一种转移石墨烯的方法
【专利摘要】本发明提供了一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：a)采用静电处理，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜；b)剥离所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。本发明提供的方法采用静电力将沉积有石墨烯的衬底与目标基底结合，避免了粘结剂的使用，从而不会在转移后的石墨烯上留有残留粘结剂，对转移后的石墨烯无污染，且保证了石墨烯的完整性。本发明提供的方法可以实现石墨烯的快速、完整无损、无污染的卷对卷转移。
【专利说明】一种转移石墨烯的方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及石墨烯【技术领域】，尤其涉及一种转移石墨烯的方法。
【背景技术】
[0002] 石墨烯是由碳原子按六角结构所形成的平面单原子层薄膜材料。自2004年首次 被发现以来，由于石墨烯具有突出的导热性能与力学性能、高电子迁移率、半整数量子霍尔 效应等，石墨烯在电子器件、透明电极、电容器、传感器及复合材料方面引起了科学界的广 泛关注，成为当前国际热门研究领域。基于石墨烯的潜在应用。将制备得到的石墨烯用于 上述领域，通常需要将石墨烯转移到绝缘基体上。
[0003] 化学气相沉积法（CVD)生长法作为当今国际上制备石墨烯的主流方法，它不受衬 底尺寸的限制，设备简单，可以大批量生产。但是，CVD生长法制备的原始石墨烯是沉积在 金属衬底上的，金属衬底作为一种导电、非透明基材，影响了石墨烯的应用，必须将石墨烯 转移至绝缘衬底上。转移后残留在石墨烯上的残留物或污染物将降低石墨烯的迁移率，进 而影响石墨烯的电学性能。因此，如何保证石墨烯无损，无污染的转移到其它柔性、绝缘、高 弹性的基材薄膜上，是目前石墨烯广泛应用的一大挑战，是亟待解决的关键技术。
[0004] 目前常用的转移石墨烯方法主要是将沉积有石墨烯的金属衬底与绝缘基底通过 胶质粘结，再剥离掉衬底。如申请号为201210416963. 0的中国专利公开的一种转移石墨烯 的方法，将CVD法制备的石墨烯薄膜表面上粘附一层热释放胶带作为保护层，用腐蚀液去 掉支撑石墨烯的金属衬底，将热释放胶带并石墨烯薄膜粘附到压电薄膜上，加热去掉热释 放胶带，即将石墨烯转移到压电薄膜上。但此法容易产生胶的残留，造成石墨烯的污染，进 而会影响转移后石墨烯的电学性能。
【发明内容】
[0005] 本发明的目的在于提供一种转移石墨烯的方法，本发明提供的方法转移后的石墨 烯完整、无污染、无破损。
[0006] 本发明提供了一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：
[0007] a)采用静电处理，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜；
[0008] b)剥离所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。
[0009] 优选的，所述静电处理的电压为100V?40KV。
[0010] 优选的，所述静电处理的时间为Is?10000s。
[0011] 优选的，所述步骤a)具体为：
[0012] 将目标基底静电处理后贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，形成第一衬 底-石墨烯-目标基底复合膜前体；
[0013] 将第一所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体进行压合处理，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜。
[0014] 优选的，所述步骤a)具体为：
[0015] 将目标基底贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，压合处理形成第二衬 底-石墨烯-目标基底复合膜前体；
[0016] 将第二所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜膜前体进行静电处理，得到衬底-石 墨烯-目标基底复合膜。
[0017] 优选的，所述静电处理采用静电产生器进行；
[0018] 所述压合处理为过滚压合处理，所述压合处理采用覆膜机进行。
[0019] 优选的，所述过滚压合处理的速率为0. Olm/min?lm/min。
[0020] 优选的，所述静电产生器包括静电产生棒，所述静电产生棒顶端设置有发射针；
[0021] 所述静电产生棒垂直于所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表面；
[0022] 所述发射针的针尖与所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表面的垂直距离 为 Icm ?100cm。
[0023] 优选的，所述压合处理的压力为IMPa?5MPa。
[0024] 优选的，所述压合处理的温度为30°C?60°C。
[0025] 本发明提供了一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：a)采用静电处理，将目标 基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜；b)剥离所述 衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。本发明提供的方法采用静电力将沉积有石墨烯 的衬底与目标基底结合，避免了胶的使用，从而不会在转移后的石墨烯上留有残留胶，对转 移后的石墨烯无污染，且保证了石墨烯的完整性。本发明提供的方法可以实现石墨烯的快 速、完整无损、无污染的转移，且成本低。实验结果表明，采用本发明提供的方法转移后的石 墨烯，方阻在1000 Ω / □以下。
【专利附图】
【附图说明】
[0026] 图1为本发明实施例采用的第一静电处理-压合装置；
[0027] 图2为本发明实施例采用的第二静电处理-压合装置。
【具体实施方式】
[0028] 本发明提供了一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：
[0029] a)采用静电处理，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜；
[0030] b)剥离所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。
[0031] 本发明提供的方法采用静电力将沉积有石墨烯的衬底与目标基底结合，避免了胶 的使用，从而不会在转移后的石墨烯上留有残留胶，对转移后的石墨烯无污染，且保证了石 墨烯的完整性。本发明提供的方法可以实现石墨烯的快速、完整无损、无污染的转移。
[0032] 本发明采用静电处理的方法，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到 衬底-石墨烯-目标基底复合膜。在本发明中，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底采用静 电处理的方法进行粘合可以先对目标基底进行静电处理，再将静电处理后的目标基底与沉 积有石墨烯的衬底进行压合处理，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜，优选具体为：
[0033] 将目标基底静电处理后贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，形成第一衬 底-石墨烯-目标基底复合膜前体；
[0034] 将第一所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体进行压合处理，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜。
[0035] 本发明优选将沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧与静电处理后的目标基底贴附， 得到第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体。本发明对在所述衬底上沉积石墨烯的方法 没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的化学气相沉积的方法，在衬底上沉积石墨烯， 得到沉积有石墨烯的衬底即可。本发明对所述衬底的种类没有特殊的限制，采用本领域技 术人员熟知的衬底即可，如可以为铜箔、镍箔、铝箔或金箔等。在本发明中，所述沉积在衬底 上的石墨烯可以为单层，也可以为多层，本发明对此没有特殊的限制。
[0036] 本发明将沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧与静电处理后的目标基底贴附。本发 明对所述目标基底的种类没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的目标基底即可，如 可以为有机薄膜、玻璃片或硅片，在本发明中，所述有机薄膜优选包括但不限于PET薄膜、 PE薄膜或PVC薄膜。在本发明中，所述目标基底的厚度优选为0.012mm?2mm，更优选为 0. 02mm ?I. 8mm，最优选为 0· 04mm ?1. 5謹。
[0037] 本发明将沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧与静电处理后的目标基底贴附，形成 第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体。本发明先将目标基底进行静电处理，然后将所述 静电处理后的目标基底与沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧贴附。在本发明中，所述静电 处理的电压优选为100V?40KV，更优选为5KV?35KV，最优选为15KV?30KV。在本发明 中，所述静电处理的时间优选为Is?10000s，更优选为5s?5000s，最优选为IOs?60s。
[0038] 在本发明中，所述静电处理的过程优选采用静电产生器进行，本发明对所述静电 产生器的种类没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的静电产生器即可。在本发明中， 所述静电产生器优选包括静电产生棒，所述静电产生棒上设置有发射针。本发明在进行所 述静电处理的过程中，所述静电产生棒优选垂直于所述第一衬底-石墨烯-目标基底复合 膜前体的表面；所述发射针的针尖距离所述第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表 面的垂直距离优选为Icm?100cm，更优选为2cm?50cm，最优选为3cm?10cm。
[0039] 得到第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体后，本发明将所述第一衬底-石墨 烯-目标基底复合膜前体进行压合处理，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜。本发明对所 述压合处理的方法没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的压合的技术方案即可，如 可以为滚压。在本发明中，所述压合处理优选为过滚压合处理；所述压合处理采用覆膜机进 行。在本发明的实施例中，优选将得到的第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体通过覆 膜机进行压合处理，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜。在本发明中，所述压合处理的压 力优选为IMPa?5MPa，更优选为2MPa?3MPa ;所述压合处理的温度优选为30°C?60°C， 更优选为35°C?55°C，最优选为40°C?50°C在本发明中，所述衬底-石墨烯-目标基底前 体通过所述覆膜机的速度优选为0. 〇lm/min?lm/min，更优选为0. 02m/min?0. 5m/min, 最优选为 〇. 〇3m/min ?0. 2m/min。
[0040] 在本发明中，还可以先将目标基底贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，压 合后再进行静电处理，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜，优选具体为：
[0041] 将目标基底贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，压合处理形成第二衬 底-石墨烯-目标基底复合膜前体；
[0042] 将所述第二所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜膜前体进行静电处理，得到衬 底-石墨烯-目标基底复合膜。
[0043] 本发明优选将目标基底贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，压合处理后形 成第二衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体。在本发明中，所述衬底的种类和来源与上述 技术方案所述衬底一致，在此不再赘述；所述沉积有石墨烯的衬底的种类和来源与上述技 术方案所述沉积有石墨烯的衬底一致，在此不再赘述。本发明对所述压合处理的方法没有 特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的压合的技术方案即可，如可以为滚压。在本发明 中，所述压合处理优选为过滚压合处理；所述压合处理采用覆膜机进行。在本发明的实施例 中，优选将目标基底与沉积有石墨烯的衬底贴附后通过覆膜机进行压合处理，得到第二衬 底-石墨烯-目标基底复合膜前体。在本发明中，所述压合处理的压力优选为IMPa?5MPa， 更优选为2MPa?3MPa ;所述压合处理的温度优选为30°C?60°C，更优选为35°C?55°C， 最优选为40°C?50°C在本发明中，所述压合处理的速率优选为0. Olm/min?lm/min，更优 选为 0· 02m/min ?0· 5m/min，最优选为 0· 03m/min ?0· 2m/min。
[0044] 压合处理形成第二衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体后，本发明优选将所述第 二所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜膜前体进行静电处理，得到衬底-石墨烯-目标基 底复合膜。在本发明中，所述静电处理的电压优选为IOOV?40KV，更优选为5KV?35KV， 最优选为15KV?30KV。在本发明中，所述静电处理的时间优选为Is?10000s，更优选为 5s?5000s，最优选为IOs?60s。
[0045] 在本发明中，所述静电处理的过程优选采用静电产生器进行，本发明对所述静电 产生器的种类没有特殊的限制，采用本领域技术人员熟知的静电产生器即可。在本发明中， 所述静电产生器优选包括静电产生棒，所述静电产生棒上设置有发射针。本发明在进行所 述静电处理的过程中，所述静电产生棒优选垂直于所述第一衬底-石墨烯-目标基底复合 膜前体的表面；所述发射针的针尖距离所述第一衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表 面的垂直距离优选为Icm?IOOcm,更优选为2cm?50cm，最优选为3cm?10cm。
[0046] 具体的，在本发明的实施例中可以采用图1或图2所示的静电处理-压合装置制 备得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜，图1为本发明实施例采用的第一静电处理-压合 装置，图1中，1和2分别为衬底和目标基底，3为静电产生器的电源，4为静电产生器，5为 滚筒。在采用图1所示装置制备得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜时，本发明将目标基 底进行静电处理后贴附于沉积有石墨烯的衬底上，在进行过滚压合处理，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜：本发明将目标基底通过静电产生器，进行静电处理；与沉积有石墨烯 的衬底贴合，再经过滚筒压合，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜；
[0047] 图2为本发明实施例采用的第二静电处理-压合装置，图2中，1和3分别为沉积 有石墨烯的衬底和目标基底，2为石墨烯，4为静电产生器的电源，5为静电产生器，6为滚 筒。在采用图2所示装置制备衬底-石墨烯-目标基底复合膜时，先将目标基底和沉积有 石墨烯的衬底过滚压合处理，再进行静电处理，形成衬底-石墨烯-目标基底复合膜。
[0048] 得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜后，本发明剥离所述衬底-石墨烯-目标基底 复合膜中的衬底，石墨烯由衬底转移至目标基底上。本发明对所述剥离的方法没有特殊的 限制，采用本领域技术人员熟知的剥离衬底的技术方案即可，如可以采用电化学刻蚀剥离、 机械剥离或化学刻蚀剥离。
[0049] 具体的，在本发明的实施例中，采用化学刻蚀剥离所述衬底-石墨烯-目标基底复 合膜中的衬底时，将所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜置于刻蚀液中，将衬底刻蚀掉即 可。在本发明中，所述刻蚀液优选包括但不限于酸性氯化铜溶液、氯化铁溶液、碱性氯化铜 溶液、硫酸-双氧水溶液和过硫酸铵溶液中的一种或几种。本发明对所述刻蚀液的质量浓 度没有特殊的限制，能够达到刻蚀掉所述衬底的作用即可；在本发明中，所述刻蚀液的质量 浓度的选择由需要刻蚀的速度决定。具体的，在本发明的实施例中，所述过硫酸铵溶液的质 量浓度可以为2%?15%，也可以为优选为4%?13%，还可以为优选为6%?11%。本发 明对所述刻蚀的时间没有特殊的限定，能够将所述衬底刻蚀掉即可；
[0050] 完成所述刻蚀后，本发明优选取出所述刻蚀液中的刻蚀对象，得到石墨烯-目标 基底，将石墨稀由衬底转移到了目标基底上。
[0051] 本发明提供的方法还可以将所述石墨烯-目标基底重复与沉积有石墨烯的衬底 贴附、静电处理、刻蚀，继续向所述石墨烯-目标基底中石墨烯一侧转移石墨烯，以满足不 同厚度石墨烯的需求。本发明提供的方法在进行多次石墨烯转移时，也能够保证转移后的 石墨烯完整、无损、无污染。
[0052] 本发明提供了一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤：a)采用静电处理，将目标 基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨烯-目标基底复合膜；b)剥离所述 衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。本发明提供的方法采用静电力将沉积有石墨烯 的衬底与目标基底结合，避免了胶的使用，从而不会在转移后的石墨烯上留有残留胶，对转 移后的石墨烯无污染，且保证了石墨烯的完整性。本发明提供的方法可以实现石墨烯的快 速、完整无损、无污染的转移，且成本低。实验结果表明，采用本发明提供的方法转移后的石 墨烯，方阻在1000 Ω / □以下。
[0053] 为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的转移石墨烯的方法进行 详细地描述，但不能将它们理解为对本发明保护范围的限定。
[0054] 实施例1
[0055] CVD法在铜箔上生长单层石墨烯，得到沉积有石墨烯的铜箔；
[0056] 以厚度为0. 012mm的PET薄膜为目标基底，采用图1所示的装置制备铜箔-石墨 烯-PET复合膜，将目标基底静电处理后贴附于沉积有石墨烯的铜箔中石墨烯一侧，静电发 生器电压为20KV，静电处理时间为60s，静电发生器中静电产生棒的发射针尖垂直铜箔-石 墨烯-PET复合膜表面，距铜箔-石墨烯-PET复合膜表面lcm，得到铜箔-石墨烯-PET复合 膜前体；
[0057] 将铜箔-石墨烯-PET复合膜前体以0. Olm/min的速度通过覆膜机进行过滚压合， 过滚压合的压力为2MPa，过滚压合的温度为30°C ;
[0058] 将过滚压合后的铜箔-石墨烯-PET复合膜置于质量浓度为2%的过硫酸铵溶液中 进行刻蚀，刻蚀完成后取出、清洗、烘干，得到单层石墨烯-PET复合膜。
[0059] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0060] 实施例2
[0061] 按照实施例1的技术方案将沉积在铜箔上的单层石墨烯转移至PET薄膜上，再按 照下述过程，再向该PET薄膜上单层石墨烯的表面转移一单层石墨烯：
[0062] CVD法在铜箔上生长单层石墨烯，得到沉积有石墨烯的铜箔；
[0063] 以上述负载有单层石墨烯的PET薄膜为目标基底，采用图2所示的装置制备铜 箔-石墨烯-PET复合膜，将目标基底贴附于沉积有石墨烯的铜箔中石墨烯的一侧过滚压合 处理后进行静电处理，得到铜箔-两层石墨烯-PET复合膜，静电发生器电压为15KV，静电处 理时间为500s，静电发生器中静电产生棒的发射针尖垂直铜箔-两层石墨烯-PET复合膜表 面，距铜箔-两层石墨烯-PET复合膜表面IOcm ;过滚压合的压力为2MPa，过滚压合的温度 为 40°C ;
[0064] 将得到的铜箔-两层石墨烯-PET复合膜置于质量浓度为15%的过硫酸铵溶液中 进行刻蚀；
[0065] 刻蚀完成后，取出、清洗、烘干，得到两层石墨烯-PET薄膜复合体。
[0066] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0067] 实施例3
[0068] 按照实施例1的技术方案将沉积在铜箔上的单层石墨烯转移，不同的是，本实施 例中，目标基底为厚度为2mm的PE保护膜，铜箔-石墨烯-PE复合膜通过图1所示装置的 速度为〇. 5m/min，静电产生棒的发射针尖距离铜箔-石墨烯-PE复合膜为5cm，过滚压合的 温度为35°C，刻蚀液过硫酸铵的质量浓度为5%。
[0069] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0070] 实施例4
[0071] 按照实施例3的技术方案将沉积在铜箔上的单层石墨烯转移至PE保护膜上，再按 照下述过程，再向该PE保护膜上单层石墨烯的表面转移一单层石墨烯：
[0072] CVD法在铜箔上生长单层石墨烯，得到沉积有石墨烯的铜箔；
[0073] 以上述负载有单层石墨烯的PE膜为目标基底，采用图2所示的装置制备铜箔-石 墨烯-PET复合膜，将目标基底贴附于石墨烯-铜箔中沉积有石墨烯的一侧后过滚压合处 理，再进行静电处理，得到铜箔-两层石墨烯-PE复合膜，静电发生器电压为15KV，静电处理 时间为5000s，静电发生器中静电产生棒的发射针尖垂直铜箔-两层石墨烯-PE复合膜表 面，距铜箔-两层石墨烯-PE复合膜表面3cm ;过滚压合的压力为2MPa，过滚压合的温度为 45 0C ；
[0074] 将得到的铜箔-两层石墨烯-PE复合膜置于质量浓度为10%的过硫酸铵溶液中进 行刻蚀；
[0075] 刻蚀完成后，取出、清洗、烘干，得到两层石墨烯-PET薄膜复合体。
[0076] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0077] 实施例5
[0078] 按照实施例1的技术方案，进行石墨烯由铜箔上转移至PET薄膜上，不同的是，本 实施例中，本申请中刻蚀液为质量浓度为10 %的酸性氯化铜溶液。
[0079] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0080] 实施例6
[0081] 按照实施例5的技术方案，将沉积在铜箔上的单层石墨烯转移至PET薄膜上，再重 复实施例5的技术方案，将铜箔上的单层石墨烯转移至单层石墨烯-PTE表面的石墨烯上， 得到两层石墨烯-PET复合膜。
[0082] 实施例7
[0083] 按照实施例1的技术方案，进行石墨烯由铜箔上转移至PET薄膜上，不同的是，本 实施例中静电发生器电压为5KV，静电处理时间为5000s。
[0084] 实施例8
[0085] 按照实施例1的技术方案，进行石墨烯由铜箔上转移至PET薄膜上，不同的是，本 实施例中静电发生器电压为100V，静电处理时间为10000s。
[0086] 实施例9
[0087] 按照实施例1的技术方案，进行石墨烯由铜箔上转移至PET薄膜上，不同的是，本 实施例中静电发生器电压为1KV，静电处理时间为100s。
[0088] 实施例10
[0089] 按照实施例1的技术方案，进行石墨烯由铜箔上转移至PET薄膜上，不同的是，本 实施例中静电发生器电压为500V，静电处理时间为500s。
[0090] 本发明检测转移后石墨烯的方阻，结果如表1，表1为本发明实施例的技术参数和 转移后石墨烯的方阻。
[0091] 表1本发明实施例的技术参数和转移后石墨烯的方阻
【权利要求】
1. 一种转移石墨烯的方法，包括以下步骤： a) 采用静电处理，将目标基底与沉积有石墨烯的衬底进行粘合，得到衬底-石墨烯-目 标基底复合月吴； b) 剥离所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜中的衬底。
2. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述静电处理的电压为100V?40KV。
3. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述静电处理的时间为Is?10000s。
4. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a)具体为： 将目标基底静电处理后贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，形成第一衬底-石 墨烯-目标基底复合膜前体； 将第一所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体进行压合处理，得到衬底-石墨烯-目 标基底复合月吴。
5. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤a)具体为： 将目标基底贴附于沉积有石墨烯的衬底中石墨烯一侧，压合处理形成第二衬底-石墨 烯-目标基底复合膜前体； 将第二所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜膜前体进行静电处理，得到衬底-石墨 烯-目标基底复合膜。
6. 根据权利要求4或5任意一项所述的方法，其特征在于，所述静电处理采用静电产生 器进行； 所述压合处理为过滚压合处理，所述压合处理采用覆膜机进行。
7. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述过滚压合处理的速率为0. Olm/min? lm/min〇
8. 根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述静电产生器包括静电产生棒，所述静 电产生棒顶端设置有发射针； 所述静电产生棒垂直于所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表面； 所述发射针的针尖与所述衬底-石墨烯-目标基底复合膜前体的表面的垂直距离为 lcm ?100cm〇
9. 根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述压合处理的压力为IMPa?5MPa。
10. 根据权利要求4或5所述的方法，其特征在于，所述压合处理的温度为30°C? 60。。。
【文档编号】C01B31/04GK104477894SQ201410766062
【公开日】2015年4月1日 申请日期:2014年12月12日 优先权日:2014年12月12日
【发明者】王姣霞, 许林峰, 汪伟, 刘兆平 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所