本发明涉及磁控溅射镀膜玻璃生产技术领域，具体涉及一种珊瑚色磁控溅射低辐射镀膜玻璃的生产工艺。
背景技术：
目前，低辐射玻璃镀膜生产工艺有两种：即在线镀膜法和离线镀膜法，在线镀膜法也称作化学法是浮法玻璃生产过程中，在热的玻璃表面上喷涂上以锡盐为主要成分的化学溶液，形成单层具有一定低辐射功能的氧化锡化合物薄膜而制成的。离线镀膜法是利用专门的磁控溅射镀膜生产设备，将辐射率极低的Ag或其他金属、非金属通过磁场引导均匀的溅射到玻璃表面，达到隔绝紫外线，减少热量传导的目的。
离线镀膜法即磁控溅射镀膜工艺目前主要生产两类薄膜，一类是阳光控制膜，另一类是Low-E低辐射膜。阳光控制膜主要是起遮光作用。Low-E低辐射膜可以降低光的反射率，起到保温隔热作用，且Low-E低辐射膜一般都需要钢化处理、封装成中空玻璃后作为幕墙玻璃使用。
目前市面上生产的磁控溅射镀膜玻璃颜色单一，抗氧化性较差，部分特殊颜色膜系无法钢化处理，具有装饰性颜色的珊瑚色（RGB：255,127,80）Low-E更为少见。
技术实现要素：
本发明目的是提供一种珊瑚色磁控溅射低辐射镀膜玻璃生产工艺，以填补市场空白。
为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：一种珊瑚色磁控溅射低辐射镀膜玻璃生产工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：
第一步，先将玻璃基板通过清洗机清洗干净后，通过传送辊道输送至磁控溅射设备的磁控溅射工艺室内；
第二步，用磁控溅射设备镀第一层膜，具体是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积SiO2，厚度为12-12.6nm，靶材为硅铝材质，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为450-550sccm，反应气体O2流量为550-650sccm；
第三步，用磁控溅射设备依次镀第二层膜、第三层膜、第四层膜以及第五层膜，第二层膜、第三层膜、第四层膜以及第五层膜具体均是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积Si3N4，且每层的厚度为11-11.5nm，靶材均为硅铝材质，溅射工艺气氛均为：工作气体Ar流量为600-650sccm，反应气体N2流量为600-650sccm；
第五步，用磁控溅射设备镀第六层膜，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积Cr2N，厚度为2.2-4.5nm，靶材为铬，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm，反应气体N2流量为450-550sccm；
第六步，用磁控溅射设备镀第七层膜，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积AgCu，厚度为1.7-3.2nm，靶材为银铜合金，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm；
第七步，用磁控溅射设备镀第八层膜，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积NiCr，厚度为1.4-2.9nm，靶材为镍铬合金，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm；
第八步，用磁控溅射设备依次镀第九层膜、第十层膜、第十一层膜以及第十二层膜，第九层膜、第十层膜、第十一层膜以及第十二层膜均是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积Si3N4，每层的厚度均为29-31.5nm，靶材均为硅铝材质，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为550-650sccm，反应气体N2流量为550-650sccm；
第九步，用磁控溅射设备镀第十三层膜，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积Ti，厚度为0.7-1.8nm，靶材为钛，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm。
由于上述技术方案的应用，本发明具有以下优点：
本发明所制作出的镀膜玻璃是单银珊瑚色Low-E低辐射镀膜玻璃，不仅表面呈珊瑚色（RGB：255,127,80），且光透过率可以达到30%-50%，还具有膜层抗氧化性能好、可钢化的优势。
附图说明
图1为本发明制作的产品结构示意图。
以上附图中： 1、第一层膜；2、第二层膜；3、第三层膜；4、第四层膜；5、第五层膜，6、第六层膜；7、第七层膜；8、第八层膜；9、第九层膜；10、第十层膜；11、第十一层膜；12、第十二层膜；13、第十三层膜；14、玻璃基板。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步描述：
实施例：参见图1所示：
一种珊瑚色磁控溅射低辐射镀膜玻璃生产工艺，具体包括以下步骤：
第一步，先将玻璃基板通过清洗机清洗干净后，通过传送辊道输送至磁控溅射设备的磁控溅射工艺室内；玻璃基板可以是平板玻璃、夹层玻璃或真空玻璃；
第二步，用磁控溅射设备镀第一层膜1，具体是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积SiO2，即第一层膜1为SiO2膜层，厚度为12-12.6nm，靶材为硅铝材质（AlSi）（其中硅含量98%，铝含量为2%），溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为450-550sccm，反应气体O2流量为550-650sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第三步，用磁控溅射设备依次镀第二层膜2、第三层膜3、第四层膜4以及第五层膜5，第二层膜2、第三层膜3、第四层膜4以及第五层膜5具体均是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积Si3N4，即第二层膜2、第三层膜3、第四层膜4以及第五层膜5为Si3N4膜层，且每层的厚度为11-11.5nm，靶材均为硅铝材质（AlSi）（其中硅含量98%，铝含量为2%），溅射工艺气氛均为：工作气体Ar流量为600-650sccm，反应气体N2流量为600-650sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第五步，用磁控溅射设备镀第六层膜6，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积Cr2N，即第六层膜6为Cr2N膜层，厚度为2.2-4.5nm，靶材为铬，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm，反应气体N2流量为450-550sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第六步，用磁控溅射设备镀第七层膜7，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积AgCu，即第七层膜7为AgCu膜层，厚度为1.7-3.2nm，靶材为银铜合金（AgCu）（其中银含量98%，铜含量2%），溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第七步，用磁控溅射设备镀第八层膜8，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积NiCr，即第八层膜8为NiCr膜层，厚度为1.4-2.9nm，靶材为镍铬合金（NiCr）（其中镍含量80%，铬含量20%），溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第八步，用磁控溅射设备依次镀第九层膜9、第十层膜10、第十一层膜11以及第十二层膜12，第九层膜9、第十层膜10、第十一层膜11以及第十二层膜12均是用中频电源加旋转阴极进行磁控溅射沉积Si3N4，即第九层膜9、第十层膜10、第十一层膜11以及第十二层膜12均为Si3N4膜层，每层厚度为29-31.5nm，靶材均为硅铝材质（AlSi）（其中硅含量98%，铝含量为2%），溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为550-650sccm，反应气体N2流量为550-650sccm；前述单位sccm是指标准毫升/每分钟；
第九步，用磁控溅射设备镀第十三层膜13，具体是用直流电源加平面阴极进行磁控溅射沉积Ti，即第三层膜13为Ti膜层，其厚度为0.7-1.8nm，靶材为钛，溅射工艺气氛为：工作气体Ar流量为1150-1250sccm，前述单位sccm是指标准毫升/每分钟。
上述工艺过程中，膜导的厚度控制与磁控溅射设备的功率选择有关。
本实施例所制作出的镀膜玻璃是单银珊瑚色Low-E低辐射镀膜玻璃，不仅表面呈珊瑚色（RGB：255,127,80），且光透过率可以达到30%-50%，还具有膜层抗氧化性能好、可钢化的优势。
本实施例最适合于厚度为3-19mm的平板玻璃、夹层玻璃或真空玻璃。
上述实施例只为说明本发明的技术构思及特点，其目的在于让熟悉此项技术的人士能够了解本发明的内容并据以实施，并不能以此限制本发明的保护范围。凡根据本发明精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围之内。