专利名称：一种具有流量侦测器的氧化炉的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种具有流量侦测器的氧化炉。
背景技术：
氧化炉是一种通过高温，并往炉体通入反应气体和水蒸汽使硅片表面生成Si02 层的设备，水蒸汽的流量对Si02层的厚度有直接的影响，氧化炉的水蒸汽通过水汽发生器产生。在使用现有设备时，当Si02层的厚度低于规定值，工艺人员很难判断是水汽发生器本身发生故障，还是厂务的供水有问题。
实用新型内容本实用新型所要解决的技术问题是对现有设备进行改造，提供一种具有流量侦测器的氧化炉，方便工艺人员迅速判断发生问题的原因。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种具有流量侦测器的氧化炉，包括水汽发生器，水汽发生器具有进水端和水蒸汽出口，在水汽发生器的进水端安装流量侦测器。流量侦测器与电脑连接，把进水端的流量信号接入电脑。本实用新型的有益效果是在水汽发生器的进水端装上一个流量侦测器，并把流量信号接入主电脑后，可以实现监控并记录入水流量的功能，当出气口的水蒸汽流量出现异常后，通过查看历史记录，维护人员可以快速查找水汽发生器流量不稳的根本原因，排查是水源问题还是设备问题，提高了排查问题的速度。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明；
图1 本实用新型的结构示意图；图中，1.水汽发生器，2.进水端，3.水蒸汽出口，4.流量侦测器，5.电脑。
具体实施方式
如
图1所示，一种具有流量侦测器的氧化炉，包括水汽发生器1，水汽发生器1具有进水端2和水蒸汽出口 3，在水汽发生器1的进水端2安装流量侦测器4。流量侦测器4 与电脑5连接，把进水端2的流量信号接入电脑5，电脑具有查询当前流量和历史流量的功能，实现监控并记录入水流量的功能，当出气口的水蒸汽流量出现异常后，可以通过查看历史记录，快速找到发生问题的末端零件。当工艺人员发现硅片生成的Si02层的厚度低于规定值，检查工艺设定没有发现问题，设备人员检查设备后发现水蒸汽的流量异常时，有了流量侦测器4后，可通过电脑5 查看厂务供水的压力走势数据，如果发现在问题工艺运行期间水压有明显下降，即可确定故障原因为厂务供水的压力。
权利要求1.一种具有流量侦测器的氧化炉，包括水汽发生器(1)，水汽发生器(1)具有进水端(2)和水蒸汽出口(3)，其特征是所述的在水汽发生器(1)的进水端( 安装流量侦测器 ⑷。
2.根据权利要求1所述的具有流量侦测器的氧化炉，其特征是所述的流量侦测器(4) 与电脑(5)连接，把进水端(2)的流量信号接入电脑(5)。
专利摘要本实用新型涉及一种具有流量侦测器的氧化炉，包括水汽发生器，水汽发生器具有进水端和水蒸汽出口，在水汽发生器的进水端装上一个流量侦测器，并把流量信号接入主电脑后，可以实现监控并记录入水流量的功能，当出气口的水蒸汽流量出现异常后，通过查看侦测器历史记录，维护人员可以快速查找水汽发生器流量不稳的根本原因，排查是水源问题还是设备问题，提高了排查问题的速度。
文档编号C01B33/113GK202099069SQ20112020462
公开日2012年1月4日 申请日期2011年6月17日 优先权日2011年6月17日
发明者卫志敏, 杨延德, 肖扬鑫, 陈斌 申请人:常州天合光能有限公司