防损坏琉璃的制备方法与流程

文档序号:12449951阅读:1433来源:国知局

本发明涉及一种防损坏琉璃的制备方法。



背景技术:

琉璃是一种硅酸盐制品,具有悠久的历史,其品质晶莹剔透,光彩夺目,变幻瑰丽,充分体现出东方人的精致、细腻和含蓄,是一种重要的装饰构件。琉璃成分以软化点低、料性长为有优良特性,如此便于工艺制造,适合琉璃成形,琉璃制品的品质体现在光泽好,气泡、条纹、结石少。琉璃的软化点、料性主要取决于琉璃配 方中成分的种类及其比例,而在琉璃基础成分中加入澄清剂可以使琉璃熔化温度降低、熔 化质量得到提高,避免产生气泡、条纹、结石等缺陷。澄清剂能够在琉璃生产过程中放出分 解气体,或自身气化,产生大量的气泡,吸纳周边的小气泡,伴随灰泡上升而促进琉璃澄清。目前常用的澄清剂有二氧化铈、白砒等,但是白砒为剧毒物质,威胁操作人员健康 并严重污染环境;二氧化铈的澄清效果尚可,但澄清时间较长,而且铈为稀土元素,成本较昂贵。因此亟需一种软化点低、料性长、澄清效果好、澄清时间短、制品品质优良的琉璃配方。



技术实现要素:

本发明提供一种具有使用寿命长、成本低、品质高、不易碎的优点的防损坏琉璃的制备方法。

本发明的技术方案是:一种防损坏琉璃的制备方法,所述的防损坏琉璃的制备方法包括:

1.造型设计: 将设计创作理念绘成平面设计图稿,再雕塑立体原型;

2.制硅胶模: 在原型的表面涂上硅胶并以石膏固定外型,再制成硅胶阴模;

3.灌制蜡模:在硅胶阴模内灌入热融的蜡,待其自然冷却成型为阳模,其中镂空与倒角的细节转折处拆取;

4.细修蜡模:将蜡阳模、毛边、气孔细心修补;

5.制石膏模:将耐火石膏灌铸在修饰后的蜡模外,制成含蜡石膏模,再以蒸汽加温脱蜡,即成耐火石膏阴模;

6.进炉烧制:将石膏模与配置好的玻璃料放进炉内慢慢加温,水晶玻璃软化流入石膏模内成型;

7.拆石膏模: 待其降温冷却后从炉内取出,小心拆除石膏模取得琉璃作品粗胚;

8.研磨、抛光:将作品不断重复地研磨、抛光,直至使琉璃的光泽透射出来,展现晶莹的质感,即可完成作品。

在本发明一个较佳实施例中,所述炉内加温的温度为1000℃。

在本发明一个较佳实施例中,所述石膏模为耐火石膏模。

本发明的一种防损坏琉璃的制备方法,具有使用寿命长、成本低、品质高、不易碎的优点。

具体实施方式

下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。

其中,所述的防损坏琉璃的制备方法包括:

1.造型设计: 将设计创作理念绘成平面设计图稿,再雕塑立体原型;

2.制硅胶模: 在原型的表面涂上硅胶并以石膏固定外型,再制成硅胶阴模;

3.灌制蜡模:在硅胶阴模内灌入热融的蜡,待其自然冷却成型为阳模,其中镂空与倒角的细节转折处拆取;

4.细修蜡模:将蜡阳模、毛边、气孔细心修补;

5.制石膏模:将耐火石膏灌铸在修饰后的蜡模外,制成含蜡石膏模,再以蒸汽加温脱蜡,即成耐火石膏阴模;

6.进炉烧制:将石膏模与配置好的玻璃料放进炉内慢慢加温,水晶玻璃软化流入石膏模内成型;

7.拆石膏模: 待其降温冷却后从炉内取出,小心拆除石膏模取得琉璃作品粗胚;

8.研磨、抛光:将作品不断重复地研磨、抛光,直至使琉璃的光泽透射出来,展现晶莹的质感,即可完成作品。

进一步说明,所述炉内加温的温度为1000℃,所述石膏模为耐火石膏模。

进一步说明,制造耐火石膏模就是将耐火石膏灌铸在修饰后的蜡模外,制成含蜡耐火石膏模。这里用到的主要原料就是硅微粉,也就是耐火石膏粉。我们首先需要按适当比例加水调配耐火石膏粉,通常按照耐火石膏粉1份,清水2份的标准,将耐火石膏粉稀释。首先我们按照蜡模的大小用铁皮制作一个外壳。将蜡模放到木板中央,用蜡水将其固定,防止其移动,将刚才做好的外壳套在蜡模上面,铁壳底部用蜡水密封。将耐火石膏灌入壳内,灌浆量以没过蜡模顶部7-10cm比较合适。这时耐火石膏的内部有许多气泡,我们应该进行真空处理,把耐火石膏的气泡排出。抽真空时,箱内气压应小于0.08兆帕。取出石膏模后把其放在阴凉处进行晾晒。 大约2-3小时后,耐火石膏即可自然凝固成型。这时我们应把包在耐火石膏周围的铁壳去掉。这样耐火石膏模就做好了。将风干包好耐火石膏的蜡模,蜡模口朝下放在蒸汽炉中,将门关紧,以防高温蒸汽喷出伤人。蒸汽炉内应保持在130-150℃的高温,这样就可将耐火石膏中的蜡模逐步熔化,蜡水顺着排水口慢慢排出,操作时间应根据作品大小的不同而改变,通常在1-3小时之间。打开蒸汽炉门,耐火石膏模内应该完全没有残蜡。本发明提供一种防损坏琉璃的制备方法,具有使用寿命长、成本低、品质高、不易碎的优点。

本发明的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本领域的技术人员在本发明所揭露的技术范围内,可不经过创造性劳动想到的变化或替换,都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此,本发明的保护范围应该以权利要求书所限定的保护范围为准。

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