一种中反银灰色可弯钢双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法与流程

文档序号:11821740阅读:384来源:国知局

本发明涉及玻璃深加工技术领域,具体涉及一种中反银灰色可弯钢双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法。



背景技术:

磁控溅射镀膜技术是目前工业镀膜生产中最主要的技术之一,磁控溅射具有高速、低温、低损伤等优点,沉积速率快,基片的温度变化小,对膜层的损伤小等一系列优点。广泛应用于大面积建筑玻璃镀膜行业,随着行业加工技术的不断深化和产品复合程度的逐渐加深,可钢low-e镀膜技术以其高效的加工流程、充分的溅射利用率、可异地加工、适用面广的特点被不断优化升级,目前行业内已实现平钢化单银、双银、三银的技术完善及规模化生产,但双银、三银的弯钢化技术仍处于实验阶段,该阶段双银弯钢产品普遍存在平钢弯钢颜色不一致的问题,对于目前较主流的双银幕墙工程而言,对于有转弧等建筑结构需求的部位往往使用单银、热反射等简单产品替代,因而出现建筑局部节能性难以满足要求,室内色差突出等问题。



技术实现要素:

本发明的目的是为了弥补现有技术的不足,提供一种中反银灰色可弯钢双银低辐射镀膜玻璃。

为了达到本发明的目的,技术方案如下:

一种中反银灰色可弯钢双银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片层和镀膜层,所述镀膜层自所述玻璃基片层向外依次复合有十三个膜层,其中第一层为SiNx层,第二层为ZnO层,第三层为Ag层,第四层为NiCr层,第五层为AZO层,第六层为SiNx层,第七层为ZnO层,第八层为Ag层,第九层为NiCr层,第十层为AZO层,第十一层为SiNx层,第十二层为NiCr层,第十三层为SiNx层。

优选地:所述第一层和第二层的厚度总和为15~20nm。

优选地:所述第三层的厚度为6~8nm。

优选地:所述第四层的厚度为2~5nm。

优选地:所述第五层的厚度为6~7nm、第六层和第七层的厚度总和为45~50nm。

优选地:所述第八层的厚度为4~5nm,第九层的厚度1~3nm,第十层的厚度为6~7nm,第十一层的厚度为10~15nm,第十二层的厚度为2~3nm,第十三层的厚度为15~20nm。

优化钢化加工过程:

1)平钢化与弯钢化在同一台炉子上进行加工(使用无间隙强制对流炉);

2)加工过程中确保弯钢化与平钢化温度、炉丝加热功率、对流功率等一致性,尽可能减小温度对颜色的影响。若玻璃厚度为5-12mm,设定加热温度从700℃到690℃,加热时间以90s/mm为单位,本专利膜系比常规单银加热时间增加约5%。

3)对钢化设备进行改造,加工平钢玻璃时控制吹风延后10-13秒,使加工平钢化急冷模式与弯钢化一致,确保膜层分子运动及排布的一致性;由于吹风滞后,导致玻璃应力偏低,需增加10%的出炉温度,确保玻璃应力合格;

4)对弯风栅段上下风嘴水平进行校正,通过调节风嘴高度及风机风箱开合控制平钢化弯曲度。

本发明具有的有益效果:

通过膜层设计,解决弯钢后因加热时间不同及膜层拉伸造成的与平钢颜色改变幅度不一致的问题,2、在双银膜层常规结构的最外层加入NiCr进行调和,降低膜面反射率。3、确定钢化工艺,对钢化炉弯钢化段信号进行改造,确保加工平钢化时能够顺利吹风;4、对加热均匀性进行检查,确保加热的均匀性,防止温度不均匀对颜色产生影响。

6mm单片透过率≥50%,外观呈现的是银灰色,2、双银平钢、弯钢后对比,正面、侧面颜色一致;单片玻面侧面a*(45度)偏差0.3以内,其综合色差△E≤2;3、钢化后单片膜面反射率15%-16%,玻面反射率23%-25%。4、明确钢化加工的注意事项,保障钢化加工质量。

附图说明

图1为本发明金色双银低辐射镀膜玻璃的结构示意图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步描述,但本发明的保护范围不仅仅局限于实施例。

一种中反银灰色可弯钢双银低辐射镀膜玻璃,包括玻璃基片层G和镀膜层,所述镀膜层自所述玻璃基片层G向外依次复合有十三个膜层,其中第一层为SiNx层1,第二层为ZnO层2,第三层为Ag层3,第四层为NiCr层4,第五层为AZO层5,第六层为SiNx层6,第七层为ZnO层7,第八层为Ag层8,第九层为NiCr层9,第十层为AZO层10,第十一层为SiNx层11,第十二层为NiCr层12,第十三层为SiNx层13。

第一层和第二层的厚度总和为15~20nm,第三层的厚度为6~8nm,所述第四层的厚度为2~5nm。

第五层的厚度为6~7nm、第六层和第七层的厚度总和为45~50nm。所述第八层的厚度为4~5nm,第九层的厚度1~3nm,第十层的厚度为6~7nm,第十一层的厚度为10~15nm,第十三层的厚度为15~20nm。

在本实施例中,第一层厚7nm,第二层厚10nm,第三层的厚度为7nm,所述第四层的厚度为4nm。

第五层的厚度为7nm、第六层的厚度为20nm,第七层的厚度为27nm。所述第八层的厚度为4.5nm,第九层的厚度2nm,第十层的厚度为6nm,第十一层的厚度为12nm,第十二层的厚度为2.5nm,第十三层的厚度为16nm。

最后应说明的是:以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案,因此,尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明,但是,本领域的普通技术人员应当理解,仍然可以对本发明进行修改或等同替换,而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进,其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。

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