一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴的制作方法
【专利摘要】一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴，所述的进料喷嘴的下端通过外螺纹固定在还原炉的底盘上，上端开有一中心孔，中心孔为圆柱形的通孔，所述的中心孔的上端进行60度斜角的扩孔，并在中心孔的四周均布有四个螺旋孔；本实用新型中将中心孔做了改进，将中心孔的上端进行了60度斜角的扩孔，这样就保证了气体浓度的均匀性，实现了硅棒表面及直径的均匀性，减少了倒棒现象，还增加了螺旋状的侧孔，螺旋孔会使通过侧孔的气体呈螺旋状上升，有利于增加硅棒顶部的物料浓度，使硅棒横梁位置生产的更好，更结实，可以有效的降低生产后期的倒棒现象。
【专利说明】一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴。
【背景技术】
[0002]现有的西门子法生产多晶硅工艺中，因还原炉进料喷嘴的设计缺陷，导致硅棒表面玉米粒的出现以及硅棒上下直径的不同，造成倒棒现象，为生产带来了安全隐患及物料的浪费。
【发明内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服现有技术中的不足之处，提供一种解决还原炉进料喷嘴造成硅棒表面出现玉米粒及直径不均匀造成倒棒现象的西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴。
[0004]为了实现本实用新型的目的，我们将采用如下技术方案予以实施:
[0005]一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴，所述的进料喷嘴的下端通过外螺纹固定在还原炉的底盘上，上端开有一中心孔，中心孔为圆柱形的通孔，其特征在于:所述的中心孔的上端进行60度斜角的扩孔，并在中心孔的四周均布有四个螺旋孔。
[0006]有益效果
[0007]原有还原炉进料喷嘴中心孔只是一个圆柱形的通孔，圆柱形的中心孔不能保证气体在还原炉内的浓度均匀性，会造成硅棒表面及直径的不均匀。本实用新型中将中心孔做了改进，将中心孔的上端进行了 60度斜角的扩孔，这样就保证了气体浓度的均匀性，实现了硅棒表面及直径的均匀性，减少了倒棒现象。
[0008]原有还原炉进料喷嘴只有一个中心孔，虽然进行了扩孔，但还原炉内气体浓度的均匀性还是不理想，在本实用新型中还增加了螺旋状的侧孔，即在中心孔四周开四个均布的螺旋孔，螺旋孔会使通过侧孔的气体呈螺旋状上升，有利于增加硅棒顶部的物料浓度，使硅棒横梁位置生产的更好，更结实，可以有效的降低生产后期的倒棒现象。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为原有的进料喷嘴结构不意图；
[0010]图2为改进后的进料喷嘴结构不意图；
[0011]图3为改进后的进料喷嘴的螺旋孔分布示意图；
[0012]I为中心孔、2为螺旋孔、3为外螺纹。
【具体实施方式】
[0013]参考图1、图2和图3所不，对本实用新型做进一步地说明。
[0014]根据图1所示，一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴，其通过外螺纹3固定在还原炉的底盘上，上端开有一圆柱形的中心孔I。[0015]图2所示的一种西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴，是在图1所示的一种改良西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴的基础上，对进料喷嘴进行了改造，将中心孔I上端进行了 60度斜角的扩孔，并在中心孔I的四周均布有四个螺旋孔2。
[0016]图3所示的是一种改进后的进料喷嘴螺旋孔2分布情况。
【权利要求】
1.一种改良西门子法生产多晶硅工艺中还原炉的进料喷嘴，所述的进料喷嘴的下端通过外螺纹固定在还原炉的底盘上，上端开有一中心孔，中心孔为圆柱形的通孔，其特征在于:所述的中心孔的上端进行60度斜角的扩孔，并在中心孔的四周均布有四个螺旋孔。
【文档编号】C01B33/035GK203474466SQ201320367774
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年6月25日 优先权日:2013年6月25日
【发明者】潘玺, 燕军, 崔建平 申请人:内蒙古同远企业管理咨询有限责任公司