磁性材料溅射靶及其制造方法

磁性材料溅射靶及其制造方法
【专利摘要】本发明涉及磁性材料溅射靶及其制造方法。一种磁性材料溅射靶，其为含有氧化物的磁性材料溅射靶，其特征在于，氧化物的平均粒径为400nm以下。一种含有氧化物的磁性材料溅射靶的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原料，然后将该原料烧结。本发明的课题在于得到能够抑制导致溅射时产生粉粒的氧化物的异常放电的磁性材料靶、特别是非磁性材料颗粒分散型强磁性材料溅射靶。
【专利说明】磁性材料瓣射卽及其制造方法
[0001 ] 本申请是申请日为2013年2月26日、申请号为201380013940.8的中国专利申请的 分案申请。
技术领域
[0002] 本发明设及用于磁记录介质的磁性体薄膜，特别是采用垂直磁记录方式的硬盘的 磁记录介质的颗粒膜的成膜的强磁性材料瓣射祀，设及能够抑制导致瓣射时产生粉粒的氧 化物的异常放电的非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀及其制造方法。
【背景技术】
[0003] 瓣射装置有各种方式，对于上述磁记录膜的成膜而言，从生产率高的观点考虑，广 泛使用具备DC电源的磁控瓣射装置。瓣射法使用的原理如下：将作为正极的衬底与作为负 极的祀对置，在惰性气体气氛中，在该衬底与祀之间施加高电压W产生电场。
[0004] 此时，惰性气体电离，形成包含电子和阳离子的等离子体，该等离子体中的阳离子 撞击祀(负极)的表面时将构成祀的原子击出，该飞出的原子附着到对置的衬底表面上而形 成膜。通过运样的一系列动作，构成祀的材料在衬底上形成膜。
[0005] 另一方面，从关于磁性材料的开发来看，在W硬盘驱动器为代表的磁记录领域，作 为承担记录的磁性薄膜的材料，使用W作为强磁性金属的Co、Fe或M为基质的材料。例如， 采用面内磁记录方式的硬盘的记录层中使用WCo为主要成分的Co-Cr基或Co-化-Pr基强磁 性合金。
[0006] 另外，在采用近年来实用化的垂直磁记录方式的硬盘的记录层中，通常使用包含 WCo为主要成分的Co-化-Pr基强磁性合金与非磁性无机物的复合材料。
[0007] 而且，从生产率高的观点考虑，硬盘等磁记录介质的磁性薄膜通常使用W上述材 料为成分的强磁性材料瓣射祀进行瓣射来制作。
[000引作为运样的强磁性材料瓣射祀的制作方法，考虑烙炼法或粉末冶金法。采用哪种 方法制作取决于所要求的特性，不能一概而论，用于垂直磁记录方式的硬盘的记录层的、包 含强磁性合金和非磁性无机物颗粒的瓣射祀一般通过粉末冶金法来制作。运是因为：需要 将无机物颗粒均匀地分散到合金基质中，因此难W通过烙炼法制作。
[0009] 例如，提出了将通过急冷凝固法制作的具有合金相的合金粉末与构成陶瓷相的粉 末进行机械合金化，使构成陶瓷相的粉末均匀地分散到合金粉末中，通过热压进行成形而 得到磁记录介质用瓣射祀的方法(专利文献1)。
[0010] 运种情况下的祀组织可W看到是基质W鱼白（轄鱼的精子)状结合，在其周围包围 着Si化（陶瓷）的形态(专利文献1的图2)或者呈细绳状分散(专利文献1的图3)的形态。其它 图不清晰，但是推测为同样的组织。运样的组织具有后述的问题，不能说是优选的磁记录介 质用瓣射祀。另外，专利文献1的图4中所示的球状物质是粉末，并非祀的组织。
[0011] 另外，即使不使用通过急冷凝固法制作的合金粉末，对于构成祀的各成分准备市 售的原料粉末，称量将运些原料粉末W达到所需组成，通过球磨机等公知的方法进行混合， 将混合粉末通过热压进行成型和烧结，由此也可w制作强磁性材料瓣射祀。
[0012] 例如，提出了用行星运动型混合机将Co粉末、吐粉末、Ti〇2粉末和Si化粉末混合而 得到的混合粉末与Co球形粉末混合，将所得到的混合粉末通过热压进行成形而得到磁记录 介质用瓣射祀的方法(专利文献2)。
[0013] 运种情况下的祀组织可W看到是在作为均匀分散有无机物颗粒的金属基质的相 (A)中具有球形的相(B)的形态(专利文献2的图1)。
[0014] 运样的组织虽然在提高漏磁通方面是好的，但是从抑制瓣射时的粉粒产生方面来 看，不能说是优选的磁记录介质用瓣射祀。
[0015] 另外，提出了将Co-化二元合金粉末与Pt粉末和Si化粉末混合，对所得到的混合粉 末进行热压，由此得到磁记录介质薄膜形成用瓣射祀的方法(专利文献3)。
[0016] 运种情况下的祀组织虽然没有图示，但是记载了观察到Pt相、Si〇2相和Co-Cr二元 合金相，并且在Co-化二元合金相的周围观察到扩散层。运样的组织也不能说是优选的磁记 录介质用瓣射祀。
[0017] 除上述W外，W磁性材料的开发为目标，还提出了一些方案。例如，在专利文献4 中，提出了具有SiC和Si化(x:l~2)的垂直磁记录介质。另外，在专利文献5中，记载了含有 Co、Pt、第一金属氧化物、第二金属氧化物、第=金属氧化物的磁性材料祀。
[001引另外，在专利文献6中，提出了包含Co、Pt的基质相和平均粒径0.05皿W上且小于 7.0皿的金属氧化物相的瓣射祀，并提出了抑制晶粒生长，得到低磁导率、高密度的祀，提高 成膜效率的方案。
[0019] 另外，在专利文献7中，记载了如下的非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀： W作为强磁性体材料的Co、Fe为主要成分，非磁性材料为选自氧化物、氮化物、碳化物、娃 化物的材料，并且规定了非磁性材料的形状(小于半径2皿的假想圆）。
[0020] 另外，在专利文献8中，记载了在Co-化合金的强磁性体材料中分散有小于半径1曲1 的假想圆的由氧化物构成的非磁性材料颗粒的非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀， 并记载了详细规定其粒径的瓣射祀。另外，在专利文献9中，记载了颗粒结构的磁性膜。
[0021] 如上所示，对于Co-化-Pt-氧化物等非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀，提 出了使用Si化、吐2化、Ti〇2作为氧化物，并且进一步提出规定氧化物的形状。但是，运些氧化 物为绝缘体，因此会造成异常放电。而且，由于该异常放电，瓣射中的粉粒产生成为问题。
[0022] 伴随HDD的记录密度提高，磁头的悬浮高度(浮上量）正在逐年减小。因此，磁记录 介质上允许的粉粒的尺寸和个数变得越来越严格。已知，颗粒膜的成膜时产生的粉粒的大 部分为起因于祀的氧化物。认为作为用于抑制运样的粉粒产生的方法之一，使祀中的氧化 物微细分散在母相合金中是有效的。
[0023] 除了上述专利文献6~8W外，下述专利文献10~19中也提出了使金属氧化物的颗 粒细化的方案。即，专利文献10中记载了使金属氧化物相所形成的颗粒的平均粒径为〇.〇5y mW上且小于7.Own;专利文献11中记载了使陶瓷相的长轴粒径为lOwnW下；专利文献12中 记载了使含氧物质或氧化物相为50皿W下;专利文献13中记载了使氧化物相所形成的颗粒 的平均粒径为3WI1W下；专利文献14中记载了氧化娃颗粒或氧化铁颗粒在与瓣射祀的主表 面垂直的截面中，在将与瓣射祀的主表面垂直的方向的粒径设为Dn、将与所述主表面平行 的方向的粒径设为化时，满足2《化/Dn，专利文献15中记载了使铭氧化物聚集体为500个/ 2 rniTi 〇
[0024] 另外，专利文献16中记载了在含有氧化娃、Cr或Pt的Co基合金瓣射祀中，氧化娃相 处于0.5~扣m的范围且使用疏水性的氧化娃粉末进行制作;专利文献17中记载了一种磁记 录介质制造用瓣射祀，其中，氧化物的粒径为10曲iW下；专利文献18中记载了在Co-Cr-Pt-C 基瓣射祀中，基质的平均晶粒直径为50皿W下，且使碳化物分散在组织中；专利文献19中记 载了构成磁性薄膜的晶粒从包含非强磁性非金属相的晶粒间界部分离的磁记录介质。但 是，它们使颗粒细化的条件均不充分，现状是正在寻求进一步的改善。
[0025] 现有技术文献
[0026] 专利文献
[0027] 专利文献1:日本特开平10-88333号公报
[0028] 专利文献2:日本特愿2010-011326
[00巧]专利文献3:日本特开2009-1860号公报
[0030] 专利文献4:日本特开2006-127621号公报
[0031] 专利文献5:日本特开2007-4957号公报
[0032] 专利文献6:日本特开2009-102707号公报
[0033] 专利文献7:日本再公表专利W02007/080781
[0034] 专利文献8:国际公开W02009/119812A1 [0(X3日]专利文献9:日本特开2001-76329号公报
[0036] 专利文献10:国际公开W02009-054369号公报
[0037] 专利文献11:日本特开2006-045587号公报
[0038] 专利文献12:日本特开2008-169464号公报
[0039] 专利文献13:日本特开2009-215617号公报
[0040] 专利文献14:日本特开2011-222086号公报
[0041] 专利文献15:日本特开2008-240011号公报
[0042] 专利文献16:日本特开2004-339586号公报
[0043] 专利文献17:日本特开2001-236643号公报
[0044] 专利文献18:日本特开2001-98360号公报
[0045] 专利文献19:日本特开平7-311929号公报

【发明内容】

[0046] 发明所要解决的问题
[0047] 一般而言，在Co-Cr-Pt-氧化物等非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀中，所 含有的51〇2、化2〇3、1'1〇2^曰2〇5、(：00、(：03〇4、82〇3等氧化物为绝缘体，因此会导致异常放电。而 且，由于该异常放电，瓣射中的粉粒产生成为问题。
[0048] 本发明鉴于上述问题，W抑制氧化物的异常放电，减少异常放电导致的瓣射中的 粉粒产生为课题。W往，通过减小氧化物的粒径来减少异常放电的概率，但是伴随磁记录介 质的记录密度提高，允许的粉粒水平变得严格，因此本发明的课题在于提供氧化物的分散 状态进一步改善的非磁性材料颗粒分散型强磁性材料瓣射祀。
[0049] 用于解决问题的手段
[0050] 为了解决上述问题，本发明人进行了广泛深入的研究，结果发现，通过调整祀的组 织(氧化物颗粒)结构，可W得到不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电从而粉粒的产生 少的祀。
[0051] 基于运样的发现，本发明提供W下的发明。
[0052] 1)-种磁性材料瓣射祀，其为含有氧化物的磁性材料瓣射祀，其特征在于，氧化物 的平均粒径为400nmW下。
[0053] 2)如1)所述的磁性材料瓣射祀，其为含有氧化物的磁性材料瓣射祀，其特征在于， 具有氧化物的平均粒径为400nmW下的相A、和包围相A且氧化物的平均粒径为下的相 B。
[0054] 3)如1)~2)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其为含有氧化物的磁性材料瓣射 祀，其特征在于，具有平均粒径为400nmW下且长径比为2W下的氧化物组织。
[0055] 4)如1)~3)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其为含有氧化物的磁性材料瓣射 祀，其特征在于，具有相A和包围相A且氧化物的平均粒径为化mW下的相B，所述相A具有平 均粒径为400nmW下、并且W使面积达到最小的方式与氧化物颗粒外切的长方形的长径比 为2W下的氧化物组织。
[0056] 5)如上述1)~4)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，吐为45摩尔％ W 下(不包括0摩尔％ )，其余为Co。
[0057] 6)如上述1)~4)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，吐为45摩尔％ W 下(不包括0摩尔％)，Pt为1摩尔上且30摩尔％^下，其余为Co。
[005引 7)如上述1)~4)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，Pt为1摩尔％ ^上 且30摩尔％ ^下，其余为Co。
[0059] 8)如上述1)~4)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，Pt为5摩尔％ ^上 且60摩尔％ ^下，其余为化。
[0060] 9)如上述1)~8)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，
[0061] 含有0.5摩尔％ W上且20摩尔下选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Ag、Au、 化、C中的1种W上元素作为添加元素。
[0062] 10)如上述1)~9)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，含有1~20摩 尔％选自8、51、灯、1'1^曰、胖、41、1旨、111、〔曰、2'、￥中的1种^上成分的氧化物作为氧化物原 料。
[0063] 11)如上述1)~10)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，含有选自碳、氮 化物、碳化物中的1种W上成分的无机物材料作为添加材料。
[0064] 12)如上述1)~11)中任一项所述的磁性材料瓣射祀，其特征在于，在热压后进行 了HIP压实处理。
[0065] 13) -种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CV的去 在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁 性材料粉碎而得到祀用原料，然后将该原料烧结。
[0066] 14)-种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其为上述1)~12)中任一项所 述的含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CV的去在基板上将 磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎 而得到祀用原料，然后将该原料烧结。
[0067] 15) -种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CV的去 在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁 性材料粉碎而得到祀用原料，然后在该原料中补充不足的成分并混合，对该混合物进行烧 结。
[0068] 16)-种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其为上述1)~12)中任一项所 述的含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将 磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎 而得到祀用原料，然后在该原料中补充不足的成分并混合，对该混合物进行烧结。
[0069] 17) -种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CV的去 在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，然后对所得到的磁性 材料进行热等静压加工化IP)。
[0070] 18)-种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其为上述1)~12)中任一项所 述的含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将 磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，然后对所得到的磁性材料进行热 等静压加工化IP)。
[0071 ] 19) -种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CV的去 在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板而制成祀。
[0072] 20)-种含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其为上述1)~12)中任一项所 述的含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法，其特征在于，通过PVD或CVD法在基板上将 磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板而制成祀。
[0073] 21)如上述17)~20)中任一项所述的含有氧化物的磁性材料瓣射祀的制造方法， 其特征在于，从成膜后的磁性材料上除去基板，将所得到的薄膜层叠而制成祀。
[0074] 发明效果
[0075] 本发明能够调整（细化)强磁性材料瓣射祀的组织结构、特别是氧化物颗粒的形 状，能够减少来自粉碎装置、介质的杂质的混入，因此不产生瓣射时的由氧化物引起的异常 放电，能够减少粉粒的产生。因此，如果使用本发明的祀，则在利用磁控瓣射装置进行瓣射 时可W得到稳定的放电。另外，具有如下的优良效果:能够抑制氧化物的异常放电，能够减 少异常放电所导致的瓣射中的粉粒产生，能够得到成品率提高带来的成本改善效果。
【附图说明】
[0076] 图1为表示实施例1的C〇-Pt-Cr-Si〇2-Ti〇2-Cr2〇3基祀的组织的图（照片）。
[0077] 图2为表示比较例1的C〇-Pt-Cr-Si〇2-Ti〇2-Cr2〇3基祀的组织的图（照片）。
[007引图3为表示实施例2的Co-Pt-Ru-化-Si02-Ti化-CoO基祀的组织的图（照片）。
[0079] 图4为表示比较例2的C〇-Pt-Ru-Cr-Si〇2-Ti〇2-CoO基祀的组织的图（照片）。
[0080] 图5为表示实施例5的Co-化-TiO盛祀的组织的图（照片）。
[00川图6为表示实施例6的C0-Pt-Si02-Ti02-Cr203基祀的组织的图（照片）。
[0082] 图7为表示在实施例2的C〇-Pt-Ru-Cr-Si〇2-Ti〇2-CoO基祀中在氧化物的相A的晶粒 间界存在较大的氧化物的相B的形态的图（照片）。
[0083] 图8为在实施例2的C〇-Pt-Ru-Cr-Si〇2-Ti〇2-CoO基祀中在氧化物的相A的晶粒间界 存在较大的氧化物的相B的形态的说明图。
【具体实施方式】
[0084] 近年来，伴随硬盘驱动器的记录容量增大，迫切需要在制造硬盘介质时减少来自 瓣射祀的粉粒。垂直磁记录用瓣射祀通常通过粉末烧结来制造。为了减少粉粒，瓣射祀的组 织细化是非常有效的。
[0085] 垂直磁记录用瓣射祀由作为强磁性材料的金属和氧化物、碳等非金属材料构成。 为了抑制瓣射中的粉粒，需要使金属和非金属微细且均匀地分散。
[0086] 为此，使用强力的球磨机等将原料粉末之间机械粉碎混合是有效的方法之一。但 是，在现行的机械粉碎混合的方法中，组织的细化存在物理极限，从而无法完全消除粉粒的 产生。
[0087] 因此，不使用W往的机械粉碎混合，而通过使用蒸锻法来实现超微细组织。作为蒸 锻法，可W举出：PVD法（Physical Vapor Deposition，物理蒸锻法）或CVD法（畑emical 化por Deposition,化学蒸锻法）。
[0088] PVDXVD为通常用于制作薄膜的方法。运些方法在原理上通过将材料分解到分子 水平后进行再构成来制作薄膜，因此具有远超过机械粉碎混合的超微细的组织。因此，通过 由利用PVD、CVD方法得到的膜制造瓣射祀，可W解决上述问题。
[0089] 本申请发明的含有氧化物的磁性材料瓣射祀通过下述方式来制造:通过PV的去或 CV的去在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后 的磁性材料粉碎而得到祀用原料，然后将该原料烧结。PV的去或CVD法中，特别有效的是:从 通过瓣射法或蒸锻法在基板上成膜而得到的薄膜上将基板剥离而得到瓣射原料。
[0090] 它们能够通过大型装置来实现成膜，并且能够达到约1000WI1的厚度，因此具有制 造容易的特征。具有如下优点：在成膜时不需要进行观察，并且所得到的瓣射原料基本没 有污染，并且由于机械粉碎容易因而在粉碎时污染也少。
[0091 ]另外，在烧结时，在热压后进行HIP压实处理是有效的，但是烧结条件并不限定于 此，可W任意设定。
[0092] 另外，有时预先通过PVD或CV的去在基板上成膜后的材料与要制造的磁性材料瓣射 祀的成分组成不一致。运种情况下，也可W预先将近似的成分组成的磁性材料在基板上进 行成膜，接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，将成膜后的磁性材料粉碎而作为祀用原 料，然后在该原料中补充不足的成分并混合，将该混合物烧结，从而制造含有氧化物的磁性 材料瓣射祀。
[0093] 上述成膜后的基板的除去可W适当使用机械性除去或化学性溶解除去或者将它 们适当组合使用，没有特别限制。优选抑制基板材料在基板除去后混入到烧结用原料。另 夕h在基板材料使用与烧结材料近似或相同的材料的情况下，能够极大地降低杂质的混入。
[0094] 另外，作为所述补充(填补)材料，优选使用与烧结原料类似的微细颗粒，但是由于 在烧结原料中为少量，因此可W说不受到显著影响。
[0095] 如果在回收蒸锻膜后先进行粉碎然后再进行烧结，则蒸锻膜粉碎粉之间的晶粒间 界有时成为分散有比蒸锻膜内大的氧化物的组织。
[0096] 但是，虽说晶粒间界的氧化物比蒸锻膜内的氧化物大，但是与机械性粉碎混合的 氧化物相比还是充分地小的，另外，烧结体的大部分为微细的组织，该大颗粒的影响减小， 因此可W说该存在于蒸锻膜的晶粒间界的氧化物不会造成大问题。
[0097] 上述中，通过PVD或CV的去在基板上将磁性材料成膜，接着从该成膜后的磁性材料 上除去基板，将该成膜后的磁性材料粉碎而得到原料，但是也可W对薄膜本身进行热等静 压加工化IP)。
[0098] 另外，也可W从该成膜后的磁性材料上除去基板后直接得到祀。另外，也可W从成 膜后的磁性材料上除去基板，将所得到的薄膜层叠，对所得物实施热等静压加工化IP)等压 制加工，从而得到含有氧化物的磁性材料瓣射祀。
[0099] 运样得到的薄膜的膜厚和层叠的片数任意，可W根据材料和要求来适当确定。另 夕h也可W补充不足的成分并进行烧结来制造含有氧化物的磁性材料瓣射祀。本申请发明 包括全部运些。
[0100] 通过W上可W得到氧化物的平均粒径为400nmW下的含有氧化物的磁性材料瓣射 祀。其为本申请发明中可W达成的基本的祀结构。
[0101] 另外，本申请发明可W得到:一种含有氧化物的磁性材料瓣射祀，其具有氧化物的 平均粒径为400nmW下的相A、和包围相A且氧化物的平均粒径为2皿W下的相B;W及一种含 有氧化物的磁性材料瓣射祀，其具有平均粒径为400nmW下并且长径比为2W下的氧化物组 织;一种含有氧化物的磁性材料瓣射祀，其具有相A和包围相A且氧化物的平均粒径为2皿W 下的相B，所述相A具有平均粒径为400nmW下、并且W使面积达到最小的方式与氧化物颗粒 外切的长方形的长径比为2W下的氧化物组织。
[0102] W上的磁性材料瓣射祀中，可W得到化为45摩尔％ ^下(不包括0摩尔％)、其余为 Co的磁性材料瓣射祀;吐为45摩尔％ W下（不包括0摩尔％ )、Pt为1摩尔％ W上且30摩尔％ W下、其余为Co的磁性材料瓣射祀;Pt为5摩尔％ W上且60摩尔％ ^下、其余为Fe的磁性材 料瓣射祀。
[0103] 另外，可W得到：含有0.5摩尔％ W上且20摩尔％ W下选自B、Ti、V、Mn、Zr、师、Ru、 Mo、Ta、W、Ag、Au、Cu、C中的1种W上元素作为添加元素的上述磁性材料瓣射祀;含有1~20摩 尔％选自6、51、化、1'1、1'曰、胖、41、1旨、111、〔曰、2'、￥中的巧巾^上成分的氧化物作为氧化物原料 的上述磁性材料瓣射祀;含有选自碳、氮化物、碳化物中的1种W上成分的无机物材料作为 添加材料的上述磁性材料瓣射祀;在热压后进行了 HIP压实处理的磁性材料瓣射祀。
[0104] 上述含有元素的量表示为了利用作为强磁性材料的特性的优选的数值范围，当然 也可W根据需要而使用该范围W外的数值。本申请发明包括运些的全部。而且，所述添加量 为用于发挥添加的效果的有效量。
[0105] 而且，W达到所期望的组成的方式称量所得到的烧结原料，使用研鉢、球磨机等公 知的方法在粉碎的同时进行混合。对于补充的原料粉末，可W在该阶段进行混合。另外，作 为混合机，可W使用行星运动型混合机或行星运动型揽拌混合机，但是并不特别限定于粉 碎机和混合机。另外，考虑到混合中的氧化问题，可W说优选在惰性气体气氛中或真空中进 行混合。
[0106] 本申请说明书中，对作为含有氧化物的磁性材料的代表性的Cr-Co合金基磁性材 料、Cr-Pt-Co合金基磁性材料、Pt-Co合金基磁性材料、Pt-Fe合金基磁性材料进行了说明， 但本申请发明的特征在于存在于磁性材料中的氧化物的形态和用于得到该特殊的氧化物 (存在形态）的制造方法。
[0107]因此，本申请发明在化-Ni合金基磁性材料、Fe-Co合金基磁性材料、Fe-Ni-Co合金 基磁性材料等其它成分体系中也能够同样地应用，并且可W得到同样的效果，运是应该容 易地理解的。本申请发明包括运些。
[010引实施例
[0109] W下基于实施例和比较例进行说明。需要说明的是，本实施例只是一例，本发明不 受该例的任何限制。即，本发明仅受权利要书的限制，本发明包含本发明中包括的实施例W 外的各种变形。
[0110] (实施例1)
[0111] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3WI1的Pt粉末，作为氧化物粉末，准备平均粒径Iwii的Ti化粉末、平均粒径0.7曲1的Si化粉末、 平均粒径Iwii的化地3粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。组成如下所述。
[0112] 组成：70C〇-18Pt-3Cr-4Si〇2-2Ti〇2-3Cr2〇3(摩尔 ％)
[0113] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的鹤合金球一起封入容量10升的球磨机罐， 旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保持时 间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后，用车床对该烧结体进行切 削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0114] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚4000WI1进行瓣射。
[0115] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，实施热等静压加工化IP)。热等静压加 工的条件为:升溫速度300°C/小时、保持溫度950°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢 升高Ar气的气压，保持在950°C的过程中W 150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷 却。
[0116] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状 祀。将该祀的组织照片如图1所示。如该图1所示，得到了具有平均粒径60nm的微细氧化物颗 粒的 C〇-Pt-Cr-Si〇2-Ti(fe-Cr2〇3 基祀。
[0117] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。
[0118] 用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。在相同的瓣射条件下进行 3次。此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25皿大小的粉粒为0.3个、0.25皿~3.化 m大小的粉粒为0个。
[0119] 该结果如表1所示。运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异 常放电，能够减少粉粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放 电。
[0120]
[0121] (比较例1)
[0122] 作为金属原料粉末，准备平均粒径化m的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3wii的Pt粉末，作为氧化物粉末，准备平均粒径Iwii的Ti化粉末、平均粒径0.7曲1的Si化粉末、 平均粒径Iwii的化地3粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0123] 组成：70C〇-18Pt-3Cr-4Si〇2-2Ti〇2-3Cr2〇3(摩尔 ％)
[0124] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的鹤合金球一起封入容量10升的球磨机罐， 旋转100小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保持时 间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行切 削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。
[0125] 然后，对该祀的组织进行观察可知，显微镜视野范围内的氧化物颗粒的平均粒径 为1.3皿。该祀的组织如图2所示。
[0126] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4英寸的Si基板上W IkW成膜200秒。用粉粒计数器对 附着到基板上的粉粒的个数进行测定。在相同的瓣射条件下进行3次。此时的Si基板上的平 均粉粒数为:0.17WI1~0.25WI1大小的粉粒为10.7个、0.25WI1~3. Owii大小的粉粒为5.3个，比 实施例1增加。将该结果示于表1。
[0127] (实施例2)
[0128] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3曲1的Pt粉末、平均粒径扣m的Ru粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径Iwii的Ti化粉末、平均 粒径0.7WI1的Si化粉末、平均粒径Iwii的CoO粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成 分组成如下所述。
[01 巧]组成：59C〇-20Pt-5Ru-3Cr-5Si〇2-2Ti〇2-6CoO(摩尔 ％ )
[0130] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0131] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0132] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为200WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到 烧结体。
[0133] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1000°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0134] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 该祀的组织照片如图3所示。如该图3所示，得到了具有平均粒径40nm的微细氧化物颗粒的 C〇-Pt-Ru-Cr-Si〇2-Ti〇2-CoO 基祀。
[0135] 作为参考，图7(照片）中示出在该祀中在氧化物的相A的晶粒间界存在较大的氧化 物的相B的形态。另外，说明图如图8所示。需要说明的是，图7和图8中分别为观察不同部位 的图。
[0136] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0137] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为0.7个、0.25皿~ 3.0皿大小的粉粒为0.3个。
[0138] 该结果如表1所示。运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异 常放电，能够减少粉粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放 电。
[0139] (比较例2)
[0140] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3曲1的Pt粉末、平均粒径扣m的Ru粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径Iwii的Ti化粉末、平均 粒径0.7WI1的Si化粉末、平均粒径Iwii的CoO粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成 分组成如下所述。
[0141] 组成：59C〇-20Pt-5Ru-3Cr-5Si〇2-2Ti〇2-6CoO(摩尔 ％ )
[0142] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转100小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。
[0143] 然后，对该祀的组织进行观察可知，显微镜视野范围内的氧化物颗粒的平均粒径 为1.6皿。该祀的组织如图4所示。
[0144] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0145] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25皿大小的粉粒为12.3个、0.25皿 ~3. Owii大小的粉粒为7.3个，比实施例2增加。该结果如表1所示。
[0146] (实施例3)
[0147] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3皿的Pt粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径1皿的化2〇5粉末、平均粒径0.7皿的Si化粉末。 按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0148] 组成：76C〇-12Pt-5Cr-51'a2〇 日-2Si〇2(摩尔 ％)
[0149] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0150] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0151] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为lOOwii的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到 烧结体。
[0152] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1000°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0153] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径40nm的微细氧化物颗粒的C〇-Pt-Cr-Ta2〇日-Si〇2基祀。
[0154] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0155] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25皿大小的粉粒为0.3个、0.25皿~ 3.0M1大小的粉粒为0.3个。将该结果示于表1。
[0156] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0157] (比较例3)
[0158] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3皿的Pt粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径化m的化2〇5粉末、平均粒径0.7皿的Si化粉 末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0159] 组成：76C〇-12Pt-5Cr-51'a2〇5-2Si〇2(摩尔 ％)
[0160] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转100小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。
[0161 ]然后，对该祀的组织进行观察可知，显微镜视野范围内的氧化物颗粒的平均粒径 为化m。
[0162] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17WI1~0.25皿大小的粉 粒为12个、0.25WI1~3.0M1大小的粉粒为4.7个，比实施例3增加。该结果如表1所示。
[0163] (实施例4)
[0164] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3曲1的Pt粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径lOwii的B2化粉末、平均粒径Iwii的Ti化粉末、平 均粒径0.7皿的Si化粉末、平均粒径1皿的CoO粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。 成分组成如下所述。
[01 化]组成：70C〇-10Pt-12Cr-2B2〇3-3Ti〇2-2Si〇2-lCoO(摩尔 ％)
[0166]接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度950°C、保持 时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行 切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0167] 接着将该祀安装到DC磁控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率1.化W、Ar 气压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚lOOOwii进行瓣射。
[0168] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为250WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度950°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧 结体。
[0169] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度950°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在950°C过程 中W 150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0170] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径60nm的微细氧化物颗粒的C〇-10Pt-12Cr-2B2〇3-3Ti〇2-2Si〇2-lCoO基祀。 [0171 ]接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0172] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为1个、0.2化m~ 3.0M1大小的粉粒为0.7个。该结果如表1所示。
[0173] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0174] (比较例4)
[0175] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3曲1的Pt粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径lOwii的B2化粉末、平均粒径2WI1的Ti化粉末、平 均粒径0.7皿的Si化粉末、平均粒径1皿的CoO粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。 成分组成如下所述。
[0176] 组成：70C〇-10Pt-12Cr-2B2〇3-3Ti〇2-2Si〇2-lCoO(摩尔 ％)
[0177] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转100小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度950°C、保持 时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行 切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。
[0178] 然后，对该祀的组织进行观察可知，显微镜视野范围内的氧化物颗粒的平均粒径 为1.祉m。
[0179] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4英寸的Si基板上W IkW成膜200秒。用粉粒计数器对 附着到基板上的粉粒的个数进行测定。在相同的瓣射条件下进行3次。此时的Si基板上的平 均粉粒数为:0.17WI1~0.25WI1大小的粉粒为14.3个、0.25WI1~3. Owii大小的粉粒为3.3个，比 实施例4增加。该结果如表1所示。
[0180] (实施例5)
[0181] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4wii的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、作为氧化 物粉末，准备平均粒径IWII的Ti化粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如 下所述。
[0182] 组成：50C〇-40Cr-10Ti〇2(摩尔 ％)
[0183] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度950°C、保持 时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行 切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0184] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的SUS基板上W目标膜厚lOOOwii进行瓣射。
[0185] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为50皿的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度950°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧 结体。
[0186] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度950°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在950°C过程 中W 150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0187] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 该祀的组织照片如图5所示。如该图5所示，得到具有平均粒径70nm的微细氧化物颗粒的 C〇-40Cr-10Ti〇2 基祀。
[0188] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0189] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为0.3个、0.25皿~ 3. Own大小的粉粒为0个。该结果如表1所示。
[0190] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0191] (比较例5)
[0192] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、作为氧化 物粉末，准备平均粒径Iwii的Ti化粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如 下所述。
[0193] 组成：50C〇-40Cr-10Ti〇2(摩尔 ％)
[0194] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转100小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度950°C、保持 时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行 切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。
[0195] 然后，对该祀的组织进行观察可知，显微镜视野范围内的氧化物颗粒的平均粒径 为2.姐11。
[0196] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17WI1~0.25皿大小的粉 粒为8.7个、0.25WI1~3.0M1的大小的粉粒为3个，比实施例5增加。该结果如表1所示。
[0197] (实施例6)
[0198] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径3WI1的Pt粉末、作为氧化 物粉末，准备平均粒径0.7皿的Si化粉末、平均粒径1皿的Ti化粉末、平均粒径1皿的吐2〇3粉 末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0199] 组成：72C〇-20Pt-3Si〇2-2Ti〇2-3Cr2〇3(摩尔 ％)
[0200] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0201] 接着将该祀安装到DC磁控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚4000WI1进行瓣射。
[0202] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，实施热等静压加工化IP)。热等静压加 工的条件为:升溫速度300°C/小时、保持溫度1100°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢 升高Ar气的气压，在保持在1100°C的过程中W150M化进行加压。保持结束后在炉内原样自 然冷却。
[0203] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 该祀的组织照片如图6所示。如该图6所示，得到具有平均粒径400nm的微细氧化物颗粒的 C〇-Pt-Si〇2-Ti〇2-Cr2〇3 基祀。
[0204] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[02化]此时的Si基板上的平均粉粒数为：0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为3个、0.2化m~ 3. Own大小的粉粒为1.3个。该结果如表1所示。
[0206] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0207] (实施例7)
[0208] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径3WI1的Pt粉末、平均粒径 5WI1的Ru粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径0.7WI1的Si化粉末、平均粒径1曲1的Ti化粉末、 平均粒径Iwii的化地3粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0209] 组成：85C〇-5Pt-3Ru-2Si〇2-2Ti〇2-3Cr2〇3(摩尔 ％)
[0210] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0211] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0212] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为300WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到 烧结体。
[0213] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1100°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0214] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径350nm的微细氧化物颗粒的C〇-Pt-Ru-Si〇2-Ti化-化2〇3基祀。
[0215] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0216] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为4个、0.2化m~ 3. Own大小的粉粒为2个。该结果如表1所示。
[0217] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0218](实施例8)
[0219] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3皿的Pt粉末、平均粒径10皿的Co-B粉末、作为氧化物粉末，准备平均粒径0.7皿的Si化粉 末、平均粒径1WI1的化地3粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0220] 组成：67.5C〇-10Pt-12Cr-3B-6Si〇2-l. 5化2〇3(摩尔 ％ )
[0221] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度900°C、保持 时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行 切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0222] 接着将该祀安装到DC磁控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0223] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎，得到平均 粒径为250WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模具， 在真空气氛中、溫度850°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结 体。
[0224] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、 保持溫度850°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在850°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0225] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径150nm的微细氧化物颗粒的C〇-Pt-Cr-B-Si〇2-Cr2〇3基祀。
[0226] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0227] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为1.3个、0.25皿~ 3.0M1大小的粉粒为1个。该结果如表1所示。
[0228] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0229] (实施例9)
[0230] 作为金属原料粉末，准备平均粒径扣m的化粉末、平均粒径3WI1的Pt粉末、作为氧化 物粉末，准备平均粒径0.7WI1的Si化粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成 如下所述。
[0231] 组成：79Fe-5Pt-16Si〇2(摩尔 ％)
[0232] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1090°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状的祀。
[0233] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0234] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎，得到平均 粒径为150WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模具， 在真空气氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结 体。
[0235] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1000°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0236] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径90nm的微细氧化物颗粒的化-Pt-Si化基祀。
[0237] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0238] 此时的Si基板上的平均粉粒数为：0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为1个、0.2化m~ 3. Own大小的粉粒为0.3个。该结果如表1所示。
[0239] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0240] (实施例10)
[0241 ]作为金属原料粉末，准备平均粒径扣m的化粉末、平均粒径3wii的Pt粉末，作为氧化 物粉末，准备平均粒径0.7WI1的Si化粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成 如下所述。
[0242] 组成：29Fe-55Pt-16Si〇2(摩尔 ％)
[0243] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1090°C、保 持时间2小时、压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进行切 削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0244]接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0245] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为150WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到 烧结体。
[0246] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1000°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0247] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径80nm的微细氧化物颗粒的化-Pt-Si化基祀。
[0248] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0249] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为1.3个、0.25皿~ 3.0M1大小的粉粒为0.7个。该结果如表1所示。
[0250] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0251] (实施例11)
[0252] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径3WI1的Pt粉末、平均粒径 5WI1的Cr粉末，作为氧化物粉末，准备平均粒径0.7WI1的Si化粉末、平均粒径1曲1的Ti化粉末、 平均粒径Iwii的化地3粉末。按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0 巧 3]组成：70C〇-12Pt-12Cr-3Si〇2-2Ti〇2-lCr2〇3(摩尔 ％)
[0254]接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[025引接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施化怖的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚5~1000M1进行瓣 射。
[0256] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。重复从瓣射成膜到膜回收的 工序直到回收的膜的总厚度达到4000WI1。将回收的片状的薄膜层叠于碳制模具，在真空气 氛中、溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。
[0257] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度l〇〇〇°C、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压，在保持在1000°C的 过程中W150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0258] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径60nm的微细氧化物颗粒的C〇-Pt-Cr-Si〇2-Ti化-化2〇3基祀。
[0259] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0260] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25皿大小的粉粒为0.3个、0.25皿~ 3. Own大小的粉粒为0.3个。该结果如表1所示。
[0261] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[02创（实施例12)
[0263] 作为金属原料粉末，准备平均粒径4WI1的Co粉末、平均粒径扣m的化粉末、平均粒径 3皿的Pt粉末，作为氧化物粉末，准备平均粒径1皿的化2〇5粉末、平均粒径0.7皿的Si化粉末。 按照W下的组成比称量2000g运些粉末。成分组成如下所述。
[0264] 组成：79(：〇-10?1-6化-1化2〇日-4Si〇2(摩尔 ％ )
[0265] 接着，将砰量的粉末与作为粉碎介质的二氧化错球一起封入容量10升的球磨机 罐，旋转120小时进行混合。将该混合粉末填充至碳制模具，在真空气氛中、溫度1050°C、保 持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧结体。然后用车床对该烧结体进 行切削加工而得到直径为180mm、厚度为6mm的圆盘状祀。
[0266] 接着，将该祀安装到D切兹控瓣射装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气 压1.5Pa，实施2kWi的预瓣射后，在直径6.5英寸的A1基板上W目标膜厚1000皿进行瓣射。
[0267] 接着，从该瓣射成膜后的材料上剥离基板，将膜回收。然后，将该膜粉碎而得到平 均粒径为200WI1的微细粉。将从瓣射到微粉碎回收的工序重复4次。将所得物填充到碳制模 具，在真空气氛中、溫度950°C、保持时间2小时、加压压力30MPa的条件下进行热压而得到烧 结体。
[0268] 接着，实施热等静压加工化IP)。热等静压加工的条件为:升溫速度300°C/小时、保 持溫度95(TC、保持时间2小时，从升溫开始时起缓慢升高Ar气的气压缓慢升高，在保持在 950°C的过程中W 150MPa进行加压。保持结束后在炉内原样自然冷却。
[0269] 然后，用车床对所得物进行切削加工而得到直径为164mm、厚度为3mm的圆盘状祀。 得到具有平均粒径lOnm的微细氧化物颗粒的C〇-Pt-Cr-Ta2〇日-Si〇2基祀。
[0270] 接着，将该祀与直径为180mm、厚度为4mm的Cu制背衬板接合后，安装到DC磁控瓣射 装置并进行瓣射。瓣射条件为:瓣射功率lkW、Ar气压1.5Pa，实施2kWh的预瓣射后，在直径4 英寸的Si基板上WlkW成膜200秒。用粉粒计数器对附着到基板上的粉粒的个数进行测定。 在相同的瓣射条件下进行3次。
[0271 ] 此时的Si基板上的平均粉粒数为:0.17皿~0.25WI1大小的粉粒为0.3个、0.25皿~ 3.0WI1大小的粉粒为0个。将该结果示于表1。
[0272] 运样的具有微细颗粒的祀不产生瓣射时的由氧化物引起的异常放电，能够减少粉 粒的产生。而且，在利用磁控瓣射装置进行瓣射时能够得到稳定的放电。
[0273] 产业实用性
[0274] 本发明能够调整（细化)强磁性材料瓣射祀的组织结构、特别是氧化物颗粒的形 状，能够减少来自粉碎装置、介质的杂质的混入，因此不产生瓣射时的由氧化物引起的异常 放电，能够减少粉粒的产生。因此，如果使用本发明的祀，则在利用磁控瓣射装置进行瓣射 时可W得到稳定的放电。另外，具有如下的优良效果:能够抑制氧化物的异常放电，能够减 少异常放电所导致的瓣射中的粉粒产生，能够得到成品率提高带来的成本改善效果，因此 作为磁记录介质的磁性体薄膜、特别是硬盘驱动器记录层的成膜中使用的强磁性材料瓣射 祀有用。
【主权项】
1. 一种磁性材料烧结体溅射靶，其为含有非磁性氧化物的磁性材料烧结体溅射靶，其 特征在于，具有氧化物的平均粒径为400nm以下且长径比为2以下的氧化物组织。2. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其为含有非磁性氧化物的磁性材料烧 结体溅射靶，其特征在于， 具有相A和包围相A且氧化物的平均粒径为2μπι以下的相B，所述相A具有平均粒径为 400nm以下、并且以使面积达到最小的方式与氧化物颗粒外切的长方形的长径比为2以下的 氧化物组织。3. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， Cr大于0摩尔％且为45摩尔％以下，其余为Co。4. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， Cr大于0摩尔％且为45摩尔％以下，Pt为1摩尔％以上且30摩尔％以下，其余为Co。5. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， Pt为1摩尔％以上且30摩尔％以下，其余为Co。6. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， Pt为5摩尔％以上且60摩尔％以下，其余为Fe。7. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， 含有0.5摩尔 ％ 以上且20摩尔 ％以下选自B、Ti、V、Mn、Zr、Nb、Ru、Mo、Ta、W、Ag、Au、Cu、C 中的1种以上元素作为添加元素。8. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， 含有1~20摩尔％选自8、3丨、0、1^、了3、1、六1、]\^、]\111工3、2匕￥中的1种以上成分的氧化 物作为氧化物原料。9. 如权利要求1所述的磁性材料烧结体溅射靶，其特征在于， 含有选自碳、氮化物、碳化物中的1种以上成分的无机物材料作为添加材料。10. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为含有非磁性氧化物的 磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原 料，然后将该原料烧结。11. 一种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为权利要求1~9中任一 项所述的含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原 料，然后将该原料烧结。12. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为含有非磁性氧化物的 磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原 料，然后在该原料中补充不足的成分并混合，对该混合物进行烧结。13. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为权利要求1~9中任一 项所述的含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，接着将该成膜后的磁性材料粉碎而得到靶用原 料，然后在该原料中补充不足的成分并混合，对该混合物进行烧结。14. 一种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为含有非磁性氧化物的 磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，然后对所得到的磁性材料进行热等静压加工 (HIP)〇15. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为权利要求1~9中任一 项所述的含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，然后对所得到的磁性材料进行热等静压加工 (HIP)〇16. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为含有非磁性氧化物的 磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，并对该成膜后的磁性材料进行烧结而制成靶。17. -种含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其为权利要求1~9中任一 项所述的含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方法，其特征在于， 使用磁性材料和氧化物材料通过PVD或CVD法在基板上将含有氧化物的磁性材料成膜， 接着从该成膜后的磁性材料上除去基板，并对该成膜后的磁性材料进行烧结而制成靶。18. 如权利要求14~17中任一项所述的含有氧化物的磁性材料烧结体溅射靶的制造方 法，其特征在于， 从成膜后的磁性材料上除去基板，将所得到的薄膜层叠而制成靶。
【文档编号】C22C19/07GK106048545SQ201610562180
【公开日】2016年10月26日
【申请日】2013年2月26日
【发明人】荻野真, 荻野真一, 中村祐郎, 中村祐一郎
【申请人】吉坤日矿日石金属株式会社