专利名称：硅锭切割废料回收方法及硅锭处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及多晶硅或单晶硅产品的生产，具体是一种用来对多晶硅或单晶硅硅锭 切割废料进行回收处理的硅锭切割废料回收方法及专用于该方法步骤中的硅锭处理装置。
背景技术：
多晶硅或单晶硅铸锭后，通常要通过开方工序将柱状的硅锭表面材料切割去除后 才进入下一步的加工利用。切割废料可以作为原料回收利用，但由于硅锭表面有一层杂质 (氮化硅和碳化硅)，需将杂质处理才能回收利用；由于切割废料形状较小且不规则，因而 处理较困难。传统的处理方法是开方后，通过人工打磨将其表面的杂质处理，最后清洗，再 回收利用。其处理效率低、劳动强度大。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是，提供一种提高铸锭切割废料的处理效率、降低生 产劳动强度的硅锭切割废料回收方法及硅锭处理装置。本发明的硅锭处理装置包括有一个工作箱体，在工作箱体中安置有一个可绕竖直 轴心旋转的工作台，在工作台一侧设置有一组与喷砂系统连接的喷砂嘴。工作箱体还通过 除尘管路与除尘系统连接。所述工作箱体前部设置可开启或关闭的入口，在入口前方设置 进料台。本发明的硅锭切割废料回收方法包括以下步骤a.在多晶硅或单晶硅铸锭未开方前，将柱状的硅锭安置在上述硅锭处理装置中的 工作台上，关闭工作箱体，使硅锭旋转，同时通过一侧的喷砂嘴对硅锭表面进行喷砂处理；b.硅锭喷砂处理完成后进行开方，切割去除表面材料，切割废料经清洗后回收利用。所述喷砂处理所使用的砂为碳化硅颗粒；砂的粒径为325-250 μ m ；喷砂压力为 6-7个大气压，喷砂时间30-50min。本发明在硅锭开方前通过喷砂对硅锭表面进行处理，柱状的硅锭形状规则且体积 大，其处理难度低、效率高、劳动强度低；其处理装置结构简单、喷砂处理效果好。
图1是本发明的硅锭处理装置结构示意图。
具体实施例方式如图所示，该硅锭处理装置包括有一个工作箱体1，在工作箱体中安置有一个可绕 竖直轴心旋转的工作台2，在工作台一侧设置有一组与喷砂系统连接的喷砂嘴3。工作箱体 还通过除尘管路与除尘系统4连接。工作箱体前部设置可开启或关闭的入口，在入口前方 设置进料台5。
本发明的硅锭切割废料回收方法经过以下步骤a.在多晶硅或单晶硅铸锭未开方前，将柱状的硅锭安置在图1所示硅锭处理装置 中的工作台2上，关闭工作箱体，使硅锭旋转，同时通过一侧的喷砂嘴对硅锭表面进行喷砂 处理；b.硅锭喷砂处理完成后进行开方，切割去除表面材料，切割废料经清洗后回收利 用。喷砂处理所使用的砂为粒径为325-250 μ m的碳化硅颗粒；喷砂压力6个大气压，喷砂 时间40min。将上述喷砂处理后的回收料清洗后在显微镜下用500倍放大镜拍摄，结果显示 表面没有碳化硅与氮化硅颗粒，说明整体喷砂是成功的。
权利要求
一种硅锭处理装置，其特征是它包括有一个工作箱体，在工作箱体中安置有一个可绕竖直轴心旋转的工作台，在工作台一侧设置有一组与喷砂系统连接的喷砂嘴。
2.根据权利要求1所述的硅锭处理装置，其特征是工作箱体通过除尘管路与除尘系 统连接。
3.根据权利要求1所述的硅锭处理装置，其特征是工作箱体前部设置可开启或关闭 的入口，在入口前方设置进料台。
4.一种硅锭切割废料回收方法，其特征是它包括以下步骤，a.在多晶硅或单晶硅铸锭未开方前，将柱状的硅锭安置在权利要求1所述的硅锭处理 装置中的工作台上，关闭工作箱体，使硅锭旋转，同时通过一侧的喷砂嘴对硅锭表面进行喷 砂处理；b.硅锭喷砂处理完成后进行开方，切割去除表面材料，切割废料经清洗后回收利用。
5.根据权利要求4所述的硅锭切割废料回收方法，其特征是喷砂处理所使用的砂为 碳化硅颗粒，砂的粒径为325-250 μ m。
6.根据权利要求4所述的硅锭切割废料回收方法，其特征是喷砂压力为6-7个大气 压，喷砂时间30-50min。
全文摘要
本发明涉及多晶硅或单晶硅产品的生产，具体是一种用来对多晶硅或单晶硅硅锭切割废料进行回收处理的硅锭切割废料回收方法及专用于该方法步骤中的硅锭处理装置。其方法包括以下步骤a.在多晶硅或单晶硅铸锭未开方前，将柱状的硅锭安置在硅锭处理装置中的工作台上，关闭工作箱体，使硅锭旋转，同时通过一侧的喷砂嘴对硅锭表面进行喷砂处理；b.硅锭喷砂处理完成后进行开方，切割去除表面材料，切割废料经清洗后回收利用。本发明在硅锭开方前通过喷砂对硅锭表面进行处理，柱状的硅锭形状规则且体积大，其处理难度低、效率高、劳动强度低；其处理装置结构简单、喷砂处理效果好。
文档编号C01B33/021GK101935038SQ20101025204
公开日2011年1月5日 申请日期2010年8月13日 优先权日2010年8月13日
发明者施大全, 陈董良 申请人:镇江环太硅科技有限公司