炉4进行 抽真空处理。两台真空成套机组l出口端均设有阀门2，多台还原炉4并联设置，每一还原 炉4的尾气出口设置有排气阀3，并用连接管道5连接到真空成套机组1的出口端。上述 装置可同时处理多台还原炉4，也可逐一对单台还原炉4进行处理。由水喷射真空泵、耐腐 泵、水箱、缓冲罐、阀门等部件组装成的水喷射真空成套机组1，因炉内气体部分为腐蚀性气 体，所用设备和管道材料采用增强聚丙烯塑料等耐腐蚀材料制成，真空成套机组1的工艺 参数极限真空度^ 0. 06MPa以上，最大抽气量380 500m3/h，保证处理后还原炉内真空度 《0. 05MPa。
权利要求
多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺，其特征是对启、停炉阶段的还原炉(4)进行抽真空处理，直至炉内绝对气压≤0.05MPa。
2. 多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，包括抽真空装置(l)，其特征是抽真空装置(1)通过连接管道(5)与还原炉(4)的尾气出口连接，还原炉(4)的尾气出口与所述连接管道(5)之间设置有排气阀(3)，所述抽真空装置(1)的极限真空度^0.06MPa。
3. 如权利要求2所述的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，其特征是用至少两台分别在其接口设置阀门(2)的抽真空装置(1)并联后再通过连接管道(5)与还原炉(4)的尾气出口连接。
4. 如权利要求2或3所述的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，其特征是所述还原炉(4)有至少两台，各台还原炉(4)并联设置。
5. 如权利要求2或3所述的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置，其特征是所述还原炉(4)上连接有压力表(6)。
全文摘要
本发明公开了一种可缩短还原炉启、停炉用时的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺及装置。本发明的多晶硅生产还原炉启、停炉处理工艺，系对启、停炉阶段的还原炉进行抽真空处理，直至炉内绝对压力≤0.05MPa。本发明的多晶硅生产还原炉启、停炉处理装置包括抽真空装置，抽真空装置通过连接管道与还原炉的尾气出口连接，还原炉的尾气出口与所述连接管道之间设置有排气阀，所述抽真空装置的极限真空度≤0.06MPa。本发明以抽真空的方式代替氮气置换的方式对处于启、停炉阶段的还原炉进行处理，将炉内的氧含量、水含量控制到安全生产的许可范围，既缩短了处理时间，提高了工作效率，同时也提高了安全性。
文档编号C01B33/021GK101717995SQ20091022615
公开日2010年6月2日 申请日期2009年11月16日 优先权日2009年11月16日
发明者卢涛, 唐前正, 张新, 彭卡, 李品贤, 赵新征 申请人:乐山乐电天威硅业科技有限责任公司