技术总结
本发明一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法,包括：步骤1）GaSb单晶片进行抛光，抛光后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤2）将GaSb单晶片依次在无水乙醇、石油醚、异丙醇有机溶剂中进行超声清洗，在每种试剂中清洗时间为10～15分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤3）将GaSb单晶片浸入盐酸和异丙醇按体积比1:4进行混合的溶液中，进行超声清洗5～10分钟，完毕后将GaSb单晶片浸泡在无水乙醇中；步骤4）将GaSb单晶片取出，在氮气或惰性气体的环境下吹干，并装盒密封。本发明通过改进工艺，通过在超净环境下对晶片进行加工，并采用化学清洗与氮气封装工艺可有效去除GaSb单晶表面残留杂质和颗粒，控制颗粒度在100/cm2以下，大大提高GaSb单晶衬底表面质量。
技术研发人员：刘京明;刘彤;董志远;赵有文
受保护的技术使用者：北京华进创威电子有限公司
文档号码：201610488212
技术研发日：2016.06.29
技术公布日：2016.11.16