技术总结
本发明涉及一种熔盐体系下低温晶化氧化硅的方法，包括以下步骤：(1)将氧化硅加入熔盐体系中，并研磨得到混合粉体，使氧化硅均匀分散于熔盐中；(2)将混合粉体在空气中常压条件下，500℃下熔盐反应4‑6小时；(3)反应结束后，用去离子水溶解去除熔盐，并离心，干燥处理得到晶化氧化硅，同时熔盐可以重复性利用。与现有技术相比，本发明首次提出了一种熔盐法低温晶化氧化硅的方法，显著降低反应温度，并且制备的为方石英；采用本发明提供的方法容易实现反应的均匀性；采用本发明提供的方法晶化氧化硅具有反应温度低，反应时间短，结晶度高，制备简单、经济和环保等特点，具有较好的应用前景。
技术研发人员：胡桂青;姚宝殿;于治水
受保护的技术使用者：上海工程技术大学
文档号码：201510523817
技术研发日：2015.08.24
技术公布日：2017.05.03